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응용물리 = Korean applied physics 20건

  1. [국내논문]   Total Electron Yield Detector for a Soft X-ray Spectromicroscope Operating at Atmospheric Pressure  

    Shin, H.-J. ; Warwick, T.
    응용물리 = Korean applied physics v.9 no.6 ,pp. 695 - 699 , 1996 , 1013-7009 ,

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    Fig. 1 이미지
  2. [국내논문]   Corona Poling Effects on Second-Harmonic Generation of Polymeric Guest-Host Systems  

    Lee, J.-H. ; Kim, Y. K. ; Won, Y. H. ; An, S. H. ; Kim, S. Y.
    응용물리 = Korean applied physics v.9 no.6 ,pp. 700 - 704 , 1996 , 1013-7009 ,

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  3. [국내논문]   Pumping Methods and Output Characteristics of a Dye Laser Amplifier  

    Jang, W.-K. ; Kim, S. H. ; Ko, D. K. ; Cha, B. H. ; Lee, J. M.
    응용물리 = Korean applied physics v.9 no.6 ,pp. 705 - 709 , 1996 , 1013-7009 ,

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  4. [국내논문]   Analysis of Differential Gain in 1.55-? InGaAs/InGaAsP/InP Compressively Strained Quantum Well Lasers  

    Park, S.-H.
    응용물리 = Korean applied physics v.9 no.6 ,pp. 710 - 715 , 1996 , 1013-7009 ,

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  5. [국내논문]   Growth of Undoped and In-doped CdS Thin Films by the Solution Growth Technique  

    Lee, H. J. ; Park, J. H. ; Lee, S. I.
    응용물리 = Korean applied physics v.9 no.6 ,pp. 716 - 721 , 1996 , 1013-7009 ,

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  6. [국내논문]   Electronic Structure and Chemical Reactivity of Transition Metal Complexes (Part 19). Electronic Transitions and Ligand Field Analysis of [Cr(cyclam)pn](ClO4)3  

    Choi, J.-H. ; Oh, I.-G. ; Yeh, J.-H.
    응용물리 = Korean applied physics v.9 no.6 ,pp. 722 - 727 , 1996 , 1013-7009 ,

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  7. [국내논문]   Formation of CoSi2/Si(111) by in situ Solid-Phase Epitaxy in UHV  

    Choi, C.-K. ; Kang, M.-S. ; Kim, K.-H. ; Lee, J.-J. ; Kim, H.-S. ; Lee, J.-D. ; Lee, J.-Y. ; Lee, Y.-P. ; Lee, W. H.
    응용물리 = Korean applied physics v.9 no.6 ,pp. 728 - 734 , 1996 , 1013-7009 ,

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  8. [국내논문]   Relaxation Behavior of Mismatched InGaAsP on InP  

    Kim, H.-D. ; Ryu, S.-W. ; Park, S.-K. ; Kim, H.-H. ; Jeong, W. G. ; Choe, B.-D.
    응용물리 = Korean applied physics v.9 no.6 ,pp. 735 - 739 , 1996 , 1013-7009 ,

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  9. [국내논문]   Electrical Characteristics between Gates of a Flash-Memory Device with an Independent Erase Gate  

    Lee, J.-H. ; Kim, N.-S.
    응용물리 = Korean applied physics v.9 no.6 ,pp. 740 - 744 , 1996 , 1013-7009 ,

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  10. [국내논문]   Study of the Meyer-Neldel Rule by Stepwise-Annealing of a-Si:H  

    Cho, J. G. ; Kang, S. S. ; Yang, S.-H.
    응용물리 = Korean applied physics v.9 no.6 ,pp. 745 - 749 , 1996 , 1013-7009 ,

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