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Journal of the Korean Physical Society 9건

  1. [국내논문]   Electronic Structure of Models in Amorphous Diamond-like Carbon  

    Lee, C. H. ; Cheong, K. T. ; Um, C. I.
    Journal of the Korean Physical Society v.27 suppl.2 ,pp. S201 - S205 , 1994 , 0374-4884 ,

    초록

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    Fig. 1 이미지
  2. [국내논문]   ?bonded Reconstructions at Si- and C-terminated Surfaces of 2H-SiC: An ab initio Molecular Dynamics Study  

    Hwang, Yong Gyoo ; Chen, B. ; Bougulwski, P. ; Bernholc, J.
    Journal of the Korean Physical Society v.27 suppl.2 ,pp. S190 - S193 , 1994 , 0374-4884 ,

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  3. [국내논문]   Quantum Well Luminescence in Strained Si1-xGex/Si  

    Fukatsu, S. ; Shiraki, Y.
    Journal of the Korean Physical Society v.27 suppl.2 ,pp. S165 - S173 , 1994 , 0374-4884 ,

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  4. [국내논문]   Continuous Sign Inversion in Ferroelectric Liquid Crystals  

    Kim, J.-H. ; Kim, Y. ; Suh, S.-W. ; Lee, S.-D. ; Goodby, J. W.
    Journal of the Korean Physical Society v.27 suppl.2 ,pp. S185 - S189 , 1994 , 0374-4884 ,

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  5. [국내논문]   Theory of Defect Stability and Self-Diffusion Mechanism in Carbon-Doped GaAs  

    Cheong, B.-H. ; Chang, Kee Joo
    Journal of the Korean Physical Society v.27 suppl.2 ,pp. S206 - S209 , 1994 , 0374-4884 ,

    초록

    The defect stability and the diffusion mechanism of C in GaAs are investigated through ab initio pseudopotential calculations. The most predominant defect is found to be a $C^-_{As}$ acceptor. Lattice relaxations around the substitutional $C_{As}$ defect are significant. Thus, the $C_{As}$ defect is energetically quite stable, which may explain the low diffusivity of C observed in GaAs. However, as the C concentration exceeds above $10^{19} cm^{-3}$ , the concentration of [100]-split interstitial C-C complexes increases abruptly. This C-C complex compensates for hole carriers and affects the diffusion process of C.

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  6. [국내논문]   Self-Consistent Phonon Theory and the Rhodes-Wohlfarth Ratio in Ferroelectric Phase Transitions  

    Tokunaga, M.
    Journal of the Korean Physical Society v.27 suppl.2 ,pp. S174 - S179 , 1994 , 0374-4884 ,

    초록

    The defect stability and the diffusion mechanism of C in GaAs are investigated through ab initio pseudopotential calculations. The most predominant defect is found to be a $C^-_{As}$ acceptor. Lattice relaxations around the substitutional $C_{As}$ defect are significant. Thus, the $C_{As}$ defect is energetically quite stable, which may explain the low diffusivity of C observed in GaAs. However, as the C concentration exceeds above $10^{19} cm^{-3}$ , the concentration of [100]-split interstitial C-C complexes increases abruptly. This C-C complex compensates for hole carriers and affects the diffusion process of C.

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  7. [국내논문]   Unusual Properties of Impurities in III-V and II-VI Semiconductors  

    Chadi, D. J.
    Journal of the Korean Physical Society v.27 suppl.2 ,pp. S161 - S164 , 1994 , 0374-4884 ,

    초록

    The defect stability and the diffusion mechanism of C in GaAs are investigated through ab initio pseudopotential calculations. The most predominant defect is found to be a $C^-_{As}$ acceptor. Lattice relaxations around the substitutional $C_{As}$ defect are significant. Thus, the $C_{As}$ defect is energetically quite stable, which may explain the low diffusivity of C observed in GaAs. However, as the C concentration exceeds above $10^{19} cm^{-3}$ , the concentration of [100]-split interstitial C-C complexes increases abruptly. This C-C complex compensates for hole carriers and affects the diffusion process of C.

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  8. [국내논문]   Low-Frequency Raman Scattering Spectra of KDP under High Pressure  

    Yagi, T.
    Journal of the Korean Physical Society v.27 suppl.2 ,pp. S180 - S184 , 1994 , 0374-4884 ,

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    The defect stability and the diffusion mechanism of C in GaAs are investigated through ab initio pseudopotential calculations. The most predominant defect is found to be a $C^-_{As}$ acceptor. Lattice relaxations around the substitutional $C_{As}$ defect are significant. Thus, the $C_{As}$ defect is energetically quite stable, which may explain the low diffusivity of C observed in GaAs. However, as the C concentration exceeds above $10^{19} cm^{-3}$ , the concentration of [100]-split interstitial C-C complexes increases abruptly. This C-C complex compensates for hole carriers and affects the diffusion process of C.

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  9. [국내논문]   Many-Particle Hamiltonian for the Fractional Quantum Hall Effect  

    Chung, M.-H. ; You, S.-K.
    Journal of the Korean Physical Society v.27 suppl.2 ,pp. S194 - S200 , 1994 , 0374-4884 ,

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    The defect stability and the diffusion mechanism of C in GaAs are investigated through ab initio pseudopotential calculations. The most predominant defect is found to be a $C^-_{As}$ acceptor. Lattice relaxations around the substitutional $C_{As}$ defect are significant. Thus, the $C_{As}$ defect is energetically quite stable, which may explain the low diffusivity of C observed in GaAs. However, as the C concentration exceeds above $10^{19} cm^{-3}$ , the concentration of [100]-split interstitial C-C complexes increases abruptly. This C-C complex compensates for hole carriers and affects the diffusion process of C.

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