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The Korean journal of ceramics 15건

  1. [국내논문]   Foreword  

    Dae-Soon Lim ; Hyung-Hoi Koo ; Hyeong Joon Kim
    The Korean journal of ceramics v.3 no.3 ,pp. 154 - 154 , 1997 , 1225-9381 ,

    초록

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    Fig. 1 이미지
  2. [국내논문]   Three-dimensional TEM Characterization of Highly Oriented Diamond Films on a (100) Silicon Substrate  

    Seung-Joon Jeon ; Arun Kramar Chawla ; Young-Joon Baik ; Changmo Sung
    The Korean journal of ceramics v.3 no.3 ,pp. 155 - 158 , 1997 , 1225-9381 ,

    초록

    Highly oriented diamond films were deposited on a (100) silicon substrate by bias enhanced nucleation technique. Both plan-view and cross-section TEM were applied to study the nucleation and growth mechanism of diamond grains. Randomly oriented polycrystalline diamond grains with internal microtwins were observed at the nucleation stage while defect free regions were retained at the growth stage and were apparently related with the epitaxy of diamond films. From our experimental results, the nucleation and texture formation mechanism of diamond films is discussed.

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  3. [국내논문]   Large Area Diamond Nucleation and Si (001) Using Magnetoactive Microwave Plasma Chemical Vapor Deposition  

    Hyeongmin Jeon ; Akimitsu Hatta ; Hidetoshi Suzuki ; Nam Jiang ; Jaihyung Won ; Toshimichi Ito ; Takatomo Sasaki ; Chongmu Lee ; Akio Hiraki
    The Korean journal of ceramics v.3 no.3 ,pp. 159 - 162 , 1997 , 1225-9381 ,

    초록

    Diamond was uniformly nucleated on large area Si(001) substrate (3 ㎝×4 ㎝) using the low pressure magnetoactive microwave plasma chemical vapor deposition. CH₄/He gas mixture was used as source gas in order to obtain high radical density in the nucleation enhancement step. CH₃ radical density was measured by means of infrared laser absorption spectroscopy. The effect of substrate bias voltage an diamond nucleation was examined. The results showed that a suitable positive bias voltage applied to the substrate with respect to the chamber could enhance diamond nucleation while a negative bias voltages leaded to deposition of only non-diamond phase carbon.

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  4. [국내논문]   Epitaxial Growth of β-SiC Thin Films on Si(100) Substrate without a Carburized Buffer Layer  

    Wook Bahng ; Hyeong Joon Kim
    The Korean journal of ceramics v.3 no.3 ,pp. 163 - 168 , 1997 , 1225-9381 ,

    초록

    Most of heteroepitaxial β-SiC thin films have been successfully grown on Si(100) adapting a carburizing process, by which a few atomic layers of substrate surface is chemically converted to very thin SiC layer using hydrocarbon gas sources. Using an organo-silicon precursor, bis-trimethylsilylmethane (BTMSM, [C 7 H 20 Si₂]), heteroepitaxial β-SiC thin films were successfully grown directly on Si substrate without a carburized buffer layer. The defect density of the β-SiC thin films deposited without a carburized layer was as low as that of β-SiC films deposited on carburized buffer layer. In addition, void density was also reduced by the formation of seif-buffer layer using BTMSM instead of carburized buffer layer. It seems to be mainly due to the characteristic bonding structure of BTMSM, in which Si-C was bonded alternately and tetrahedrally (SiC₄).

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  5. [국내논문]   Tribological Properties of Sintered Diamonds with WC-Co Matrix  

    Umeda, Kazunori ; Tanaka, Akihiro ; Takatsu, Sokichi
    The Korean journal of ceramics v.3 no.3 ,pp. 169 - 172 , 1997 , 1225-9381 ,

    초록

    Sintered diamond/(WC-Co) composites were prepared by spark plasma sintering technique. Tribological properties were measured at temperatures from RT to $500^{\circ}C$ in sliding tests with alumina ball. They show coefficient of friction of 0.1 and below at RT and wear of the diamond composites is hardly detected. Effects of diamond grit size, diamond content and test temperature on the coefficient of friction and the wear are discussed. The wear scars were analyzed.

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  6. [국내논문]   Nucleation, Growth and Properties of $sp^3$ Carbon Films Prepared by Direct $C^-$ Ion Beam Deposition  

    Kim, Seong I.
    The Korean journal of ceramics v.3 no.3 ,pp. 173 - 176 , 1997 , 1225-9381 ,

    초록

    Direct metal ion beam deposition is considered to be a whole new thin film deposition technique. Unlike other conventional thin film deposition processes, the individual deposition particles carry its own ion beam energies which are directly coupled for the formation of this films. Due to the nature of ion beams, the energies can be controlled precisely and eventually can be tuned for optimizing the process. SKION's negative C- ion beam source is used to investigate the initial nucleation mechanism and growth. Strong C- ion beam energy dependence has been observed. Complete phase control of sp3 and sp3, control of the C/SiC/Si interface layer, control of crystalline and amorphous mode growth, and optimization of the physical properties for corresponding applications can be achieved.

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  7. [국내논문]   Chemical Vapor Deposition of Silicon Carbide Thin Films Using the Single Precursor 1,3-Disilabutane  

    Lee, Kyung-Won ; Boo, Jin-Hyo ; Yu, Kyu-Sang ; Kim, Yunsoo
    The Korean journal of ceramics v.3 no.3 ,pp. 177 - 181 , 1997 , 1225-9381 ,

    초록

    Epitaxial films of cubic silicon carbide (3C-SiC, $\beta$ -SiC) have been grown on Si(001) and Si(111) substrates by high vacuum chemical vapor deposition using the single precursor 1,3-disilabutane, $H_3SiCH_2SiH_2CH_3$ , at temperatures 900~ $100^{\circ}C$ . The advantage of using the single precursor over the covnentional chemical vapor deposition is evident in that the source chemical is safe to handle, carbonization of the substrates is not necessary, accurate stoichiometry of the silicon carbide films is easily achieved, and the deposition temperature is much lowered. The films were characterized by XPS, XRD, SEM, RHEED, RBS, AES, and TED.

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  8. [국내논문]   Friction and Wear of Diamond-Like Carbon Films Produced by Plasma-Assisted CVD Technique  

    Akihiro Tanaka ; Kazunori Umeda ; Kazuyuki Mizuhara ; Myoung-Wan Ko ; Seong-Young Kim ; Seung-Yong Shin ; Sang-Hyun Lee
    The Korean journal of ceramics v.3 no.3 ,pp. 182 - 186 , 1997 , 1225-9381 ,

    초록

    Diamond-like carbon (DLC) films were deposited on silicon substreates by using an RF plasmaassisted CVD apparatus; the effects of deposition conditions such as CH₄gas pressure and substrate bias voltage on DLC film friction and wear were examined in both friction and scratch tests. In friction tests critical loads at which the friction coefficient increases abruptly depend on substrate bias voltages: critical loads deposited at a bias voltage of -100 V exceed those deposited at other bias voltages. Critical loads are correlated with DLC film hydrogen content. Critical DLC film loads in scratch tests depended considerably less than in friction tests. The friction coefficient of DLC films depends on neither substrate bias voltage nor CH₄ gas pressure.

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  9. [국내논문]   Synthesis of Cubic Boron Nitride by Al-Mg Solvents  

    Jong-Ku Park ; S. T. Park ; S. K. Singhal ; S. J. Cui ; K. Y. Eun
    The Korean journal of ceramics v.3 no.3 ,pp. 187 - 190 , 1997 , 1225-9381 ,

    초록

    The aluminum-magnesium (Al-Mg) alloys have been proved to be an effective solvent for synthesis of cubic-phase boron nitride (cBN) from hexagonal-phase boron nitride (hBN) at the conditions of high pressures and high temperatures (HP/HT). Various kinds of hBN powders having different crystallinity have been tested for cBN synthesis with Al-Mg solvents. The conversion ratio from hBN to cBN and the shape of synthesized cBN crystals appeared to be affected strongly by chemical composition and added amount of Al-Mg solvents as well as crystallinity of BN powders. As the magnesium content increased in the Al-Mg solvents, the conversion ratio increased and the size of cBN crystals became larger. The crystal facets developed well in the specimens with solvents having high Mg content. It was observed that a hBN→cBN transformation occurred more easily in the specimens having well crystallized hBN powders. Amorphous BN having much B₂O₃, impurity exhibited a low threshold temperature for transformation to cBN, which was attributed to crystallization of amorphous BN to well crystallized hBN prior to transformation into cBN with help of B₂O₃.

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  10. [국내논문]   Crystallization and In-plane Alignment Behavior of Pb(Zr, Ti)$O_3$ Films  

    Hwang, Kyu-Seog ; Kim, Byung-Hoon
    The Korean journal of ceramics v.3 no.3 ,pp. 191 - 194 , 1997 , 1225-9381 ,

    초록

    Epitaxial Pb(Zr, Ti)O3(PZT) thin films were prepared on MgO(100) substrates by dipping-pyrolysis (DP) process using metal naphthenates as starting materials, and effects of pyrolysis and final heat-treatment conditions on the film's orientation were investigated. Solid-state epitaxial growth of PZT proceeds at lower temperature around 650℃ from the precursor pyrolyzed at 350 and 500℃. The in-plane alignment of the PZT films depends not only on the final heat-treatment temperature but on the pyrolysis conditions; the films, pyrolyzed at a higher temperature for a short time, i.e., at 500℃ for 10 min, exhibited stronger orientation after the same final heat treatment at 650°∼750℃. The PZT films with the strongest orientation were prepared by pyrolysis under the above conditions followed by final heat treatment at 750℃.

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    Fig. 1 이미지

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