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Journal of semiconductor technology and science 18건

  1. [국내논문]   A 4-Channel 8-Gb/s/ch VCSEL Driver Array   SCIE

    Hong, Chaerin , Park, Sung Min
    Journal of semiconductor technology and science v.18 no.1 ,pp. 1 - 6 , 2018 , 1598-1657 ,

    초록

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  2. [국내논문]   Investigation of Wafer Warpage Induced by Multi-layer Films   SCIE

    Nam, Byung-Wook , Park, Jea-Gun
    Journal of semiconductor technology and science v.18 no.1 ,pp. 7 - 13 , 2018 , 1598-1657 ,

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  3. [국내논문]   Analysis of Memory Access Latency Considering Page Faults and TLB Misses in NVM Storage   SCIE

    Park, Yunjoo , Bahn, Hyokyung
    Journal of semiconductor technology and science v.18 no.1 ,pp. 14 - 19 , 2018 , 1598-1657 ,

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  4. [국내논문]   A Prefetching Scheme for Improving the Web Page Loading Time with NVRAM   SCIE

    Hong, Seungkyu , Kim, Kyusik , Kim, Taeseok
    Journal of semiconductor technology and science v.18 no.1 ,pp. 20 - 28 , 2018 , 1598-1657 ,

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  5. [국내논문]   A High-linearity Wideband Discrete-time Receiver for Software-defined Radio   SCIE

    Nguyen, Hoai-Nam , Dissanayake, D. M. A. N. B. , Han, Seok-Kyun , Lee, Sang-Gug
    Journal of semiconductor technology and science v.18 no.1 ,pp. 29 - 35 , 2018 , 1598-1657 ,

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  6. [국내논문]   A Broadband On-chip Power Divider up to W-band with Three-dimensional Three-coupled Lines   SCIE

    Dang, Trung-Sinh , Doan, Nhut-Tan , Kim, Byung-Sung , Kim, Nam-Yoon , Kim, Chang-Woo , Yoon, Sang-Woong
    Journal of semiconductor technology and science v.18 no.1 ,pp. 36 - 41 , 2018 , 1598-1657 ,

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  7. [국내논문]   A High-speed SerDes Transceiver for Wireless Proximity Communication   SCIE

    Kim, Jongsun , Kim, Jintae
    Journal of semiconductor technology and science v.18 no.1 ,pp. 42 - 48 , 2018 , 1598-1657 ,

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  8. [국내논문]   Design of an Inverter-based 3rd Order ∆Σ CMOS Modulator using a 1.5 bit Comparator and Analog Adder   SCIE

    Yoon, Kwang Sub , Choi, Jeong H.
    Journal of semiconductor technology and science v.18 no.1 ,pp. 49 - 56 , 2018 , 1598-1657 ,

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  9. [국내논문]   Design of an Inverter-based 3rd Order Delta Sigma CMOS Modulator using a 1.5 bit Comparator and Analog Adder  

    Yoon, Kwang Sub , Choi, Jeong H.
    Journal of semiconductor technology and science v.18 no.1 ,pp. 49 - 56 , 2018 , 1598-1657 ,

    초록

    This paper describes an inverter-based third order Delta Sigma CMOS modulator with a 1.5 bit comparator and analog adder circuit for audio signal processing on IoT. In order to minimize the power consumption of the proposed modulator, the inverters embedded into integrators and an analog adder are to operate in weak inversion region with analog and digital power supply of 0.8 V and 1.8 V, respectively. The proposed modulator is implemented in an 180 nm standard CMOS process. The core layout area of the delta-sigma modulator occupies 0.36 mm(2). The measurement results demonstrate peak SNDR of 80.7 dB, ENOB of 13.1 bit, DR of 86.1 dB, analog power dissipation of 28.8 uW, digital power dissipation of 66.6 uW, total power dissipation of 95.4 uW, FOM(walden) of 269 fJ/step, and FOM(schreier) 169.3 dB at sampling frequency of 2.56 MHz and input signal frequency of 2.5 kHz.

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  10. [국내논문]   Low-power CMOS Front-end ROIC using Inverter-feedback RGC TIA for 3-D Flash LADAR Sensor   SCIE

    Lee, Eun-Gyu , Lee, Jae-Eun , Choi, Han-Woong , Lee, Kyeong-Hyeok , Jung, Bang Chul , Kim, Choul-Young
    Journal of semiconductor technology and science v.18 no.1 ,pp. 57 - 64 , 2018 , 1598-1657 ,

    초록

    This paper describes an inverter-based third order Delta Sigma CMOS modulator with a 1.5 bit comparator and analog adder circuit for audio signal processing on IoT. In order to minimize the power consumption of the proposed modulator, the inverters embedded into integrators and an analog adder are to operate in weak inversion region with analog and digital power supply of 0.8 V and 1.8 V, respectively. The proposed modulator is implemented in an 180 nm standard CMOS process. The core layout area of the delta-sigma modulator occupies 0.36 mm(2). The measurement results demonstrate peak SNDR of 80.7 dB, ENOB of 13.1 bit, DR of 86.1 dB, analog power dissipation of 28.8 uW, digital power dissipation of 66.6 uW, total power dissipation of 95.4 uW, FOM(walden) of 269 fJ/step, and FOM(schreier) 169.3 dB at sampling frequency of 2.56 MHz and input signal frequency of 2.5 kHz.

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