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電氣學會論文誌. IEEJ Transactions on Electronics, Informa... 35건

  1. [해외논문]   EUVリソグラフィ技術  

    Nishiyama, Iwao
    電氣學會論文誌. IEEJ Transactions on Electronics, Information and Systems. C : 電子·情報·システム v.126 no.6 ,pp. 676 - 682 , 2006 , 0385-4221 ,

    초록

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  2. [해외논문]   EUVリソグラフィ技術  

    Nishiyama, Iwao
    電氣學會論文誌. IEEJ Transactions on Electronics, Information and Systems. C : 電子·情報·システム v.126 no.6 ,pp. 676 - 682 , 2006 , 0385-4221 ,

    초록

    The EUV lithography (EUVL) utilizes 13-nm photons as a light source. Because of the short wavelength, it provides a very high resolution and is applicable to the fabrication of multiple generations of semiconductor devices from 45 nm hp down to 32 and even 22 nm hp. This makes EUVL the most promising next-generation lithography, which will follow ArF immersion lithography. However, because the wavelength is so short, bringing EUVL to the level of a practical production tool involves many difficult challenges, such as the development of a high-power light source, high-precision reflective optics, low-defect multilayer masks, a high-resolution high-sensitivity resist, and so on. To overcome the technical difficulties and accelerate the development of EUVL, various projects have been launched and are currently running under the management of SEMATECH (US), NEDEA+ (Europe), and ASET and EUVA (Japan). These activities have produced great advances in EUVL technology in the past several years. A full-field exposure tool for process development (α tool) will be delivered in 2006, and an exposure tool for mass production (γ tool) will be delivered two or three years after that. This presentation gives an overview of recent progress in EUVL.

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  3. [해외논문]   電子ビームリソグラフィの精度解析  

    Kotera, Masatoshi
    電氣學會論文誌. IEEJ Transactions on Electronics, Information and Systems. C : 電子·情報·システム v.126 no.6 ,pp. 683 - 689 , 2006 , 0385-4221 ,

    초록

    The EUV lithography (EUVL) utilizes 13-nm photons as a light source. Because of the short wavelength, it provides a very high resolution and is applicable to the fabrication of multiple generations of semiconductor devices from 45 nm hp down to 32 and even 22 nm hp. This makes EUVL the most promising next-generation lithography, which will follow ArF immersion lithography. However, because the wavelength is so short, bringing EUVL to the level of a practical production tool involves many difficult challenges, such as the development of a high-power light source, high-precision reflective optics, low-defect multilayer masks, a high-resolution high-sensitivity resist, and so on. To overcome the technical difficulties and accelerate the development of EUVL, various projects have been launched and are currently running under the management of SEMATECH (US), NEDEA+ (Europe), and ASET and EUVA (Japan). These activities have produced great advances in EUVL technology in the past several years. A full-field exposure tool for process development (α tool) will be delivered in 2006, and an exposure tool for mass production (γ tool) will be delivered two or three years after that. This presentation gives an overview of recent progress in EUVL.

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  4. [해외논문]   電子ビームリソグラフィの精度解析  

    Kotera, Masatoshi
    電氣學會論文誌. IEEJ Transactions on Electronics, Information and Systems. C : 電子·情報·システム v.126 no.6 ,pp. 683 - 689 , 2006 , 0385-4221 ,

    초록

    The precision of electron beam lithography is analyzed using simulations of electron beam behavior in an electron optics, electron scattering behavior in a resist film on Si wafer, dissolution behavior of resist surface irradiated in the development process. Point spread functions because of the Coulomb repulsion of electrons in the optics, and scattering nature in the material are obtained. The placement accuracy is also determined by the analysis. This kind of simulations is so important that it should be continually improved to predict the precision of up-coming technologies in nanometer scale.

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  5. [해외논문]   ナノメートルCMOSデバイスの課題と展望  

    Natori, Kenji
    電氣學會論文誌. IEEJ Transactions on Electronics, Information and Systems. C : 電子·情報·システム v.126 no.6 ,pp. 690 - 695 , 2006 , 0385-4221 ,

    초록

    The precision of electron beam lithography is analyzed using simulations of electron beam behavior in an electron optics, electron scattering behavior in a resist film on Si wafer, dissolution behavior of resist surface irradiated in the development process. Point spread functions because of the Coulomb repulsion of electrons in the optics, and scattering nature in the material are obtained. The placement accuracy is also determined by the analysis. This kind of simulations is so important that it should be continually improved to predict the precision of up-coming technologies in nanometer scale.

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  6. [해외논문]   ナノメートルCMOSデバイスの課題と展望  

    Natori, Kenji
    電氣學會論文誌. IEEJ Transactions on Electronics, Information and Systems. C : 電子·情報·システム v.126 no.6 ,pp. 690 - 695 , 2006 , 0385-4221 ,

    초록

    Nanoscale transistors are discussed in ballistic transport regime. Mechanism of operation as well as characteristics of the ballistic MOFET are analyzed in comparison to experimental devices. Carbon nanotube FETs are introduced briefly. A limitation to CMOS circuit operation due to thermal noise is also discussed.

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  7. [해외논문]   キャパシタ内蔵基板用材料とその応用検討  

    Yamamoto, Kazunori (High Performance Materials R&D Center, Hitachi Chemical Co., Ltd. ) , Shimada, Yasushi (Electronics Materials R&D Center, Hitachi Chemical Co., Ltd. ) , Shimayama, Yuuichi (Electronics Materials R&D Center, Hitachi Chemical Co., Ltd. ) , Hirata, Yoshitaka (Electronics Materials R&D Center, Hitachi Chemical Co., Ltd. ) , Kumashiro, Yasushi (Electronics Materials R&D Center, Hitachi Chemical Co., Ltd.)
    電氣學會論文誌. IEEJ Transactions on Electronics, Information and Systems. C : 電子·情報·システム v.126 no.6 ,pp. 696 - 701 , 2006 , 0385-4221 ,

    초록

    Nanoscale transistors are discussed in ballistic transport regime. Mechanism of operation as well as characteristics of the ballistic MOFET are analyzed in comparison to experimental devices. Carbon nanotube FETs are introduced briefly. A limitation to CMOS circuit operation due to thermal noise is also discussed.

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  8. [해외논문]   キャパシタ内蔵基板用材料とその応用検討  

    Yamamoto, Kazunori , Shimada, Yasushi , Shimayama, Yuuichi , Hirata, Yoshitaka , Kumashiro, Yasushi
    電氣學會論文誌. IEEJ Transactions on Electronics, Information and Systems. C : 電子·情報·システム v.126 no.6 ,pp. 696 - 701 , 2006 , 0385-4221 ,

    초록

    We have developed a new resin-coated-foil(RCF) material named MCF-HD-45 to be embedded in PWBs to constitute capacitors. The material is composed of a thermosetting resin and a high dielectric constant(Dk) filler. The filler has a multimodal size distribution to attain high loading; a specific surfactant is also essential to preserve the stability of filler dispersion in varnish. These technologies warrant MCF-HD-45 a high Dk of 45 and excellent reliability. This paper describes the test results of MCF-HD-45 applied to a power amplifier module, a low pass filter of cellular phones, and a decoupling capacitor for noise suppression, as well as the benefit of the database for high frequency circuit simulation.

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  9. [해외논문]   縦型ダブルゲートMOSFETデバイス技術  

    Masahara, Meishoku , Liu, Yongxun , Endo, Kazuhiko , Matsukawa, Takashi , Suzuki, Eiichi
    電氣學會論文誌. IEEJ Transactions on Electronics, Information and Systems. C : 電子·情報·システム v.126 no.6 ,pp. 702 - 707 , 2006 , 0385-4221 ,

    초록

    We have developed a new resin-coated-foil(RCF) material named MCF-HD-45 to be embedded in PWBs to constitute capacitors. The material is composed of a thermosetting resin and a high dielectric constant(Dk) filler. The filler has a multimodal size distribution to attain high loading; a specific surfactant is also essential to preserve the stability of filler dispersion in varnish. These technologies warrant MCF-HD-45 a high Dk of 45 and excellent reliability. This paper describes the test results of MCF-HD-45 applied to a power amplifier module, a low pass filter of cellular phones, and a decoupling capacitor for noise suppression, as well as the benefit of the database for high frequency circuit simulation.

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  10. [해외논문]   縦型ダブルゲートMOSFETデバイス技術  

    Masahara, Meishoku , Liu, Yongxun , Endo, Kazuhiko , Matsukawa, Takashi , Suzuki, Eiichi
    電氣學會論文誌. IEEJ Transactions on Electronics, Information and Systems. C : 電子·情報·システム v.126 no.6 ,pp. 702 - 707 , 2006 , 0385-4221 ,

    초록

    The Silicon device technology is facing to several difficulties. Especially, explosion of power consumption due to short channel effects (SCEs) becomes the biggest issue in further device scaling down. Fortunately, double-gate (DG) MOSFETs have promising potential to overcome this obstacle. The DG-MOSFET is recognized to be the most scalable MOSFET for its high SCEs immunity. In addition, independent DG-MOSFET (4T-DG-MOSFET) has great advantage to enable the threshold voltage control for the flexible power management. Through this work, we have realized ideal DG-MOSFETs using newly-developed vertical DG-MOSFET device technology. This article presents the effectiveness of the vertical DG-MOSFETs in future high-performance and ultra-low-power CMOS circuits.

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