본문 바로가기
HOME> 저널/프로시딩 > 저널/프로시딩 검색상세

저널/프로시딩 상세정보

권호별목차 / 소장처보기

H : 소장처정보

T : 목차정보

電氣學會論文誌. IEEJ Transactions on Electronics, Informa... 18건

  1. [해외논문]   EUVリソグラフィ技術  

    Nishiyama, Iwao
    電氣學會論文誌. IEEJ Transactions on Electronics, Information and Systems. C : 電子·情報·システム v.126 no.6 ,pp. 676 - 682 , 2006 , 0385-4221 ,

    초록

    The EUV lithography (EUVL) utilizes 13-nm photons as a light source. Because of the short wavelength, it provides a very high resolution and is applicable to the fabrication of multiple generations of semiconductor devices from 45 nm hp down to 32 and even 22 nm hp. This makes EUVL the most promising next-generation lithography, which will follow ArF immersion lithography. However, because the wavelength is so short, bringing EUVL to the level of a practical production tool involves many difficult challenges, such as the development of a high-power light source, high-precision reflective optics, low-defect multilayer masks, a high-resolution high-sensitivity resist, and so on. To overcome the technical difficulties and accelerate the development of EUVL, various projects have been launched and are currently running under the management of SEMATECH (US), NEDEA+ (Europe), and ASET and EUVA (Japan). These activities have produced great advances in EUVL technology in the past several years. A full-field exposure tool for process development (α tool) will be delivered in 2006, and an exposure tool for mass production (γ tool) will be delivered two or three years after that. This presentation gives an overview of recent progress in EUVL.

    원문보기

    원문보기
    무료다운로드 유료다운로드

    회원님의 원문열람 권한에 따라 열람이 불가능 할 수 있으며 권한이 없는 경우 해당 사이트의 정책에 따라 회원가입 및 유료구매가 필요할 수 있습니다.이동하는 사이트에서의 모든 정보이용은 NDSL과 무관합니다.

    NDSL에서는 해당 원문을 복사서비스하고 있습니다. 아래의 원문복사신청 또는 장바구니담기를 통하여 원문복사서비스 이용이 가능합니다.

    이미지

    Fig. 1 이미지
  2. [해외논문]   電子ビームリソグラフィの精度解析  

    Kotera, Masatoshi
    電氣學會論文誌. IEEJ Transactions on Electronics, Information and Systems. C : 電子·情報·システム v.126 no.6 ,pp. 683 - 689 , 2006 , 0385-4221 ,

    초록

    The precision of electron beam lithography is analyzed using simulations of electron beam behavior in an electron optics, electron scattering behavior in a resist film on Si wafer, dissolution behavior of resist surface irradiated in the development process. Point spread functions because of the Coulomb repulsion of electrons in the optics, and scattering nature in the material are obtained. The placement accuracy is also determined by the analysis. This kind of simulations is so important that it should be continually improved to predict the precision of up-coming technologies in nanometer scale.

    원문보기

    원문보기
    무료다운로드 유료다운로드

    회원님의 원문열람 권한에 따라 열람이 불가능 할 수 있으며 권한이 없는 경우 해당 사이트의 정책에 따라 회원가입 및 유료구매가 필요할 수 있습니다.이동하는 사이트에서의 모든 정보이용은 NDSL과 무관합니다.

    NDSL에서는 해당 원문을 복사서비스하고 있습니다. 아래의 원문복사신청 또는 장바구니담기를 통하여 원문복사서비스 이용이 가능합니다.

    이미지

    Fig. 1 이미지
  3. [해외논문]   ナノメートルCMOSデバイスの課題と展望  

    Natori, Kenji
    電氣學會論文誌. IEEJ Transactions on Electronics, Information and Systems. C : 電子·情報·システム v.126 no.6 ,pp. 690 - 695 , 2006 , 0385-4221 ,

    초록

    Nanoscale transistors are discussed in ballistic transport regime. Mechanism of operation as well as characteristics of the ballistic MOFET are analyzed in comparison to experimental devices. Carbon nanotube FETs are introduced briefly. A limitation to CMOS circuit operation due to thermal noise is also discussed.

    원문보기

    원문보기
    무료다운로드 유료다운로드

    회원님의 원문열람 권한에 따라 열람이 불가능 할 수 있으며 권한이 없는 경우 해당 사이트의 정책에 따라 회원가입 및 유료구매가 필요할 수 있습니다.이동하는 사이트에서의 모든 정보이용은 NDSL과 무관합니다.

    NDSL에서는 해당 원문을 복사서비스하고 있습니다. 아래의 원문복사신청 또는 장바구니담기를 통하여 원문복사서비스 이용이 가능합니다.

    이미지

    Fig. 1 이미지
  4. [해외논문]   キャパシタ内蔵基板用材料とその応用検討  

    Yamamoto, Kazunori , Shimada, Yasushi , Shimayama, Yuuichi , Hirata, Yoshitaka , Kumashiro, Yasushi
    電氣學會論文誌. IEEJ Transactions on Electronics, Information and Systems. C : 電子·情報·システム v.126 no.6 ,pp. 696 - 701 , 2006 , 0385-4221 ,

    초록

    We have developed a new resin-coated-foil(RCF) material named MCF-HD-45 to be embedded in PWBs to constitute capacitors. The material is composed of a thermosetting resin and a high dielectric constant(Dk) filler. The filler has a multimodal size distribution to attain high loading; a specific surfactant is also essential to preserve the stability of filler dispersion in varnish. These technologies warrant MCF-HD-45 a high Dk of 45 and excellent reliability. This paper describes the test results of MCF-HD-45 applied to a power amplifier module, a low pass filter of cellular phones, and a decoupling capacitor for noise suppression, as well as the benefit of the database for high frequency circuit simulation.

    원문보기

    원문보기
    무료다운로드 유료다운로드

    회원님의 원문열람 권한에 따라 열람이 불가능 할 수 있으며 권한이 없는 경우 해당 사이트의 정책에 따라 회원가입 및 유료구매가 필요할 수 있습니다.이동하는 사이트에서의 모든 정보이용은 NDSL과 무관합니다.

    NDSL에서는 해당 원문을 복사서비스하고 있습니다. 아래의 원문복사신청 또는 장바구니담기를 통하여 원문복사서비스 이용이 가능합니다.

    이미지

    Fig. 1 이미지
  5. [해외논문]   縦型ダブルゲートMOSFETデバイス技術  

    Masahara, Meishoku , Liu, Yongxun , Endo, Kazuhiko , Matsukawa, Takashi , Suzuki, Eiichi
    電氣學會論文誌. IEEJ Transactions on Electronics, Information and Systems. C : 電子·情報·システム v.126 no.6 ,pp. 702 - 707 , 2006 , 0385-4221 ,

    초록

    The Silicon device technology is facing to several difficulties. Especially, explosion of power consumption due to short channel effects (SCEs) becomes the biggest issue in further device scaling down. Fortunately, double-gate (DG) MOSFETs have promising potential to overcome this obstacle. The DG-MOSFET is recognized to be the most scalable MOSFET for its high SCEs immunity. In addition, independent DG-MOSFET (4T-DG-MOSFET) has great advantage to enable the threshold voltage control for the flexible power management. Through this work, we have realized ideal DG-MOSFETs using newly-developed vertical DG-MOSFET device technology. This article presents the effectiveness of the vertical DG-MOSFETs in future high-performance and ultra-low-power CMOS circuits.

    원문보기

    원문보기
    무료다운로드 유료다운로드

    회원님의 원문열람 권한에 따라 열람이 불가능 할 수 있으며 권한이 없는 경우 해당 사이트의 정책에 따라 회원가입 및 유료구매가 필요할 수 있습니다.이동하는 사이트에서의 모든 정보이용은 NDSL과 무관합니다.

    NDSL에서는 해당 원문을 복사서비스하고 있습니다. 아래의 원문복사신청 또는 장바구니담기를 통하여 원문복사서비스 이용이 가능합니다.

    이미지

    Fig. 1 이미지
  6. [해외논문]   ブランケットSiGeCエピタキシャル成長を用いたHBTの真性及び外部ベースのプロセス設計  

    Kiyota, Yukihiro , Yamagata, Hideo
    電氣學會論文誌. IEEJ Transactions on Electronics, Information and Systems. C : 電子·情報·システム v.126 no.6 ,pp. 708 - 713 , 2006 , 0385-4221 ,

    초록

    The profile design methodology of a blanket SiGeC epitaxial layer for hetero junction bipolar transistor (HBT) is presented. Two important factors, Ge profile and Si cap are designed to minimize the carrier transit time in the intrinsic base region. Concurrently, a BF 2 ion implantation and a cobalt silicide process for the extrinsic base were optimized to accommodate the Si cap thickness without relaxing a strain in SiGe layers caused by a reaction between Ge and Co. This design resulted in HBTs with 94-GHz cut-off frequency (f T ), 81-GHz maximum oscillation frequency (f max ), and 0.45 dB minimum noise figure at 2 GHz, which could be utilized for consumer electronics products operating within a 2-5 GHz frequency range. The HBT was successfully implemented into 0.25-μm CMOS process with various kinds of passive devices to produce LSIs for consumer wireless electronics.

    원문보기

    원문보기
    무료다운로드 유료다운로드

    회원님의 원문열람 권한에 따라 열람이 불가능 할 수 있으며 권한이 없는 경우 해당 사이트의 정책에 따라 회원가입 및 유료구매가 필요할 수 있습니다.이동하는 사이트에서의 모든 정보이용은 NDSL과 무관합니다.

    NDSL에서는 해당 원문을 복사서비스하고 있습니다. 아래의 원문복사신청 또는 장바구니담기를 통하여 원문복사서비스 이용이 가능합니다.

    이미지

    Fig. 1 이미지
  7. [해외논문]   固体電解質ナノスイッチ  

    Sakamoto, Toshitsugu , Kaeriyama, Shunichi , Mizuno, Masayuki , Kawaura, Hisao , Hasegawa, Tsuyoshi , Terabe, Kazuya , Aono, Masakazu
    電氣學會論文誌. IEEJ Transactions on Electronics, Information and Systems. C : 電子·情報·システム v.126 no.6 ,pp. 714 - 719 , 2006 , 0385-4221 ,

    초록

    We have investigated solid-electrolyte switches that utilize electrochemical reactions (deposition and dissolution) of metallic ions. The switch turns off or on when a metallic bridge electrochemically forms or dissolves in the solid electrolyte. Each state is nonvolatile and the switching is repeatable up to 10 5 cycles. The promising application is a programmable switch in a field programmable logic because of its small size (

    원문보기

    원문보기
    무료다운로드 유료다운로드

    회원님의 원문열람 권한에 따라 열람이 불가능 할 수 있으며 권한이 없는 경우 해당 사이트의 정책에 따라 회원가입 및 유료구매가 필요할 수 있습니다.이동하는 사이트에서의 모든 정보이용은 NDSL과 무관합니다.

    NDSL에서는 해당 원문을 복사서비스하고 있습니다. 아래의 원문복사신청 또는 장바구니담기를 통하여 원문복사서비스 이용이 가능합니다.

    이미지

    Fig. 1 이미지
  8. [해외논문]   カーボンナノチューブの抵抗評価と合成  

    Nihey, Fumiyuki , Hongo, Hiroo , Ishida, Masahiko , Hiura, Hidefumi , Ochiai, Yukinori
    電氣學會論文誌. IEEJ Transactions on Electronics, Information and Systems. C : 電子·情報·システム v.126 no.6 ,pp. 720 - 724 , 2006 , 0385-4221 ,

    초록

    We have investigated electronic transport in single-wall carbon nanotubes attached to multiple electrodes. Resistance measurement using a pair of electrodes with different gaps enabled separate evaluation of nanotube resistivity and contact resistance. We found that the resistivity depends on nanotube diameter. Electrodes with gold or palladium exhibit similar contact resistance with an order of 10kΩ. Contact resistance is insensitive to back gate voltage, contrary to the Schottky-barrier transistor model. We also demonstrated the top-down control of diameter and position of Fe catalysts by means of “lithographically anchored nanoparticle synthesis (LANS)” for nanotube growth. Chemical vapor deposition by using these patterned particles successfully produced single-wall carbon nanotubes.

    원문보기

    원문보기
    무료다운로드 유료다운로드

    회원님의 원문열람 권한에 따라 열람이 불가능 할 수 있으며 권한이 없는 경우 해당 사이트의 정책에 따라 회원가입 및 유료구매가 필요할 수 있습니다.이동하는 사이트에서의 모든 정보이용은 NDSL과 무관합니다.

    NDSL에서는 해당 원문을 복사서비스하고 있습니다. 아래의 원문복사신청 또는 장바구니담기를 통하여 원문복사서비스 이용이 가능합니다.

    이미지

    Fig. 1 이미지
  9. [해외논문]   極低消費電力CMOS/SOI回路技術  

    Kado, Yuichi , Douseki, Takakuni , Matsuya, Yasuyuki , Tsukahara, Tsuneo
    電氣學會論文誌. IEEJ Transactions on Electronics, Information and Systems. C : 電子·情報·システム v.126 no.6 ,pp. 725 - 729 , 2006 , 0385-4221 ,

    초록

    We have introduced an example of a system that embodies the concept of a ubiquitous communication service and explained the importance of low power consumption in the communicator that will serve as the bridge between the real world and the network for real-time services in which sensor data is acquired every second. An effective solution to the problem of high energy efficiency is to employ the synergy of combining low-voltage analog circuit technology and FD-SOI devices. Taking advantage of that synergy to reduce the power consumption of the communicator during operation to about 10 mW and employing intermittent operation with an activity rate of less than 1% would make it possible to support operation for one year or more with a commercial coin-type lithium battery.

    원문보기

    원문보기
    무료다운로드 유료다운로드

    회원님의 원문열람 권한에 따라 열람이 불가능 할 수 있으며 권한이 없는 경우 해당 사이트의 정책에 따라 회원가입 및 유료구매가 필요할 수 있습니다.이동하는 사이트에서의 모든 정보이용은 NDSL과 무관합니다.

    NDSL에서는 해당 원문을 복사서비스하고 있습니다. 아래의 원문복사신청 또는 장바구니담기를 통하여 원문복사서비스 이용이 가능합니다.

    이미지

    Fig. 1 이미지
  10. [해외논문]   微細加工技術による細胞電気生理計測デバイスの開発  

    Akagi, Takanori , Minamino, Atsushi , Ichiki, Takanori
    電氣學會論文誌. IEEJ Transactions on Electronics, Information and Systems. C : 電子·情報·システム v.126 no.6 ,pp. 730 - 735 , 2006 , 0385-4221 ,

    초록

    Electrical characteristics of biological cells are important indices for obtaining information about the state and function of a cell. In this paper, we report the development of microdevices for physioelectirical measurement of cells by applying nano/microfabrication technologies. These devices enable the highly precise measurement of cell membrane potential and zeta potential of individual cells in a minimally invasive manner. Such a fusion of the microdevice technologies and biotechnologies is expected to provide powerful diagnostic tools for future cell study and cell therapy.

    원문보기

    원문보기
    무료다운로드 유료다운로드

    회원님의 원문열람 권한에 따라 열람이 불가능 할 수 있으며 권한이 없는 경우 해당 사이트의 정책에 따라 회원가입 및 유료구매가 필요할 수 있습니다.이동하는 사이트에서의 모든 정보이용은 NDSL과 무관합니다.

    NDSL에서는 해당 원문을 복사서비스하고 있습니다. 아래의 원문복사신청 또는 장바구니담기를 통하여 원문복사서비스 이용이 가능합니다.

    이미지

    Fig. 1 이미지

논문관련 이미지