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電氣學會論文誌. IEEJ Transactions on Electronics, Informa... 18건

  1. [해외논문]   Enterprise Transformation — Implications for Enterprise Information Systems  

    Rouse, William B. (College of Computing and School of Industrial and Systems Engineering at Georgia Institute of Technology)
    電氣學會論文誌. IEEJ Transactions on Electronics, Information and Systems. C : 電子·情報·システム v.126 no.9 ,pp. 1069 - 1072 , 2006 , 0385-4221 ,

    초록

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    Fig. 1 이미지
  2. [해외논문]   Ni触媒誘起固相成長法を用いた次世代TFT用多結晶Si1-xGex(0≦x≦1)薄膜の低温形成  

    Kanno, Hiroshi , Kenjo, Atsushi , Sadoh, Taizoh , Miyao, Masanobu
    電氣學會論文誌. IEEJ Transactions on Electronics, Information and Systems. C : 電子·情報·システム v.126 no.9 ,pp. 1073 - 1078 , 2006 , 0385-4221 ,

    초록

    Development of new semiconductors with high carrier mobility is strongly needed to realize future system-in-displays. To achieve this, we have been investigating low-temperature crystallization of a-Si 1-x Ge x (0≤x≤1) on insulating films. Present paper focuses our recent progress of the Ni-induced lateral crystallization of a-Si 1-x Ge x (0≤x≤1). Effects of the Ge fraction and the electric field on the growth characteristics are discussed.

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  3. [해외논문]   BドープSiGe選択CVD成長により形成された極浅ソース·ドレインと高Ge比率歪SiGeヘテロチャネルを有する高性能pMOSFET  

    Takehiro, Shinobu , Sakuraba, Masao , Murota, Junichi , Tsuchiya, Toshiaki
    電氣學會論文誌. IEEJ Transactions on Electronics, Information and Systems. C : 電子·情報·システム v.126 no.9 ,pp. 1079 - 1082 , 2006 , 0385-4221 ,

    초록

    The improvement of current drivability and short channel effect is very important for ultrasmall MOS devices technology. SiGe-channel pMOSFETs are one of the most promising devices because hole mobility in the SiGe layers is enhanced. In the previous work, it has been reported that S uper s elf-aligned s hallow junction e lectrode (S 3 E) MOSFETs formed by selective B-doped SiGe CVD are effective for the suppression of short channel effect. In this paper, it is clarified that the (S 3 E) pMOSFETs with Si 0.65 Ge 0.35 -channel are realized not only with suppression of punch through due to the ultrashallow B-diffused source/drain but also with enhancement of maximum linear transconductance due to the low parasitic resistance, compared to that with the Si-channel fabricated by the same process conditions.

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  4. [해외논문]   SOI基板上歪緩和SiGeバッファ層の転位構造とモザイシティ  

    Sakai, Akira , Taoka, Noriyuki , Nakatsuka, Osamu , Ogawa, Masaki , Zaima, Shigeaki
    電氣學會論文誌. IEEJ Transactions on Electronics, Information and Systems. C : 電子·情報·システム v.126 no.9 ,pp. 1083 - 1087 , 2006 , 0385-4221 ,

    초록

    We have grown thin strain-relaxed SiGe buffer layers on silicon-on-insulator (SOI) substrates with pure-edge dislocation network at the SiGe/SOI interface. Dislocation morphology and crystalline mosaicity of the SiGe layers have been analyzed by X-ray diffraction two-dimensional reciprocal space mapping and transmission electron microscopy. It was found that dislocation propagation at the SiGe/SOI interface and resultant crystalline mosaicity of the SiGe layer are critically dependent on the thickness of SOI layer. Image force exerted on the dislocations accounts for this SOI thickness dependence.

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  5. [해외논문]   4層バッファを用いた高電流密度電子トンネル型SiGe RTD  

    Maekawa, Hirotaka , Sano, Yoshihiro , Ueno, Chihiro , Suda, Yoshiyuki
    電氣學會論文誌. IEEJ Transactions on Electronics, Information and Systems. C : 電子·情報·システム v.126 no.9 ,pp. 1088 - 1092 , 2006 , 0385-4221 ,

    초록

    We have proposed a strain-relaxed quadruple-layer buffer on the basis of our previously proposed thin double- and triple-layer formation mechanisms. With the quadruple-layer buffer, we have demonstrated that misfit dislocations are mainly generated and distributed in the two lower interfaces and the third and fourth layers drive the dislocation generation and prevent the dislocations from propagating to the surface. A resonant tunneling diode fabricated with the quadruple-layer buffer exhibits both a high current density and a high peak-to-valley current ratio.

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  6. [해외논문]   ソフトウェア無線受信機用0.8-5.2GHz帯広帯域SiGe-MMIC直交ミクサ  

    Murakami, Keishi , Suematsu, Noriharu , Tsutsumi, Koji , Kanazawa, Gakushi , Sekine, Tomotsugu , Kubo, Hiroshi , Isota, Yoji
    電氣學會論文誌. IEEJ Transactions on Electronics, Information and Systems. C : 電子·情報·システム v.126 no.9 ,pp. 1093 - 1100 , 2006 , 0385-4221 ,

    초록

    For the next generation wireless terminals used in the software defined radio (SDR), multi-band / multi-mode transceivers and their MMIC are required which cover the wide RF frequency range from several hundreds MHz up to several GHz. In this paper, 0.8-5.2GHz broad-band SiGe-MMIC quadrature mixer (Q-MIX) for multi-band / multi-mode direct conversion receiver has been developed. By using a static type frequency divider as a 90 degrees local (LO) power divider, measured error vector magnitude (EVM) of less than 3.1% can be achieved in the cases of 0.8/2.1GHz W-CDMA and 5.2GHz wireless Local Area Network (LAN) (IEEE 802.11a) reception. This Q-MIX also shows broad-band characteristic for base-band signal and is applicable for 4G cellular. By using fabricated Q-MIX, a multi-band / multi-mode (1.9GHz (3 rd generation cellular (W-CDMA)) / 5.2GHz (4 th generation cellular (Multi-Carrier (MC)-CDMA))) receiver has been developed and it has firstly demonstrated the successful reception of motion picture via W-CDMA and MC-CDMA.

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  7. [해외논문]   SiGe/SiヘテロMOSFETにおけるホットキャリアによるヘテロ界面準位の発生  

    Tsuchiya, Toshiaki , Sakuraba, Masao , Murota, Junich
    電氣學會論文誌. IEEJ Transactions on Electronics, Information and Systems. C : 電子·情報·システム v.126 no.9 ,pp. 1101 - 1106 , 2006 , 0385-4221 ,

    초록

    It is reported for the first time that hot-carrier-induced degradation occurs in a SiGe/Si heterostructure introduced into the channel region of SiGe/Si-hetero-MOSFETs, using a newly established elaborate low-temperature charge pumping (LTCP) technique. Moreover, the hetero-interface trap density generated and the width of the degraded region are estimated from the LTCP characteristics. These results will enable new levels of improvement to the performance and reliability of strained-Si and SiGe devices.

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  8. [해외논문]   TPTPTとNTCDA共蒸着膜を用いた発光型有機電界効果トランジスタにおける2極性特性  

    Uchiuzou, Hiroyuki , Oyamada, Takahito , Sasabe, Hiroyuki , Adachi, Chihaya
    電氣學會論文誌. IEEJ Transactions on Electronics, Information and Systems. C : 電子·情報·システム v.126 no.9 ,pp. 1107 - 1111 , 2006 , 0385-4221 ,

    초록

    We fabricated an organic light-emitting field effect transistors (OLEFET) using a co-deposited layer of TPTPT and NTCDA which has p-type and n-type semiconducting behaviors, respectively. The organic layer was formed on a comb type electrode (source-drain electrodes) with a channel length of 25μm on a p-Si/SiO 2 substrate. Bipolar and EL characteristics were investigated by changing co-deposition ratio of TPTPT and NTCDA. In the optimum deposition ratio, we observed typical ambipolar characteristics, demonstrating saturation current characteristics at low V d (source-drain voltage), followed by divergent current characteristics at high V d .

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  9. [해외논문]   可変切換超平面をもつスライディングモードサーボ制御系によるリニアモータの位置決め制御  

    Uchida, Masaki , Yabumi, Takao , Morita, Yoshifumi , Kando, Hisashi
    電氣學會論文誌. IEEJ Transactions on Electronics, Information and Systems. C : 電子·情報·システム v.126 no.9 ,pp. 1112 - 1118 , 2006 , 0385-4221 ,

    초록

    In this paper we propose a new positioning control method for the compact linear motor developed for EMV(ElectroMagnetic engine Valve). This motor has a nonlinear property due to the detent force and the friction. We design a positioning controller using sliding mode servo control with variable switching hyperplane in order to realize the robust property against the nonlinear property and the high speed positioning. The effectiveness of the proposed controller is confirmed by some experiments.

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  10. [해외논문]   Integrated Native-Ethernet Optical Ring Networks for Scalable Customer-Owned Application  

    Fujimoto, Satoru (The authors are with Graduate School of Engineering, Osaka Prefecture University ) , Sakamoto, Taiji (The authors are with Graduate School of Engineering, Osaka Prefecture University ) , Koyama, Osanori (The authors are with Graduate School of Engineering, Osaka Prefecture University ) , Katsuyama, Yutaka (The authors are with Graduate School of Engineering, Osaka Prefecture University)
    電氣學會論文誌. IEEJ Transactions on Electronics, Information and Systems. C : 電子·情報·システム v.126 no.9 ,pp. 1119 - 1126 , 2006 , 0385-4221 ,

    초록

    We have proposed and examined one-by-one (O-O) and point-to-point (P2P) link integration scheme over native-Ethernet optical ring networks for scalable customer-owned metropolican area network application (CO-MAN). The 2-link integration enables us to construct economical networks, which was clarified by smaller number of optical transceivers required to provide IP services. The experiments clarified that the integration of the O-O and P2P links was successfully made through 35 km long fiber ring. The failure restoraion function was also confirmed to work properly, when the service ring failure occurred. All the packet transmissions were made on the native-Ethernet base, which allows the network administrators of the CO-MAN to manage the network in the same way as in the commonly-used LANs.

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