본문 바로가기
HOME> 저널/프로시딩 > 저널/프로시딩 검색상세

저널/프로시딩 상세정보

권호별목차 / 소장처보기

H : 소장처정보

T : 목차정보

電氣學會論文誌. IEEJ Transactions on Electronics, Informa... 32건

  1. [해외논문]   Enterprise Transformation — Implications for Enterprise Information Systems  

    Rouse, William B. (College of Computing and School of Industrial and Systems Engineering at Georgia Institute of Technology)
    電氣學會論文誌. IEEJ Transactions on Electronics, Information and Systems. C : 電子·情報·システム v.126 no.9 ,pp. 1069 - 1072 , 2006 , 0385-4221 ,

    초록

    원문보기

    원문보기
    무료다운로드 유료다운로드

    회원님의 원문열람 권한에 따라 열람이 불가능 할 수 있으며 권한이 없는 경우 해당 사이트의 정책에 따라 회원가입 및 유료구매가 필요할 수 있습니다.이동하는 사이트에서의 모든 정보이용은 NDSL과 무관합니다.

    NDSL에서는 해당 원문을 복사서비스하고 있습니다. 아래의 원문복사신청 또는 장바구니담기를 통하여 원문복사서비스 이용이 가능합니다.

    이미지

    Fig. 1 이미지
  2. [해외논문]   Ni触媒誘起固相成長法を用いた次世代TFT用多結晶Si1-xGex(0≦x≦1)薄膜の低温形成  

    Kanno, Hiroshi , Kenjo, Atsushi , Sadoh, Taizoh , Miyao, Masanobu
    電氣學會論文誌. IEEJ Transactions on Electronics, Information and Systems. C : 電子·情報·システム v.126 no.9 ,pp. 1073 - 1078 , 2006 , 0385-4221 ,

    초록

    Development of new semiconductors with high carrier mobility is strongly needed to realize future system-in-displays. To achieve this, we have been investigating low-temperature crystallization of a-Si 1-x Ge x (0≤x≤1) on insulating films. Present paper focuses our recent progress of the Ni-induced lateral crystallization of a-Si 1-x Ge x (0≤x≤1). Effects of the Ge fraction and the electric field on the growth characteristics are discussed.

    원문보기

    원문보기
    무료다운로드 유료다운로드

    회원님의 원문열람 권한에 따라 열람이 불가능 할 수 있으며 권한이 없는 경우 해당 사이트의 정책에 따라 회원가입 및 유료구매가 필요할 수 있습니다.이동하는 사이트에서의 모든 정보이용은 NDSL과 무관합니다.

    NDSL에서는 해당 원문을 복사서비스하고 있습니다. 아래의 원문복사신청 또는 장바구니담기를 통하여 원문복사서비스 이용이 가능합니다.

    이미지

    Fig. 1 이미지
  3. [해외논문]   Ni触媒誘起固相成長法を用いた次世代TFT用多結晶Si1-xGex(0≦x≦1)薄膜の低温形成  

    Kanno, Hiroshi (Department of Electronics, Kyushu University ) , Kenjo, Atsushi (Department of Electronics, Kyushu University ) , Sadoh, Taizoh (Department of Electronics, Kyushu University ) , Miyao, Masanobu (Department of Electronics, Kyushu University)
    電氣學會論文誌. IEEJ Transactions on Electronics, Information and Systems. C : 電子·情報·システム v.126 no.9 ,pp. 1073 - 1078 , 2006 , 0385-4221 ,

    초록

    Development of new semiconductors with high carrier mobility is strongly needed to realize future system-in-displays. To achieve this, we have been investigating low-temperature crystallization of a-Si 1-x Ge x (0≤x≤1) on insulating films. Present paper focuses our recent progress of the Ni-induced lateral crystallization of a-Si 1-x Ge x (0≤x≤1). Effects of the Ge fraction and the electric field on the growth characteristics are discussed.

    원문보기

    원문보기
    무료다운로드 유료다운로드

    회원님의 원문열람 권한에 따라 열람이 불가능 할 수 있으며 권한이 없는 경우 해당 사이트의 정책에 따라 회원가입 및 유료구매가 필요할 수 있습니다.이동하는 사이트에서의 모든 정보이용은 NDSL과 무관합니다.

    NDSL에서는 해당 원문을 복사서비스하고 있습니다. 아래의 원문복사신청 또는 장바구니담기를 통하여 원문복사서비스 이용이 가능합니다.

    이미지

    Fig. 1 이미지
  4. [해외논문]   BドープSiGe選択CVD成長により形成された極浅ソース·ドレインと高Ge比率歪SiGeヘテロチャネルを有する高性能pMOSFET  

    Takehiro, Shinobu , Sakuraba, Masao , Murota, Junichi , Tsuchiya, Toshiaki
    電氣學會論文誌. IEEJ Transactions on Electronics, Information and Systems. C : 電子·情報·システム v.126 no.9 ,pp. 1079 - 1082 , 2006 , 0385-4221 ,

    초록

    The improvement of current drivability and short channel effect is very important for ultrasmall MOS devices technology. SiGe-channel pMOSFETs are one of the most promising devices because hole mobility in the SiGe layers is enhanced. In the previous work, it has been reported that S uper s elf-aligned s hallow junction e lectrode (S 3 E) MOSFETs formed by selective B-doped SiGe CVD are effective for the suppression of short channel effect. In this paper, it is clarified that the (S 3 E) pMOSFETs with Si 0.65 Ge 0.35 -channel are realized not only with suppression of punch through due to the ultrashallow B-diffused source/drain but also with enhancement of maximum linear transconductance due to the low parasitic resistance, compared to that with the Si-channel fabricated by the same process conditions.

    원문보기

    원문보기
    무료다운로드 유료다운로드

    회원님의 원문열람 권한에 따라 열람이 불가능 할 수 있으며 권한이 없는 경우 해당 사이트의 정책에 따라 회원가입 및 유료구매가 필요할 수 있습니다.이동하는 사이트에서의 모든 정보이용은 NDSL과 무관합니다.

    NDSL에서는 해당 원문을 복사서비스하고 있습니다. 아래의 원문복사신청 또는 장바구니담기를 통하여 원문복사서비스 이용이 가능합니다.

    이미지

    Fig. 1 이미지
  5. [해외논문]   BドープSiGe選択CVD成長により形成された極浅ソース・ドレインと高Ge比率歪SiGeヘテロチャネルを有する高性能pMOSFET  

    Takehiro, Shinobu , Sakuraba, Masao , Murota, Junichi , Tsuchiya, Toshiaki
    電氣學會論文誌. IEEJ Transactions on Electronics, Information and Systems. C : 電子·情報·システム v.126 no.9 ,pp. 1079 - 1082 , 2006 , 0385-4221 ,

    초록

    The improvement of current drivability and short channel effect is very important for ultrasmall MOS devices technology. SiGe-channel pMOSFETs are one of the most promising devices because hole mobility in the SiGe layers is enhanced. In the previous work, it has been reported that S uper s elf-aligned s hallow junction e lectrode (S 3 E) MOSFETs formed by selective B-doped SiGe CVD are effective for the suppression of short channel effect. In this paper, it is clarified that the (S 3 E) pMOSFETs with Si 0.65 Ge 0.35 -channel are realized not only with suppression of punch through due to the ultrashallow B-diffused source/drain but also with enhancement of maximum linear transconductance due to the low parasitic resistance, compared to that with the Si-channel fabricated by the same process conditions.

    원문보기

    원문보기
    무료다운로드 유료다운로드

    회원님의 원문열람 권한에 따라 열람이 불가능 할 수 있으며 권한이 없는 경우 해당 사이트의 정책에 따라 회원가입 및 유료구매가 필요할 수 있습니다.이동하는 사이트에서의 모든 정보이용은 NDSL과 무관합니다.

    NDSL에서는 해당 원문을 복사서비스하고 있습니다. 아래의 원문복사신청 또는 장바구니담기를 통하여 원문복사서비스 이용이 가능합니다.

    이미지

    Fig. 1 이미지
  6. [해외논문]   SOI基板上歪緩和SiGeバッファ層の転位構造とモザイシティ  

    Sakai, Akira , Taoka, Noriyuki , Nakatsuka, Osamu , Ogawa, Masaki , Zaima, Shigeaki
    電氣學會論文誌. IEEJ Transactions on Electronics, Information and Systems. C : 電子·情報·システム v.126 no.9 ,pp. 1083 - 1087 , 2006 , 0385-4221 ,

    초록

    We have grown thin strain-relaxed SiGe buffer layers on silicon-on-insulator (SOI) substrates with pure-edge dislocation network at the SiGe/SOI interface. Dislocation morphology and crystalline mosaicity of the SiGe layers have been analyzed by X-ray diffraction two-dimensional reciprocal space mapping and transmission electron microscopy. It was found that dislocation propagation at the SiGe/SOI interface and resultant crystalline mosaicity of the SiGe layer are critically dependent on the thickness of SOI layer. Image force exerted on the dislocations accounts for this SOI thickness dependence.

    원문보기

    원문보기
    무료다운로드 유료다운로드

    회원님의 원문열람 권한에 따라 열람이 불가능 할 수 있으며 권한이 없는 경우 해당 사이트의 정책에 따라 회원가입 및 유료구매가 필요할 수 있습니다.이동하는 사이트에서의 모든 정보이용은 NDSL과 무관합니다.

    NDSL에서는 해당 원문을 복사서비스하고 있습니다. 아래의 원문복사신청 또는 장바구니담기를 통하여 원문복사서비스 이용이 가능합니다.

    이미지

    Fig. 1 이미지
  7. [해외논문]   SOI基板上歪緩和SiGeバッファ層の転位構造とモザイシティ  

    Sakai, Akira , Taoka, Noriyuki , Nakatsuka, Osamu , Ogawa, Masaki , Zaima, Shigeaki
    電氣學會論文誌. IEEJ Transactions on Electronics, Information and Systems. C : 電子·情報·システム v.126 no.9 ,pp. 1083 - 1087 , 2006 , 0385-4221 ,

    초록

    We have grown thin strain-relaxed SiGe buffer layers on silicon-on-insulator (SOI) substrates with pure-edge dislocation network at the SiGe/SOI interface. Dislocation morphology and crystalline mosaicity of the SiGe layers have been analyzed by X-ray diffraction two-dimensional reciprocal space mapping and transmission electron microscopy. It was found that dislocation propagation at the SiGe/SOI interface and resultant crystalline mosaicity of the SiGe layer are critically dependent on the thickness of SOI layer. Image force exerted on the dislocations accounts for this SOI thickness dependence.

    원문보기

    원문보기
    무료다운로드 유료다운로드

    회원님의 원문열람 권한에 따라 열람이 불가능 할 수 있으며 권한이 없는 경우 해당 사이트의 정책에 따라 회원가입 및 유료구매가 필요할 수 있습니다.이동하는 사이트에서의 모든 정보이용은 NDSL과 무관합니다.

    NDSL에서는 해당 원문을 복사서비스하고 있습니다. 아래의 원문복사신청 또는 장바구니담기를 통하여 원문복사서비스 이용이 가능합니다.

    이미지

    Fig. 1 이미지
  8. [해외논문]   4層バッファを用いた高電流密度電子トンネル型SiGe RTD  

    Maekawa, Hirotaka , Sano, Yoshihiro , Ueno, Chihiro , Suda, Yoshiyuki
    電氣學會論文誌. IEEJ Transactions on Electronics, Information and Systems. C : 電子·情報·システム v.126 no.9 ,pp. 1088 - 1092 , 2006 , 0385-4221 ,

    초록

    We have proposed a strain-relaxed quadruple-layer buffer on the basis of our previously proposed thin double- and triple-layer formation mechanisms. With the quadruple-layer buffer, we have demonstrated that misfit dislocations are mainly generated and distributed in the two lower interfaces and the third and fourth layers drive the dislocation generation and prevent the dislocations from propagating to the surface. A resonant tunneling diode fabricated with the quadruple-layer buffer exhibits both a high current density and a high peak-to-valley current ratio.

    원문보기

    원문보기
    무료다운로드 유료다운로드

    회원님의 원문열람 권한에 따라 열람이 불가능 할 수 있으며 권한이 없는 경우 해당 사이트의 정책에 따라 회원가입 및 유료구매가 필요할 수 있습니다.이동하는 사이트에서의 모든 정보이용은 NDSL과 무관합니다.

    NDSL에서는 해당 원문을 복사서비스하고 있습니다. 아래의 원문복사신청 또는 장바구니담기를 통하여 원문복사서비스 이용이 가능합니다.

    이미지

    Fig. 1 이미지
  9. [해외논문]   4層バッファを用いた高電流密度電子トンネル型SiGe RTD  

    Maekawa, Hirotaka , Sano, Yoshihiro , Ueno, Chihiro , Suda, Yoshiyuki
    電氣學會論文誌. IEEJ Transactions on Electronics, Information and Systems. C : 電子·情報·システム v.126 no.9 ,pp. 1088 - 1092 , 2006 , 0385-4221 ,

    초록

    We have proposed a strain-relaxed quadruple-layer buffer on the basis of our previously proposed thin double- and triple-layer formation mechanisms. With the quadruple-layer buffer, we have demonstrated that misfit dislocations are mainly generated and distributed in the two lower interfaces and the third and fourth layers drive the dislocation generation and prevent the dislocations from propagating to the surface. A resonant tunneling diode fabricated with the quadruple-layer buffer exhibits both a high current density and a high peak-to-valley current ratio.

    원문보기

    원문보기
    무료다운로드 유료다운로드

    회원님의 원문열람 권한에 따라 열람이 불가능 할 수 있으며 권한이 없는 경우 해당 사이트의 정책에 따라 회원가입 및 유료구매가 필요할 수 있습니다.이동하는 사이트에서의 모든 정보이용은 NDSL과 무관합니다.

    NDSL에서는 해당 원문을 복사서비스하고 있습니다. 아래의 원문복사신청 또는 장바구니담기를 통하여 원문복사서비스 이용이 가능합니다.

    이미지

    Fig. 1 이미지
  10. [해외논문]   ソフトウェア無線受信機用0.8-5.2GHz帯広帯域SiGe-MMIC直交ミクサ  

    Murakami, Keishi , Suematsu, Noriharu , Tsutsumi, Koji , Kanazawa, Gakushi , Sekine, Tomotsugu , Kubo, Hiroshi , Isota, Yoji
    電氣學會論文誌. IEEJ Transactions on Electronics, Information and Systems. C : 電子·情報·システム v.126 no.9 ,pp. 1093 - 1100 , 2006 , 0385-4221 ,

    초록

    For the next generation wireless terminals used in the software defined radio (SDR), multi-band / multi-mode transceivers and their MMIC are required which cover the wide RF frequency range from several hundreds MHz up to several GHz. In this paper, 0.8-5.2GHz broad-band SiGe-MMIC quadrature mixer (Q-MIX) for multi-band / multi-mode direct conversion receiver has been developed. By using a static type frequency divider as a 90 degrees local (LO) power divider, measured error vector magnitude (EVM) of less than 3.1% can be achieved in the cases of 0.8/2.1GHz W-CDMA and 5.2GHz wireless Local Area Network (LAN) (IEEE 802.11a) reception. This Q-MIX also shows broad-band characteristic for base-band signal and is applicable for 4G cellular. By using fabricated Q-MIX, a multi-band / multi-mode (1.9GHz (3 rd generation cellular (W-CDMA)) / 5.2GHz (4 th generation cellular (Multi-Carrier (MC)-CDMA))) receiver has been developed and it has firstly demonstrated the successful reception of motion picture via W-CDMA and MC-CDMA.

    원문보기

    원문보기
    무료다운로드 유료다운로드

    회원님의 원문열람 권한에 따라 열람이 불가능 할 수 있으며 권한이 없는 경우 해당 사이트의 정책에 따라 회원가입 및 유료구매가 필요할 수 있습니다.이동하는 사이트에서의 모든 정보이용은 NDSL과 무관합니다.

    NDSL에서는 해당 원문을 복사서비스하고 있습니다. 아래의 원문복사신청 또는 장바구니담기를 통하여 원문복사서비스 이용이 가능합니다.

    이미지

    Fig. 1 이미지

논문관련 이미지