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電氣學會論文誌. IEEJ Transactions on Electronics, Informa... 41건

  1. [해외논문]   高い機械的品質係数を持つビスマス層状構造強誘電体セラミックス  

    Nagata, Hajime , Hiruma, Yuji , Suzuki, Muneyasu , Takenaka, Tadashi
    電氣學會論文誌. IEEJ Transactions on Electronics, Information and Systems. C : 電子·情報·システム v.127 no.8 ,pp. 1141 - 1146 , 2007 , 0385-4221 ,

    초록

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  2. [해외논문]   高い機械的品質係数を持つビスマス層状構造強誘電体セラミックス  

    Nagata, Hajime , Hiruma, Yuji , Suzuki, Muneyasu , Takenaka, Tadashi
    電氣學會論文誌. IEEJ Transactions on Electronics, Information and Systems. C : 電子·情報·システム v.127 no.8 ,pp. 1141 - 1146 , 2007 , 0385-4221 ,

    초록

    The piezoelectric properties in some bismuth layer-structured ferroelectric (BLSF) ceramics were investigated focusing on a mechanical quality factor, Q m . Many BLSF compositions with various Curie temperature, T c , were selected in this study, and the Q m values of (33) mode were plotted as a function of their Curie temperature, T c . The Q m increased with increasing the T c in the low T c compositions below 500°C. It is considered to relate with the domain wall pinning because the coercive field, E c also increased with increasing the T c . However, in the high T c compositions above 750°C, the Q m decreased with increasing the T c contrary, because of the difficulties in poling treatment due to the E c . On the other hand, high Q m values more than 10,000 were obtained in the intermediate T c compositions between at 500 to 750°C. These values are quite high as the piezoelectric ceramics. The key point of the high Q m in these compositions is the poling process at high temperature of 300°C.

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  3. [해외논문]   分極処理した4価金属ドープシリカ薄膜における圧電性と可視発光  

    Uno, Takehiko , Noge, Satoru , Fujitsuka, Shun
    電氣學會論文誌. IEEJ Transactions on Electronics, Information and Systems. C : 電子·情報·システム v.127 no.8 ,pp. 1147 - 1154 , 2007 , 0385-4221 ,

    초록

    The piezoelectric properties in some bismuth layer-structured ferroelectric (BLSF) ceramics were investigated focusing on a mechanical quality factor, Q m . Many BLSF compositions with various Curie temperature, T c , were selected in this study, and the Q m values of (33) mode were plotted as a function of their Curie temperature, T c . The Q m increased with increasing the T c in the low T c compositions below 500°C. It is considered to relate with the domain wall pinning because the coercive field, E c also increased with increasing the T c . However, in the high T c compositions above 750°C, the Q m decreased with increasing the T c contrary, because of the difficulties in poling treatment due to the E c . On the other hand, high Q m values more than 10,000 were obtained in the intermediate T c compositions between at 500 to 750°C. These values are quite high as the piezoelectric ceramics. The key point of the high Q m in these compositions is the poling process at high temperature of 300°C.

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  4. [해외논문]   分極処理した4価金属ドープシリカ薄膜における圧電性と可視発光  

    Uno, Takehiko , Noge, Satoru , Fujitsuka, Shun
    電氣學會論文誌. IEEJ Transactions on Electronics, Information and Systems. C : 電子·情報·システム v.127 no.8 ,pp. 1147 - 1154 , 2007 , 0385-4221 ,

    초록

    It is known that poling treatment in germanium-doped silica (Ge:SiO 2 ) glass raises their optical nonlinearity and produces the Pockels effect. This means that the poling treatment in Ge:SiO 2 produces asymmetricity in the glass. We generated piezoelectricity in poled Ge:SiO 2 glass thin films. Tetravalent-metal-doped SiO 2 (M 4+ :SiO 2 ) films were prepared on Si substrates by RF magnetron sputtering. We used germanium, titanium, and tin as doping materials. However, less than a week later, piezoelectricity disappeared almost completely in all the samples. To prevent piezoelectricity from disappearing, we attempted to pin the doping ions. We developed a pinning technique based on the superstructure of a Ge-Ti-Sn:SiO 2 and Ge-Ti-Zr:SiO 2 . The superstructure was very effective in preventing piezoelectricity from disappearing. Furthermore, broadband visible light emission was observed in the proposed superstructure film.

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  5. [해외논문]   43°面内回転STカット水晶SAW共振子における上側帯スプリアス発生機構の解明  

    Takagi, Michiaki , Kanna, Shigeo , Iizawa, Keigo , Yamazaki, Takashi
    電氣學會論文誌. IEEJ Transactions on Electronics, Information and Systems. C : 電子·情報·システム v.127 no.8 ,pp. 1155 - 1160 , 2007 , 0385-4221 ,

    초록

    It is known that poling treatment in germanium-doped silica (Ge:SiO 2 ) glass raises their optical nonlinearity and produces the Pockels effect. This means that the poling treatment in Ge:SiO 2 produces asymmetricity in the glass. We generated piezoelectricity in poled Ge:SiO 2 glass thin films. Tetravalent-metal-doped SiO 2 (M 4+ :SiO 2 ) films were prepared on Si substrates by RF magnetron sputtering. We used germanium, titanium, and tin as doping materials. However, less than a week later, piezoelectricity disappeared almost completely in all the samples. To prevent piezoelectricity from disappearing, we attempted to pin the doping ions. We developed a pinning technique based on the superstructure of a Ge-Ti-Sn:SiO 2 and Ge-Ti-Zr:SiO 2 . The superstructure was very effective in preventing piezoelectricity from disappearing. Furthermore, broadband visible light emission was observed in the proposed superstructure film.

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  6. [해외논문]   43°面内回転STカット水晶SAW共振子における上側帯スプリアス発生機構の解明  

    Takagi, Michiaki , Kanna, Shigeo , Iizawa, Keigo , Yamazaki, Takashi
    電氣學會論文誌. IEEJ Transactions on Electronics, Information and Systems. C : 電子·情報·システム v.127 no.8 ,pp. 1155 - 1160 , 2007 , 0385-4221 ,

    초록

    An unknown resonance is studied, which exists near upper stop band of IDT reflection characteristics, for the 43° in-plane rotated ST-cut of quartz SAW resonator. In this study, we analyze the displacement loci of surface wave at first, and find that slight skew angles exist in them. Simple simulation model is introduced to analyze the phenomenon and anti-symmetric model of T matrix explains that phenomenon adequately.

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  7. [해외논문]   LiTaO3/サファイア接合基板を用いた温度特性改善SAWデバイス  

    Miura, Michio , Inoue, Shogo , Tsutsumi, Jun , Matsuda, Takashi , Ueda, Masanori , Satoh, Yoshio , Ikata, Osamu , Ebata, Yasuo
    電氣學會論文誌. IEEJ Transactions on Electronics, Information and Systems. C : 電子·情報·システム v.127 no.8 ,pp. 1161 - 1165 , 2007 , 0385-4221 ,

    초록

    An unknown resonance is studied, which exists near upper stop band of IDT reflection characteristics, for the 43° in-plane rotated ST-cut of quartz SAW resonator. In this study, we analyze the displacement loci of surface wave at first, and find that slight skew angles exist in them. Simple simulation model is introduced to analyze the phenomenon and anti-symmetric model of T matrix explains that phenomenon adequately.

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  8. [해외논문]   LiTaO3/サファイア接合基板を用いた温度特性改善SAWデバイス  

    Miura, Michio , Inoue, Shogo , Tsutsumi, Jun , Matsuda, Takashi , Ueda, Masanori , Satoh, Yoshio , Ikata, Osamu , Ebata, Yasuo
    電氣學會論文誌. IEEJ Transactions on Electronics, Information and Systems. C : 電子·情報·システム v.127 no.8 ,pp. 1161 - 1165 , 2007 , 0385-4221 ,

    초록

    A novel temperature compensated SAW substrate was developed by using direct bonding techniques. This method has merits to keep the same coupling factor and propagation loss as the original piezoelectric substrate and need not strict control of substrate thickness. Temperature compensating method using direct bonding techniques requires support substrate with small thermal expansion coefficient and large elastic coefficients. Sapphire is one of the ideal materials for the support substrate. Thickness of the piezoelectric substrate has large influence on the temperature characteristics and spurious responses caused by reflection of bulk acoustic wave at the bonding interface. We found appropriate thickness of LiTaO 3 with good temperature characteristics and no spurious responses. Using bonded LiTaO 3 /sapphire SAW substrate, US-PCS SAW duplexer with small temperature coefficient of frequency and good frequency characteristics was developed. Power durability of the duplexer using bonded LiTaO 3 /sapphire SAW substrate was excellent because of high thermal conductivity of sapphire.

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  9. [해외논문]   段差量の大きなバイメサ水晶振動子のモード間結合量  

    Goka, Shigeyoshi , Mase, Yusuke , Sekimoto, Hitoshi , Watanabe, Yasuaki
    電氣學會論文誌. IEEJ Transactions on Electronics, Information and Systems. C : 電子·情報·システム v.127 no.8 ,pp. 1166 - 1170 , 2007 , 0385-4221 ,

    초록

    A novel temperature compensated SAW substrate was developed by using direct bonding techniques. This method has merits to keep the same coupling factor and propagation loss as the original piezoelectric substrate and need not strict control of substrate thickness. Temperature compensating method using direct bonding techniques requires support substrate with small thermal expansion coefficient and large elastic coefficients. Sapphire is one of the ideal materials for the support substrate. Thickness of the piezoelectric substrate has large influence on the temperature characteristics and spurious responses caused by reflection of bulk acoustic wave at the bonding interface. We found appropriate thickness of LiTaO 3 with good temperature characteristics and no spurious responses. Using bonded LiTaO 3 /sapphire SAW substrate, US-PCS SAW duplexer with small temperature coefficient of frequency and good frequency characteristics was developed. Power durability of the duplexer using bonded LiTaO 3 /sapphire SAW substrate was excellent because of high thermal conductivity of sapphire.

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  10. [해외논문]   段差量の大きなバイメサ水晶振動子のモード間結合量  

    Goka, Shigeyoshi , Mase, Yusuke , Sekimoto, Hitoshi , Watanabe, Yasuaki
    電氣學會論文誌. IEEJ Transactions on Electronics, Information and Systems. C : 電子·情報·システム v.127 no.8 ,pp. 1166 - 1170 , 2007 , 0385-4221 ,

    초록

    In this paper, the bi-mesa resonators, which can be fabricated with very high mesa steps, were fabricated, and their frequency-temperature ( f - T ) characteristics were measured as an index of the mode-coupling strength. Since the mode-coupling affects to the first-order temperature coefficient of the TS-1 mode, the f - T curve of the pure TS-1 mode rotates clockwise depending on the mode-coupling strength. The experimental results showed that the tendency of the first-order coefficients of the measured f - T data were in good agreement with the calculated mode-coupling strength in the mesa height range of 0 to 50%. These results indicate the validity of the calculated mode-coupling strength between TS-1 and TF modes. It is also showed that choosing lower mesa height is desirable because the face-shear modes caused by the X-Z' boundary tend to couple with the TS-1 mode when the mesa step is very high.

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