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電氣學會論文誌. IEEJ Transactions on Electronics, Informa... 55건

  1. [해외논문]   「最新のパワー半導体技術とその応用—シリコンとワイドバンドギャップ半導体—」 —特集号によせて—  

    Mori, Mutsuhiro
    電氣學會論文誌. IEEJ Transactions on Electronics, Information and Systems. C : 電子·情報·システム v.130 no.6 ,pp. 911 - 911 , 2010 , 0385-4221 ,

    초록

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  2. [해외논문]   「最新のパワー半導体技術とその応用—シリコンとワイドバンドギャップ半導体—」 —特集号によせて—  

    Mori, Mutsuhiro
    電氣學會論文誌. IEEJ Transactions on Electronics, Information and Systems. C : 電子·情報·システム v.130 no.6 ,pp. 911 - 911 , 2010 , 0385-4221 ,

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  3. [해외논문]   パワー半導体デバイスの最新技術動向  

    Terashima, Tomohide , Shiraishi, Masaki , Iwamuro, Noriyuki
    電氣學會論文誌. IEEJ Transactions on Electronics, Information and Systems. C : 電子·情報·システム v.130 no.6 ,pp. 912 - 916 , 2010 , 0385-4221 ,

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  4. [해외논문]   パワー半導体デバイスの最新技術動向  

    Terashima, Tomohide , Shiraishi, Masaki , Iwamuro, Noriyuki
    電氣學會論文誌. IEEJ Transactions on Electronics, Information and Systems. C : 電子·情報·システム v.130 no.6 ,pp. 912 - 916 , 2010 , 0385-4221 ,

    초록

    Global warming is already a problem in the world, highly effective use for energy is important. Power semiconductor devices are key components in saving energy, and improvements of performance are strongly demanded. Nowadays, Power MOSFET and IGBT those are the Si devicec are improved by technological developments such as Super Junction and FS-IGBT, and the performance nears the limit. On the other hand, SiC and GaN those are the wide band gap semiconductor devices have potential that greatly exceed the performance limitation of the Si devices, but have still problems, such as long term reliability and costs. This paper presents recent technology trend in Power devices, and those latest reports.

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  5. [해외논문]   SiCウェハ製造に関する最近の動向  

    Fujimoto, Tatsuo
    電氣學會論文誌. IEEJ Transactions on Electronics, Information and Systems. C : 電子·情報·システム v.130 no.6 ,pp. 917 - 919 , 2010 , 0385-4221 ,

    초록

    Global warming is already a problem in the world, highly effective use for energy is important. Power semiconductor devices are key components in saving energy, and improvements of performance are strongly demanded. Nowadays, Power MOSFET and IGBT those are the Si devicec are improved by technological developments such as Super Junction and FS-IGBT, and the performance nears the limit. On the other hand, SiC and GaN those are the wide band gap semiconductor devices have potential that greatly exceed the performance limitation of the Si devices, but have still problems, such as long term reliability and costs. This paper presents recent technology trend in Power devices, and those latest reports.

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  6. [해외논문]   SiCウェハ製造に関する最近の動向  

    Fujimoto, Tatsuo
    電氣學會論文誌. IEEJ Transactions on Electronics, Information and Systems. C : 電子·情報·システム v.130 no.6 ,pp. 917 - 919 , 2010 , 0385-4221 ,

    초록

    Recent development and current status on the growth technology of silicon carbide (SiC) single crystals, long-known as a promising wide bandgap semiconductor material applicable to electronic devices of higher performance, are briefly described. The micropipe defect density, which is known to cause fatal problems in SiC devices, has been reduced significantly, and up to date no longer cited as the most harmful defect for device applications. In addition, such technological advance has led to the increase of the crystal diameters up to 100mm, evoking acceleration of SiC device productions.

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  7. [해외논문]   高温アニールによる4H-SiCエッチング形状変形の異方性  

    Kawada, Yasuyuki , Tawara, Takeshi , Nakamura, Shun-ichi , Gotoh, Masahide , Iwanuro, Noruyuki
    電氣學會論文誌. IEEJ Transactions on Electronics, Information and Systems. C : 電子·情報·システム v.130 no.6 ,pp. 920 - 923 , 2010 , 0385-4221 ,

    초록

    Recent development and current status on the growth technology of silicon carbide (SiC) single crystals, long-known as a promising wide bandgap semiconductor material applicable to electronic devices of higher performance, are briefly described. The micropipe defect density, which is known to cause fatal problems in SiC devices, has been reduced significantly, and up to date no longer cited as the most harmful defect for device applications. In addition, such technological advance has led to the increase of the crystal diameters up to 100mm, evoking acceleration of SiC device productions.

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  8. [해외논문]   高温アニールによる4H-SiCエッチング形状変形の異方性  

    Kawada, Yasuyuki , Tawara, Takeshi , Nakamura, Shun-ichi , Gotoh, Masahide , Iwanuro, Noruyuki
    電氣學會論文誌. IEEJ Transactions on Electronics, Information and Systems. C : 電子·情報·システム v.130 no.6 ,pp. 920 - 923 , 2010 , 0385-4221 ,

    초록

    We investigated transformation of 4H-SiC etching shapes by high temperature annealing. Although the etching mask was circular, the etched shape resulted in a hexagon, dodecagon, or octadecagon, depending on the etching area size. A hexagon was transformed into a dodecagon along with the high temperature annealing, and a dodecagon was transformed into an octadecagon.Hexagon as well as dodecagon designed with different edge directions undergo different transformation by the annealing, owing to common preference of crystallographic faces. An edge corresponding to one of the {1-10x} faces appears as a straight line and seems most preferred. Edges corresponding to the {11-2x} faces also appear in a curvy feature, suggesting to be second most preferred. Faceted structures (bunching) were observed clearly on the {1-10x} faces but faintly on the {11-2x} faces. Therefore, it is necessary to design the shapes and their directions in an actual device in consideration of the transformation by annealing.

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  9. [해외논문]   電源用AlGaN/GaN FETの開発  

    Baba, Ryohei , Machida, Osamu , Kaneko, Nobuo , Iwabuchi, Akio , Yano, Koji , Matsumoto, Takashi
    電氣學會論文誌. IEEJ Transactions on Electronics, Information and Systems. C : 電子·情報·システム v.130 no.6 ,pp. 924 - 928 , 2010 , 0385-4221 ,

    초록

    We investigated transformation of 4H-SiC etching shapes by high temperature annealing. Although the etching mask was circular, the etched shape resulted in a hexagon, dodecagon, or octadecagon, depending on the etching area size. A hexagon was transformed into a dodecagon along with the high temperature annealing, and a dodecagon was transformed into an octadecagon.Hexagon as well as dodecagon designed with different edge directions undergo different transformation by the annealing, owing to common preference of crystallographic faces. An edge corresponding to one of the {1-10x} faces appears as a straight line and seems most preferred. Edges corresponding to the {11-2x} faces also appear in a curvy feature, suggesting to be second most preferred. Faceted structures (bunching) were observed clearly on the {1-10x} faces but faintly on the {11-2x} faces. Therefore, it is necessary to design the shapes and their directions in an actual device in consideration of the transformation by annealing.

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  10. [해외논문]   電源用AlGaN/GaN FETの開発  

    Baba, Ryohei , Machida, Osamu , Kaneko, Nobuo , Iwabuchi, Akio , Yano, Koji , Matsumoto, Takashi
    電氣學會論文誌. IEEJ Transactions on Electronics, Information and Systems. C : 電子·情報·システム v.130 no.6 ,pp. 924 - 928 , 2010 , 0385-4221 ,

    초록

    AlGaN/GaN FET with a built-in SBD which has a reverse conductive operation and normally-off characteristics is fabricated for the purpose of designing GaN power device for power supply. The fabricated device exhibited a threshold voltage of +0.8V and excellent reverse conductive characteristics. In addition, low capacitance characteristics are obtained due to the reduction of mirror effect. From these results, it is confirmed that the fabricated device is effective for low loss power switching device.

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