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電氣學會論文誌. IEEJ Transactions on Electronics, Informa... 28건

  1. [해외논문]   「最新のパワー半導体技術とその応用—シリコンとワイドバンドギャップ半導体—」 —特集号によせて—  

    Mori, Mutsuhiro
    電氣學會論文誌. IEEJ Transactions on Electronics, Information and Systems. C : 電子·情報·システム v.130 no.6 ,pp. 911 - 911 , 2010 , 0385-4221 ,

    초록

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    Fig. 1 이미지
  2. [해외논문]   パワー半導体デバイスの最新技術動向  

    Terashima, Tomohide , Shiraishi, Masaki , Iwamuro, Noriyuki
    電氣學會論文誌. IEEJ Transactions on Electronics, Information and Systems. C : 電子·情報·システム v.130 no.6 ,pp. 912 - 916 , 2010 , 0385-4221 ,

    초록

    Global warming is already a problem in the world, highly effective use for energy is important. Power semiconductor devices are key components in saving energy, and improvements of performance are strongly demanded. Nowadays, Power MOSFET and IGBT those are the Si devicec are improved by technological developments such as Super Junction and FS-IGBT, and the performance nears the limit. On the other hand, SiC and GaN those are the wide band gap semiconductor devices have potential that greatly exceed the performance limitation of the Si devices, but have still problems, such as long term reliability and costs. This paper presents recent technology trend in Power devices, and those latest reports.

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  3. [해외논문]   SiCウェハ製造に関する最近の動向  

    Fujimoto, Tatsuo
    電氣學會論文誌. IEEJ Transactions on Electronics, Information and Systems. C : 電子·情報·システム v.130 no.6 ,pp. 917 - 919 , 2010 , 0385-4221 ,

    초록

    Recent development and current status on the growth technology of silicon carbide (SiC) single crystals, long-known as a promising wide bandgap semiconductor material applicable to electronic devices of higher performance, are briefly described. The micropipe defect density, which is known to cause fatal problems in SiC devices, has been reduced significantly, and up to date no longer cited as the most harmful defect for device applications. In addition, such technological advance has led to the increase of the crystal diameters up to 100mm, evoking acceleration of SiC device productions.

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  4. [해외논문]   高温アニールによる4H-SiCエッチング形状変形の異方性  

    Kawada, Yasuyuki , Tawara, Takeshi , Nakamura, Shun-ichi , Gotoh, Masahide , Iwanuro, Noruyuki
    電氣學會論文誌. IEEJ Transactions on Electronics, Information and Systems. C : 電子·情報·システム v.130 no.6 ,pp. 920 - 923 , 2010 , 0385-4221 ,

    초록

    We investigated transformation of 4H-SiC etching shapes by high temperature annealing. Although the etching mask was circular, the etched shape resulted in a hexagon, dodecagon, or octadecagon, depending on the etching area size. A hexagon was transformed into a dodecagon along with the high temperature annealing, and a dodecagon was transformed into an octadecagon.Hexagon as well as dodecagon designed with different edge directions undergo different transformation by the annealing, owing to common preference of crystallographic faces. An edge corresponding to one of the {1-10x} faces appears as a straight line and seems most preferred. Edges corresponding to the {11-2x} faces also appear in a curvy feature, suggesting to be second most preferred. Faceted structures (bunching) were observed clearly on the {1-10x} faces but faintly on the {11-2x} faces. Therefore, it is necessary to design the shapes and their directions in an actual device in consideration of the transformation by annealing.

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    Fig. 1 이미지
  5. [해외논문]   電源用AlGaN/GaN FETの開発  

    Baba, Ryohei , Machida, Osamu , Kaneko, Nobuo , Iwabuchi, Akio , Yano, Koji , Matsumoto, Takashi
    電氣學會論文誌. IEEJ Transactions on Electronics, Information and Systems. C : 電子·情報·システム v.130 no.6 ,pp. 924 - 928 , 2010 , 0385-4221 ,

    초록

    AlGaN/GaN FET with a built-in SBD which has a reverse conductive operation and normally-off characteristics is fabricated for the purpose of designing GaN power device for power supply. The fabricated device exhibited a threshold voltage of +0.8V and excellent reverse conductive characteristics. In addition, low capacitance characteristics are obtained due to the reduction of mirror effect. From these results, it is confirmed that the fabricated device is effective for low loss power switching device.

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    Fig. 1 이미지
  6. [해외논문]   ノーマリーオフ型高電流密度GaN-HEMT  

    Kanamura, Masahito , Ohki, Toshihiro , Kikkawa, Toshihide , Imanishi, Kenji , Hara, Naoki
    電氣學會論文誌. IEEJ Transactions on Electronics, Information and Systems. C : 電子·情報·システム v.130 no.6 ,pp. 929 - 933 , 2010 , 0385-4221 ,

    초록

    We present high performance normally-off GaN MIS-HEMTs. Devices with n-GaN/i-AlN/n-GaN cap layer, recessed gate and insulated gate structure show high drain current and complete normally-off operation. A maximum drain current and threshold voltage are 800 mA/mm and +3 V, respectively. The off-state breakdown voltage is over 320 V. In addition, a current collapse is very small. These results indicate that the recessed AlGaN/GaN MIS-HEMT with novel triple cap layer could be a promising technology for future device applications.

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    Fig. 1 이미지
  7. [해외논문]   ハイブリッド車用パワー半導体の宇宙線耐量  

    Nishida, Shuichi , Shoji, Tomoyuki , Ohnishi, Toyokazu , Fujikawa, Touma , Nose, Noboru , Ishiko, Masayasu , Hamada, Kimimori
    電氣學會論文誌. IEEJ Transactions on Electronics, Information and Systems. C : 電子·情報·システム v.130 no.6 ,pp. 934 - 938 , 2010 , 0385-4221 ,

    초록

    Power semiconductors that are used under high voltage conditions in hybrid vehicles (HVs) are required to have a high destruction tolerance against cosmic rays as well as to meet conventional quality standards. In this paper, the failure mechanism for single event burnouts (SEB) induced by cosmic rays in insulated gate bipolar transistors (IGBTs) was investigated. Device destruction tolerance can be greatly improved by adopting an optimized device design that greatly suppresses parasitic thyristor action.

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  8. [해외논문]   短絡耐量の温度依存性に対する理論解析  

    Shoji, Tomoyuki , Saito, Jun , Ishiko, Masayasu
    電氣學會論文誌. IEEJ Transactions on Electronics, Information and Systems. C : 電子·情報·システム v.130 no.6 ,pp. 939 - 943 , 2010 , 0385-4221 ,

    초록

    Insulated gate bipolar transistors (IGBTs) are used as switching devices for inverters of hybrid electric vehicles. IGBTs require very high reliability against device destruction. The strong dependence of short-circuit capability on temperature was theoretically investigated for the first time using a heat conduction equation. The model showed that the temperature-dependent factor for short-circuit capability was consistent with the empirical evidence.

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  9. [해외논문]   4H-SiC JBSダイオードの逆方向特性に影響を与える表面欠陥の解析  

    Katsuno, Takashi , Watanabe, Yukihiko , Fujiwara, Hirokazu , Konishi, Masaki , Yamamoto, Takeo , Endo, Takeshi , Ishiko, Masayasu
    電氣學會論文誌. IEEJ Transactions on Electronics, Information and Systems. C : 電子·情報·システム v.130 no.6 ,pp. 944 - 950 , 2010 , 0385-4221 ,

    초록

    The good relations between the reverse characteristics of 4H-SiC JBS diodes and the surface defects were obtained. The reverse characteristics of 4H-SiC JBS diodes were categorized in three groups as follows: (A) low blocking voltage, (B) high leakage current and (C) low leakage current. The groups of (A) and (B) were caused by the existences of the micropipe and small particles, and the carrot-like defects on the SiC surfaces, respectively. In group (C), there was no defect on the surfaces observed by the optical microscope. The structure of carrot-like defect was analyzed by the cathode-luminescence and TEM.

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  10. [해외논문]   Micro-P構造適用による600V IGBTの高性能化  

    Nakano, Hayato , Onozawa, Yuichi , Kawano, Ryouichi , Yamazaki, Tomoyuki , Seki, Yasukazu
    電氣學會論文誌. IEEJ Transactions on Electronics, Information and Systems. C : 電子·情報·システム v.130 no.6 ,pp. 951 - 954 , 2010 , 0385-4221 ,

    초록

    This paper describes the next generation 600V trench-gate IGBT utilizing the Micro-P structure to realize low noise and low power dissipation. We have achieved “better turn-on di/dt controllability”, “oscillation free turn-off” and “improved Von-Eoff trade-off relationship” in the 600V IGBTs. In a typical inverter operation, the new chip has realized 10% lower power dissipation and the temperature difference between junction and case (dT j-c ) can be reduced by 2.5deg. C.

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    Fig. 1 이미지

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