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한국재료학회지 = Korean journal of materials research 15건

  1. [국내논문]   화학식각법에 의해 형성된 다공질실리콘의 표면형상 및 발광특성  

    김현수 (경상대학교 물리학과 ) , 민석기 (한국과학기술연구원 반도체재료 연구실)
    한국재료학회지 = Korean journal of materials research v.4 no.4 ,pp. 379 - 384 , 1994 , 1225-0562 ,

    초록

    $HF-HNO_{3}$ 계의 화학용액에서 실리콘웨이퍼를 식각함으로써 실온에서 자외선 조사에 의해 가시광을 발광하는 다공질실리콘(porous-Si)을 형성하였으며, 이렇게 형성시킨 다공질 실리콘의 발광특성고 표면형상을 각각 photoluminescence(PL)측정과 atomic force microscopy(AFM)를 이용하여 조사하였다. $HF:HNO_{3}: H_{2}O$ =1 : 5 : 10인 용� 1 : 5 : 10인 용액을 이용하여 다공질실리콘을 형성시킬때 식각시간에 따른 다공질실리콘의 PL강도 및 표면형상의 변화를 관찰한 결과 1-10분의 영역에서 식각시간을 변화시켰을때 식각시간에 따라 표면의 색깔이 변하였으며 5분간 식각시켰을 경우 표면의색깔은 오렌지 색을 가지고 가장 강한 PL 강도를 보였다. 그리고 AFM관측결과 식각시간이 길어짐에 따라 다공질실리콘의 표면형상크기(surface feature size)가 점점 작아져 5분간 식각시킨 시료의 표면형상 크기는 1,5000~2,000 $\AA$ 범위이며, PL강도가 다공질실리콘의 표면형상과 관계가 있음을 알 수 있었다.

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    Fig. 1 이미지
  2. [국내논문]   기판 온도가 다이아몬드 박막의 Morphology에 미치는 영향  

    박영수 (삼성종합기술원 신소재 연구실 ) , 김상훈 (삼성종합기술원 신소재 연구실 ) , 김동호 (한국표준과학연구원 분광연구실 ) , 이조원 (삼성종합기술원 신소재 연구실)
    한국재료학회지 = Korean journal of materials research v.4 no.4 ,pp. 385 - 392 , 1994 , 1225-0562 ,

    초록

    Microwave플라즈마 화학 증착법으로 다이아몬드 박막을 증착하여 morphology변화를 관찰하였다. 기판 온도가 $550^{\circ}C$ 에서 $750^{\circ}C$ 로 증가함에 따라 다이아몬드 박막의 표면 morpholoty는 {111}에서 {100}, cauliflower형태로 변화하는 것과 함께, 증착층내의 nondiamond성분이 증가하는 것을 발견하였다. 증착 층 내에 존재하는 nondiamond성분은 다이아몬드 입자의 입계에 분포하고 있음을 마이크로 Raman분석으로부터 추측할 수 있었다. 증착층의 texture orientation 을 X-선 회절 분석기로 확인한 결과, $550^{\circ}C$ 에서는 증착층의 texture orientation이 관찰되지 않았지만 온도가 증가함에 따라 에서 으로 변화하는 것을 관찰할 수 있었다.

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  3. [국내논문]   W-Cu 합금의 액상소결을 위한 새로운 공정의 개발:유동층 환원법  

    인태형 (서울대학교 금속공학과 ) , 이석운 (서울대학교 금속공학과 ) , 주승기 (서울대학교 금속공학과)
    한국재료학회지 = Korean journal of materials research v.4 no.4 ,pp. 393 - 400 , 1994 , 1225-0562 ,

    초록

    1 $\mu \textrm{m}$ 이하의 텅스텐 분말에 구리를 균일하게 코팅하는 공정을 새로이 개발했다. 구리가 코팅된 $\mu \textrm{m}$ 이하의 텅스텐 분말을 이용하여 액상소결하였으며, 구리가 균일하게 분포된 W-Cu합금을 얻을 수있었다. 본 연구에서 개발된 방법에 의해 구리의 함유량을 10wt.%이하로 낮추면서도 균일한 W-Cu합금을 얻을 수 있었으며, 특히 코발트를 같은 방식에 의해 첨가하면 구리액상이 형성된 후 급격히 치밀화하여 96% 이상의 상대밀도를 갖는 W-Cu 합금을 제작하는데 성공하였다. 코발트 첨가에 의한 급격한 치밀화의 증가는 텅스텐과 구리액상 사이의 접착성 향상에 기인하는 것으로 밝혀졌다.

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  4. [국내논문]   Laser Ablation에 의한 $(Ba_{0.5}, Sr_{0.5}) Tio_3$박막의 제조와 전극에 따른 전기적 특성  

    윤순길 (충남대학교 재료공학과)
    한국재료학회지 = Korean journal of materials research v.4 no.4 ,pp. 401 - 405 , 1994 , 1225-0562 ,

    초록

    Laser ablation기술에 의해 Pt와 $YBa_Cu_3O_{7-x}$ (YBCO)전극위에 epitaxially성장된 BST박막의 조성과 전기적 특성이 연구되었다. RBS분석으로부터 Pt전극 위에 증착된 BST박막의 결정성이 YBCO전극 위에 증착된 것보다도 더 우수하였다. $600^{\circ}C$ 에서 Pt 전극위에 증착된 BST박막은 100kHz의 주파수에서 유전상수가 320, 유전손실이 0.023이었다. Pt전극위에 증착된 BST박막의 누설전류 밀도가 TBCO전극위에 증착된 것 보다도 더 작았다. 0.15MV/cm의 전기장 하에서 누설전류밀도는 약 0.8 $\mu \; A/ \textrm{cm}^2$ 이었다.

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  5. [국내논문]   분말충진법에 의한 Ag/Bi-2223고온초전도 선재의 제조공정에 관한 연구  

    김우곤 (한국원자력연구소 ) , 이호진 (한국원자력연구소 ) , 원동연 (한국원자력연구소 ) , 홍계원 (한국원자력연구소)
    한국재료학회지 = Korean journal of materials research v.4 no.4 ,pp. 406 - 415 , 1994 , 1225-0562 ,

    초록

    분말충진법에 의한 Ag/Bi-2223고온초전도선재의 제조방법 및 제조조건에 따른 임계전류밀도를 조사하였다. 전체공정에서 250시간의 열처리 및 2회의 반봅가공 조건에서 임계전류밀도가 가장 높게 측정되었다. 이와 같은 결과는 250시간의 열처리에서 고온상이 크게 성장되었으며, 2회의 반복가공으로 결정입자들이 일방향으로 잘 배열되는 공정조건임을 알 수 있었다. 공정별로는 pressing방법으로 제조한 시편의 임계전류밀도가 $1.05\times 10^4A/\textrm{cm}^2$ 로 다른 공정에 비해 가장 높았으며, rolling 공정으로는 $0.78\times 10^4A/\textrm{cm}^2$ 를 갖는 선재를 제조하였다. 7개 및 49개의 세심을 갖는 다심선재를 제조하여 임계전류밀도를 조사하였다. 7개의 다심선재에서 임계전류밀도값은 pressing방법에서 $0.45 \times 10^{4}A/\textrm{cm}^2$ 였으며, 49개 다심은 rolling방법으로 $0.20 \times 10^{4}A/\textrm{cm}^2$ 를 갖는 선재를 제조하였다.

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  6. [국내논문]   $SiO_2$위에 증착된 $Si_{1-X}Ge_X$합금의 증착온도 변화에 따른 결정성 및 미세구조에 관한 연구  

    김홍승 (한국과학기술원 전자재료공학과 ) , 이정용 (한국과학기술원 전자재료공학과 ) , 이승창 (한국 전자통신연구소 반도체 연구단 ) , 강상원 (한국 전자통신연구소 반도체 연구단)
    한국재료학회지 = Korean journal of materials research v.4 no.4 ,pp. 416 - 427 , 1994 , 1225-0562 ,

    초록

    비정질 $SiO_{2}$ 위에서 증착시킨 $Si_{1-x}Ge_x$ 합금의 증착온도에 따른 결정성, 미세구조와 조성의 균일성을 X선 회절법과 투과 전자현미겨으로 조사하였고, $Si_{1-x}Ge_x/Sio_2$ 계면을 고분해능 투과 전자현미경을 이용하여 원자단위로 관찰하였다. Ge의 몰분율을 0.3으로 놓고 증착온도를 $300^{\circ}C,400^{\circ}C,500^{\circ}C,600^{\circ}C,700^{\circ}C$ 로 변화시키며 Si-MBE로 증착된 박막은 , 분석 결과 $300^{\circ}C$ 에서는 비정질상만이 존재하였고 $400^{\circ}C$ 에서는 결정상과 비정질상이 공존하고 있었다. 두상은 $SiO_2$ 위에 함께 증착되었으나 초기 성장에서는 비정질상이 주로 성장되었으며 박막의 두께가 비정질층이 관찰되었다. $600^{\circ}C$ 이상에서는 결정상으로만 증착되었다. 증착된 다결정상은 주상성장을 하였다. 증착된 박막의 조성은 중착온도에 관계없이 균일하였으며, $Si_{1-x}Ge_x/Sio_2$ 계면은 다결정상이나 비정질상에 관계없이 평탄하였다.

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  7. [국내논문]   Y-Ba-Cu-O계에서 $Y_1Ba_2Cu_3O_{7-\delta}$상의 성장에 미치는 $SnO_2$의 효과  

    임대호 (전북대학교 재료공학과 ) , 송명엽 (전북대학교 재료공학과 ) , 원동연 (한국원자력연구소 ) , 홍계원 (한국원자력연구소)
    한국재료학회지 = Korean journal of materials research v.4 no.4 ,pp. 428 - 438 , 1994 , 1225-0562 ,

    초록

    Y-Ba-Cu-O 계에서 123상의 성장에 미치는 Sn의 효과를 관찰하기 위하여 Sn이 첨가된 123+Sn성형체와 Sn이 첨가되지 않은 123성형체와의 couple시편을 만들었다. $1100^{\circ}C$ 에서 24시간 유지한 후 $970^{\circ}C$ 에서 1시간 유지한 시편에서 123상은 Sn이 첨가된 123+Sn 성형체의 표면에서부터 생성되어 Sn이 첨가되지 않은 123성형체 내부쪽으로 성장하였다. $1100^{\circ}C$ 에서 48시간 유지한 후 $970^{\circ}C$ 에서 1시간 유지한 시편에서는 123상이 관찰되지 않았으며 Y-Ba-Sn으로 구성된 결정립이 관찰되었다.

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  8. [국내논문]   외부응력에 의한 PZT압전세라믹스의 열화현상   피인용횟수: 1

    임진호 (경북대학교 무기재료공학과 ) , 이준형 (경북대학교 무기재료공학과 ) , 김진호 (경북대학교 무기재료공학과 ) , 조상희 (경북대학교 무기재료공학과)
    한국재료학회지 = Korean journal of materials research v.4 no.4 ,pp. 439 - 444 , 1994 , 1225-0562 ,

    초록

    분극처리된 PZT세라믹스에 외부응력을 인가하였을때 인가되는 응력의 방향에 따른 열화기구의 차이를 조사하였다. 그 결과 분극축과 수직으로 응력을 인가할때의 열화현상은 공간전하분극의 확산으로, 분극축과 평행하게 응력을 인가할때는 분역재배열현상으로 설명하였다. 소결체의 입자 크기가 커지면 열화폭이 커짐을 알 수 있었는데 이것은 입자크기에 따른 내부응력의 차이로 해석하였다.

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    Fig. 1 이미지
  9. [국내논문]   크립 및 조사성장 이방성이 KOFA Zircaloy-4 피복관의 변형거동에 미치는 영향  

    김기항 (한국원자력연구소 ) , 이찬복 (한국원자력연구소 ) , 김규태 (한국원자력연구소)
    한국재료학회지 = Korean journal of materials research v.4 no.4 ,pp. 445 - 452 , 1994 , 1225-0562 ,

    초록

    가압 경수로 핵연료의 중성자 조사 조건에서 Zircaloy피복관의 3축방향으로의 변동거동은 집합도 계수에 따른 크립 이방성고 조사성장 이방성을 통하여 분석될 수 있다. 이러한 크립과 조사성장의 이방성이 Zircaloy피복관의 각 축방향 변형율에 미치는 영향을 평가할 수 있는 방법론이 제시되었다. 연소 후 측정된 KOFA Zircaloy-4피복관의 변형율과 핵연료 성능 분석 코드의예측치를 토대로 하여 각 축방향 변형율을 계산한 결과 KOFA Aircaloy-4 피복관의 원주방향 변형은 크립에 의해 주로 일어난 반면, 피복관의 길이방향 변형은 조사성장에 의하여 일어났으나 낮은 조사량에서는 크립의 영향도 상당히 큰것으로 나타났다.

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  10. [국내논문]   RF Magnetron Sputtering에 의한 $(Ba_{0.5}, Sr_{0.5})Tio_3$박막의 제조와 전기적 특성에 관한 연구  

    박상식 (충남대학교 재료공학과 ) , 윤손길 (충남대학교 재료공학과)
    한국재료학회지 = Korean journal of materials research v.4 no.4 ,pp. 453 - 458 , 1994 , 1225-0562 ,

    초록

    256Mb DRAM에서 박막 커패시터로의 적용을 위해서 $(Ba_{0.5}Sr_{0.5)/TiO_3$ (BST)박막이 RF Magnetron Sprttering방법에 의해 제조되었다. BST박막의 결정화도는 기판온도가 높아짐에 따라 증가하였고 증착된 박막의 조성은 $(Ba_{0.48}Sr_{0.48)/TiO_{2.93}$ 이었다. 이때 Pt/Ti장벽층은 Si의 BST계면으로의 확산을 억제하였다. 100kHz에서의 유전상수 및 유전손실은 각각 320 및 0.022이었다. 인가전계도 (Charge Storage Density)는 40fC/ $\mu \textrm{m}^{2}$ , 누설전류밀도(Leakage Current Density)는 0.8 $\mu A/\textrm{cm}^2$ 로서 RF Matnetron sputtering방법에 의해 제조된 BST 박막이 256Mb DRAM 적용 가능함을 보였다.

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