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전기전자재료 = Bulletin of the Korean institute of elect... 7건

  1. [국내논문]   SOI(Silicon-On-Insulator) 재료   피인용횟수: 1

    이제혁 (수원대학교 전자재료공학과 대학원 ) , 조봉희 (수원대학교 전기전자공학부 ) , 김영호 (수원대학교 전자재료공학과)
    전기전자재료 = Bulletin of the Korean institute of electrical and electronic material engineers v.12 no.9 ,pp. 1 - 9 , 1999 , 1226-7937 ,

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  2. [국내논문]   SOI MOS 트랜지스터의 전기적 특성  

    백희원 (수원대학교 전자재료공학과 대학원 ) , 변문기 (수원대학교 전자재료공학과 대학원 ) , 김영호 (수원대학교 전자재료공학과)
    전기전자재료 = Bulletin of the Korean institute of electrical and electronic material engineers v.12 no.9 ,pp. 10 - 16 , 1999 , 1226-7937 ,

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  3. [국내논문]   SOI 소자 및 회로의 전망  

    이혁재 (서울대학교 전기공학부 ) , 정인영 (서울대학교 전기공학부 ) , 국윤재 (서울대학교 전기공학부 ) , 박영준 (서울대학교 전기공학부)
    전기전자재료 = Bulletin of the Korean institute of electrical and electronic material engineers v.12 no.9 ,pp. 17 - 24 , 1999 , 1226-7937 ,

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  4. [국내논문]   SOI 소자 기술의 메모리 소자에의 응용  

    이종욱 (현대전자산업(주), 메모리연구소 ) , 고요환 (현대전자산업(주), 메모리연구소 수석연구원)
    전기전자재료 = Bulletin of the Korean institute of electrical and electronic material engineers v.12 no.9 ,pp. 25 - 36 , 1999 , 1226-7937 ,

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  5. [국내논문]   SOI 기판을 사용한 전력 IC용 반도체소자  

    최연익 (아주대 공대 전자공학부)
    전기전자재료 = Bulletin of the Korean institute of electrical and electronic material engineers v.12 no.9 ,pp. 37 - 49 , 1999 , 1226-7937 ,

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  6. [국내논문]   SOI RF 소자 기술의 동향  

    이종호 (원광대학교 전기전자공학부)
    전기전자재료 = Bulletin of the Korean institute of electrical and electronic material engineers v.12 no.9 ,pp. 50 - 56 , 1999 , 1226-7937 ,

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  7. [국내논문]   Noble SOI  

    정주영 (수원대학교 전기전자공학부)
    전기전자재료 = Bulletin of the Korean institute of electrical and electronic material engineers v.12 no.9 ,pp. 57 - 63 , 1999 , 1226-7937 ,

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    SOI 구조의 MOSFET은 제조공정이 상대적으로 간단하며 CMOS 래치 업 현상이 일어나지 않고, soft error에 의한 회로의 오동작 가능성이 매우 낮은 이외에도 낮은 기생 정전용량 및 누설전류 특성을 가지므로 0.1 미크론 이하의 소자를 제작하는데 적합하여 저전압, 초고속 VLSI 설계에 적합한 소자로 각광받고 있다. 본고에서는 새로운 구조의 SOI MOSFET 구조들의 특성과 장, 단점을 검토하고 나아가 BJT(Bipolar Junction Transistor) 및 기타 소자들을 SOI 구조로 제작한 결과에 대해 간단히 검토함으로써 1999년 현재 SOI 기술의 현황을 소개하고자 한다.

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