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전기전자재료학회논문지 = Journal of the Korean institute of e... 18건

  1. [국내논문]   Dual Gate Emitter Switched Thyristor의 Latch-up 전류 특성  

    이응래 (충북대학교 전기전자공학부 ) , 오정근 (충북대학교 전기전자공학 ) , 이형규 (충북대학교 전기전자공학 ) , 주병권 (한국과학기술연구원 마이크로시스 ) , 김남수 (충북대학교 전기전자공학부)
    전기전자재료학회논문지 = Journal of the Korean institute of electronic material engineers v.17 no.8 ,pp. 799 - 805 , 2004 , 1226-7945 ,

    초록

    Two dimensional MEDICI simulator is used to study the characteristics of latch-up current of Dual Gate Emitter Switched Thyristor. The simulation is done in terms of the current-voltage characteristics, latch-up current density, ON-voltage drop and electrical property with the variations of p-base impurity concentrations. Compared with the other power devices such as MOS Controlled Cascade Thyristor(MCCT), Conventional Emitter Switched Thyristor(C-EST) and Dual Channel Emitter Switched Thyristor(DC-EST), Dual Gate Emitter Switched Thyristor(DG-EST) shows to have the better electrical characteristics, which is the high latch-up current density and low forward voltage-drop. The proposed DG-EST which has a non-planer p-base structure under the floating $N^+$ emitter indicates to have the better characteristics of latch-up current and breakover voltage.

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    Fig. 1 이미지
  2. [국내논문]   193 nm에서 낮은 흡수도를 갖는 새로운 산 증식제의 합성 및 특성연구  

    소진호 (부경대학교 화상정보공학부 ) , 정용석 (부경대학교 화상정보공학 ) , 최상준 ((주)삼성 반도체 연구 ) , 정연태 (부경대학교 화상정보공학부)
    전기전자재료학회논문지 = Journal of the Korean institute of electronic material engineers v.17 no.8 ,pp. 806 - 811 , 2004 , 1226-7945 ,

    초록

    1-Hydroxy-4-(2-naphthalenesulfonyloxy) cyclohexane(1), 1,4-di-(2-naphthalenesulfonyloxy) cyclohexane(2), 1-hydroxy-4-(2-thiophenesulfonyloxy) cyclohexane(3), 1,4-di-(2-thiophenesulfonyloxy) cyclohexane(4) were synthesized and evaluated for their performance as novel acid amplifiers for 193 nm photoresists. These acid amplifiers(1-4) showed reasonable thermal stability at the usual resist-processing temperature, 9 $0^{\circ}C$ -12 $0^{\circ}C$ . And estimated by the sensitivity curve, (1)-(4) enhanced the sensitivity of poly(tert-butyl methacrylate) film by 1.2-1.4 times, compared to poly(tert-butyl methacrylate) film whithout acid amplifiers, in the presence of a photoacid generator.

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    Fig. 1 이미지
  3. [국내논문]   원자간력 현미경 탄소 나노튜브 팁을 이용한 플러렌 나노 구조물 제작에 관한 분자동역학 시뮬레이션  

    이준하 (상명대학교 공과대학 컴퓨터시스템공학 ) , 이홍주 (상명대학교 공과대학 컴퓨터시스템공학)
    전기전자재료학회논문지 = Journal of the Korean institute of electronic material engineers v.17 no.8 ,pp. 812 - 822 , 2004 , 1226-7945 ,

    초록

    This paper shows that carbon nanotubes can be applied to a nanopipette. Nano space in atomic force microscope multi-wall carbon nanotube tips is filled with molecules and atoms with charges and then, the tips can be applied to nanopipette when the encapsulated media flow off under applying electrostatic forces. Since the nano space inside the tips can be refilled, the tips can be permanently used in ideal conditions of no chemical reaction and no mechanical deformation. Molecular dynamics simulations for nanopipette applications demonstrated the possibility of nano-lithography or single-metallofullerene-transistor array fabrication.

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  4. [국내논문]   RPCVD를 이용한 실리콘 게르마늄 이종 접합 바이폴라 트랜지스터 제작 및 특성 분석  

    한태현 (광운대학교 전자재료공학과 ) , 서광열 (광운대학교 전자재료공학과)
    전기전자재료학회논문지 = Journal of the Korean institute of electronic material engineers v.17 no.8 ,pp. 823 - 829 , 2004 , 1226-7945 ,

    초록

    In this paper, non-self-aligned SiGe HBTs with ${f}_\tau$ and ${f}_max $ above 50 GHz have been fabricated using an RPCVD(Reduced Pressure Chemical Vapor Deposition) system for wireless applications. In the proposed structure, in-situ boron doped selective epitaxial growth(BDSEG) and TiSi $_2$ were used for the base electrode to reduce base resistance and in-situ phosphorus doped polysilicon was used for the emitter electrode to reduce emitter resistance. SiGe base profiles and collector design methodology to increase ${f}_\tau$ and ${f}_max $ are discussed in detail. Two SiGe HBTs with the collector-emitter breakdown voltages ${BV}_CEO$ of 3 V and 6 V were fabricated using SIC(selective ion-implanted collector) implantation. Fabricated SiGe HBTs have a current gain of 265 ∼ 285 and Early voltage of 102 ∼ 120 V, respectively. For the $1\times{8}_\mu{m}^2$ emitter, a SiGe HBT with ${BV}_CEO$ = 6 V show 6 V shows a cut-off frequency, ${f}_\tau$ of 24.3 GHz and a maximum oscillation frequency, ${f}_max $ of 47.6 GHz at $I_c$ of 3.7 mA and $V_CE$ of 4 V. A SiGe HBT with ${BV}_CEO$ = 3 V show 3 V shows ${f}_\tau$ of 50.8 GHz and ${f}_max $ of 52.2 GHz at $I_c$ of 14.7 mA and $V_CE$ of 2 V.

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  5. [국내논문]   La2O3첨가에 따른 무연 Bi(Na,K)TiO3-SrTiO3 세라믹스의 압전 특성  

    류주현 (세명대학교 전기공학과 ) , 이현석 (세명대학교 전기공학 ) , 박창엽 (세명대학교 전기공학 ) , 정광현 (인하대학교 전기공학 ) , 이덕출 (인하대학교 전기공학 ) , 정영호 (한전전력연구 ) , 홍재일 (동서울대학 전기정보제어과)
    전기전자재료학회논문지 = Journal of the Korean institute of electronic material engineers v.17 no.8 ,pp. 830 - 834 , 2004 , 1226-7945 ,

    초록

    In this study, lead-free pirzoelectric ceramics were investigated for pressure sensor applications as a function of the amount of ${La}_2{O}_3$ addition at $Bi(Na, K)Ti{O}_3-SrTi{O}_3$ system. With increasing the amount of addition, the density and dielectric constant increased up to 0.9 wt% ${La}_2{O}_3$ addition and decreased above 0.9 wt% ${La}_2{O}_3$ addition. Electromechanical coupling factor( $K_{P}$ ) showed the maximum value at 0.2 wt% ${La}_2{O}_3$ addition and decreased above 0.2 wt% ${La}_2{O}_3$ addition. Electromechanical coupling $factor{(K)}_P$ , density, dielectric constant $(\varepsilon_\Gamma)$ , piezoelectric constant $(d_33)$ and curie temperature $(T_C)$ showed optimum value of 0.40, 5.75 g/㎤, 768, 215 pC/N and 320 $^{\circ}C$ at 0.2 wt% ${La}_2{O}_3$ addition, respectively.

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  6. [국내논문]   소결온도에 따른 ZPCCE계 바리스터의 제한전압특성  

    남춘우 (동의대학교 전기공학과 ) , 박종아 (동의대학교 전기공학 ) , 김명준 (동의대학교 전기공학 ) , 유대훈 (동의대학교 전기공학과)
    전기전자재료학회논문지 = Journal of the Korean institute of electronic material engineers v.17 no.8 ,pp. 835 - 839 , 2004 , 1226-7945 ,

    초록

    The surge characteristics of ZnO varistors consisting of $ZnO-{Pr}_6{O}_11-CoO-{Cr}_2{O}_3-{Er}_2{O}_3$ ceramics were investigated at various sintering temperatures. As sintering temperature raises, the varistor voltage was decreased from 341.2 to 223.1 V/mm, the nonlinear exponent was decreased from 64,9 to 44.1. On the other hand, the leakage current exhibited a minimum(0.64 $\mu$ A) at 134 $0^{\circ}C$ , The clamping capability was slightly deteriorated with increasing sintering temperature. On the whole, the ZPCCE-based ZnO varistors exhibited good clamping voltage characteristics as exhibiting the clamping voltage ratio of 1.85 ∼ 1.92 approximately at surge current of 100 A.

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  7. [국내논문]   (1-x)Mg4Ta2O9-xTiO2(x=0\sim0.9)세라믹스의 미세구조와 마이크로파 유전 특성  

    김재식 (광운대학교 전자재료공학과 ) , 최의선 (광운대학교 전자재료공학 ) , 이문기 (광운대학교 전자재료공학 ) , 류기원 (여주대학 디지털정보전자 ) , 이영희 (광운대학교 전자재료공학과)
    전기전자재료학회논문지 = Journal of the Korean institute of electronic material engineers v.17 no.8 ,pp. 840 - 845 , 2004 , 1226-7945 ,

    초록

    The microstructure and microwave dielectric properties of $(1-x){Mg}_4{Ta}_2{O}_9-xTi{O}_2(x=0\sim0.9)$ ceramics were investigated. The specimens were prepared by the conventional mixed oxide method with sintering temperature of 140 $0^{\circ}C$ ∼150 $0^{\circ}C$ . To improve the quality factor and the temperature coefficient of resonant frequency, $ Ti{O}_2(\varepsilon\Gamma=100, Q\times f_\Gamma=40,000 GHz,\ta_f= +450 ppm\diagup^{\circ}C $ was added in ${Mg}_4{Ta}_2{O}_9$ ceramics. The dielectric and structural properties were investigated. According to the XRD patterns, $(1-x){Mg}_4{Ta}_2{O}_9-xTi{O}_2(x=0\sim0.9)$ ceramics had the ${Mg}_4{Ta}_2{O}_9$ phase(hexagonal) and ${MgTi}_2{O}_5$ phase(orthorhombic). The dielectric constant( $\varepsilon_r$ ). quality( $Qtimes{f}_r$ ${\tau}_f$ ) of the $(1-x){Mg}_4{Ta}_2{O}_9-xTi{O}_2(x=0\sim0.9)$ ceramics were 8.12∼18.59, 18,750∼186,410 GHz and -36.02∼+3.46 ppm/ $^{\circ}C$ , respectively.

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  8. [국내논문]   산소분압의 변화에 따른 ITO/polymeric 박막의 특성   피인용횟수: 1

    신성호 (기술표준원 에너지자원 표준과 ) , 김현후 (두원공과대학 전자과)
    전기전자재료학회논문지 = Journal of the Korean institute of electronic material engineers v.17 no.8 ,pp. 846 - 851 , 2004 , 1226-7945 ,

    초록

    Transparent conducting indium tin oxide (TC-ITO) thin films on polymeric substrates have been deposited by a dc reactive magnetron sputtering without heat treatments. The polymeric substrates are acryl (AC), poly carbornate (PC), and polyethlene terephthalate (PET) as well as soda lime glass is also used to compare with the polymeric substrates. Sputtering parameters are an important factor for high quality of TC-ITO thin films prepared on polymeric substrates. Furthermore, the material, electrical and optical properties of as-deposited ITO films are dominated by the ratio of oxygen partial pressure. As the experimental results, the surface roughness of ITO films becomes rough as the oxygen partial pressure increases. The electrical resistivity of as-deposited ITO films decreases initially, and then increases with the increase of oxygen partial pressure. The optical transmittance at visible wavelength for all polymeric substrates is above 82 %.

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  9. [국내논문]   Sol-gel 법으로 제작된 BST 박막의 Bi 첨가에 따른 구조적, 유전적 특성  

    김경태 (중앙대학교 전자전기공학부 ) , 김창일 (중앙대학교 전자전기공학부)
    전기전자재료학회논문지 = Journal of the Korean institute of electronic material engineers v.17 no.8 ,pp. 852 - 858 , 2004 , 1226-7945 ,

    초록

    An alkoxide-based sol-gel method was used to fabricate $Ba_{0.6}Sr_{0.4}TiO_{3}$ thin films doped by Bi from 5 to 20 mol% on a Pt/Ti/ $SiO_2$ /Sisubstrate. The structural and dielectric properties of BST thin films were investigated as a function of Bi dopant concentration. The dielectric properties of the Bi doped BST films were strongly dependent on the Bi contents. The dielectric constant and dielectric loss of the films decreased with increasing Bi content. However, the leakage current density of the 10 mol% Bi doped $Ba_{0.6}Sr_{0.4}TiO_{3}$ thin film showed the lowest value of 5.13 $\times 10^{-7} A/{cm}^2$ at 5 V. The figure of merit (FOM) reached a maximum value of 32.42 at a 10 mol% Bi doped $Ba_{0.6}Sr_{0.4}TiO_{3}$ thin films. The dielectric constant, loss factor, and tunability of the 10 mol% Bi doped $Ba_{0.6}Sr_{0.4}Tio_{3}$ thin films were 333, 0.0095, and 31.1%, respectively.

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  10. [국내논문]   열처리조건이 LaNiO3 졸-겔 박막의 배향성과 구조 및 저항성에 미치는 영향  

    박민석 (부경대학교 전자공학과 ) , 김대영 ((주)유니 ) , 서병준 (부경대학교 전자공학 ) , 김강언 (부경대학교 전자공학 ) , 정수태 (부경대학교 전자공학과)
    전기전자재료학회논문지 = Journal of the Korean institute of electronic material engineers v.17 no.8 ,pp. 859 - 865 , 2004 , 1226-7945 ,

    초록

    LaNiO $_3$ (LNO) thin films on (100) Si substrates are prepared by sol-gel method on heat treatment conditions, such as heat transfer direction, pyrolysis and annealing process, and annealing temperatures and times. The effect of heat treatment conditions on the (100) orientations, structures and resistances of the thin films are investigated by XRD, SEM(FESEM), and a lout probe method. Highly (100) orientation factor(0.97), a pseudocubic crystalline structure with a dense and uniform microstructure could be formed by the following conditions: 1) the heat transfer direction is from Si substrate to LNO, 2) the pyrolysis and annealing process are alternated, 3) the annealing temperature is $650^{\circ}C$ and 4) the annealing times is 3 minutes. The sheet resistance of thin films decreased with increasing of a annealing temperature and time, and a number of coating.

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