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전기전자재료학회논문지 = Journal of the Korean institute of e... 16건

  1. [국내논문]   Cu CMP에서 Citric Acid가 재료 제거에 미치는 영향  

    정원덕 (부산대학교 정밀기계공학과 ) , 박범영 (부산대학교 정밀기계공학과 ) , 이현섭 (부산대학교 정밀기계공학과 ) , 정해도 (부산대학교 기계공학부)
    전기전자재료학회논문지 = Journal of the Korean institute of electronic material engineers v.19 no.10 ,pp. 889 - 893 , 2006 , 1226-7945 ,

    초록

    Chemical mechanical polishing (CMP) achieves surface planrity through combined mechanical and chemical means. The role of slurry is very important in metal CMP. Slurry used in metal CMP normally consists of oxidizers, complexing agents, corrosion inhibitors and abrasives. This paper investigates the effects of citric acid as a complexing agent for Cu CMP with $H_2O_2$ . In order to study chemical effects of citric acid, X-ray photoelectron spectroscopy (XPS) was peformed on Cu sample after etching test. XPS results reveal that CuO, $Cu(OH)_2$ layer decrease but $CU/CU_2O$ layer increase on Cu sample surface. To investigate nanomechanical properties of Cu sample surface, nanoindentation was performed on Cu sample. Results of nanoindentation indicate wear resistance of Cu surface decrease. According to decrease of wear resistance on Cu surface removal rate increases from $285\;{\AA}/min\;to\;8645\;{\AA}/min$ in Cu CMP.

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    Fig. 1 이미지
  2. [국내논문]   MEMS 공정을 이용한 32x32 실리콘 캔틸레버 어레이 제작 및 특성 평가  

    김영식 (충북대학교 반도체공학과 ) , 나기열 (충북대학교 반도체공학과 ) , 신윤수 (충북대학교 반도체공학과 ) , 박근형 (충북대학교 반도체공학과 ) , 김영석 (충북대학교 반도체공학과)
    전기전자재료학회논문지 = Journal of the Korean institute of electronic material engineers v.19 no.10 ,pp. 894 - 900 , 2006 , 1226-7945 ,

    초록

    This paper reports the fabrication and characterization of $32{\times}32$ thermal cantilever array for nano-scaled memory device applications. The $32{\times}32$ thermal cantilever array with integrated tip heater has been fabricated with micro-electro-mechanical systems(MEMS) technology on silicon on insulator(SOI) wafer using 9 photo masking steps. All of single-level cantilevers(1,024 bits) have a p-n junction diode in order to eliminate any electrical cross-talk between adjacent cantilevers. Nonlinear electrical characteristic of fabricated thermal cantilever shows its own thermal heating mechanism. In addition, n-channel high-voltage MOSFET device is integrated on a wafer for embedding driver circuitry.

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    Fig. 1 이미지
  3. [국내논문]   LED 효율 향상을 위한 Texture구조 AZO 박막의 제조와 광학적 특성분석   피인용횟수: 5

    김경민 (원광대학교 전기전자 및 정보공학부 ) , 진은미 (원광대학교 전기전자 및 정보공학부 ) , 박춘배 (원광대학교 전기전자 및 정보공학부)
    전기전자재료학회논문지 = Journal of the Korean institute of electronic material engineers v.19 no.10 ,pp. 901 - 906 , 2006 , 1226-7945 ,

    초록

    The transparent conductive oxide(TCO) has been used in necessity as front electrode for increasing efficiency of LED. In our paper, aluminium-doped zinc oxide films(AZO), which has transparent conducting were prepared with RF magnetron sputtering system on glass substrate(corning 1737) and annealed at $400^{\circ}C$ for 2 hr in vacuum ambient and $600^{\circ}C$ for 2hr with $O_2$ ambient respectively. The smooth AZO films were etched in diluted HCL(0.5 %) to examine the surface properties, which in ambient post-annealing process. We confirmed that the electric, structural and optical properties of textured AZO thin films, which implemented using the methods of XRD, FWHM, AFM and Hall measurement. The properties of textured AZO thin films especially depended on the ambient post-annealing process. We presumed that the change of transmittances as R G B LED and the ambient post-annealing process will be increasing the efficiency of LED.

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  4. [국내논문]   SiO2/P+ 컬렉터 구조를 가지는 1700 V급 고전압용 IGBT의 설계 및 해석에 관한 연구  

    이한신 (고려대학교 전기전자공학과 ) , 김요한 (고려대학교 전기전자공학과 ) , 강이구 (극동대학교 컴퓨터정보표준학부 ) , 성만영 (고려대학교 전기전자공학과)
    전기전자재료학회논문지 = Journal of the Korean institute of electronic material engineers v.19 no.10 ,pp. 907 - 911 , 2006 , 1226-7945 ,

    초록

    In this paper, we propose a new structure that improves the on-state voltage drop and switching speed in Insulated Gate Bipolar Transistors(IGBTs), which can be widely used in high voltage semiconductors. The proposed structure is unique in that the collector area is divided by $SiO_2$ , whereas the conventional IGBT has a planar P+ collector structure. The process and device simulation results show remarkably improved on-state and switching characteristics. Also, the current and electric field distribution indicate that the segmented collector structure has increased electric field near the $SiO_2$ corner, which leads to an increase of electron current. This results in a decrease of on-state resistance and voltage drop to $30%{\sim}40%$ . Also, since the area of the P+ region is decreased compared to existing structures, the hole injection decreases and leads to an increase of switching speed to 30 %. In spite of some complexity in process procedures, this structure can be manufactured with remarkably improved characteristics.

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  5. [국내논문]   트랜치 에미터 전극을 이용한 수직형 NPI 트랜치 게이트 IGBT의 전기적 특성 향상 연구   피인용횟수: 2

    이종석 (고려대학교 전기공학과 ) , 강이구 (극동대학교 컴퓨터정보표준화학부 ) , 성만영 (고려대학교 전기공학과)
    전기전자재료학회논문지 = Journal of the Korean institute of electronic material engineers v.19 no.10 ,pp. 912 - 917 , 2006 , 1226-7945 ,

    초록

    In this paper, Trench emitter electrode IGBT structure is proposed and studied numerically using the device simulator, MEDICI. The breakdown voltage, on-state voltage drop, latch up current density and turn-off time of the proposed structure are compared with those of the conventional trench gate IGBT(TIGBT) structures. Enhancement of the breakdown voltage by 19 % is obtained in the proposed structure due to dispersion of electric field at the edge of the bottom trench gate by trench emitter electrode. In addition, the on-state voltage drop and the latch up current density are improved by 25 %, 16 % respectively. However increase of turn-off time in proposed structures are negligible.

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  6. [국내논문]   비정질 Ge1Se1Te2 과 Ge2Sb2Te5 칼코게나이드 박막의 상변화특성  

    정홍배 (광운대학교 전자재료공학과 ) , 조원주 (광운대학교 전자재료공학과 ) , 구상모 (광운대학교 전자재료공학과)
    전기전자재료학회논문지 = Journal of the Korean institute of electronic material engineers v.19 no.10 ,pp. 918 - 922 , 2006 , 1226-7945 ,

    초록

    Chalcogenide Phase change memory has the high performance necessary for next-generation memory, because it is a nonvolatile memory with high programming speed, low programming voltage, high sensing margin, low power consumption and long cycle duration. To minimize the power consumption and the program voltage, the new composition material which shows the better phase-change properties than conventional $Ge_2Sb_2Te_5$ device has to be needed by accurate material engineering. In the present work, we investigate the basic thermal and the electrical properties due to phase-change compared with chalcogenide-based new composition $Ge_1Se_1Te_2$ material thin film and convetional $Ge_2Sb_2Te_5$ PRAM thin film. The fabricated new composition $Ge_1Se_1Te_2$ thin film exhibited a successful switching between an amorphous and a crystalline phase by applying a 950 ns -6.2 V set pulse and a 90 ns -8.2 V reset pulse. It is expected that the new composition $Ge_1Se_1Te_2$ material thin film device will be possible to applicable to overcome the Set/Reset problem for the nonvolatile memory device element of PRAM instead of conventional $Ge_2Sb_2Te_5$ device.

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  7. [국내논문]   R-면 사파이어 기판 위에 플라즈마 분자선 에피탁시법을 이용한 산화아연 박막의 성장 및 특성평가  

    한석규 (충남대학교 재료공학과 ) , 홍순구 (충남대학교 재료공학과 ) , 이재욱 (한국과학기술원 신소재공학과 ) , 이정용 (한국과학기술원 신소재공학과)
    전기전자재료학회논문지 = Journal of the Korean institute of electronic material engineers v.19 no.10 ,pp. 923 - 929 , 2006 , 1226-7945 ,

    초록

    Single crystalline ZnO films were successfully grown on R-plane sapphire substrates by plasma-assisted molecular beam epitaxy. Epitaxial relationship between the ZnO film and the R-plane sapphire was determined to be $[-1101]Al_2O_3{\parallel}[0001]ZnO,\;[11-20]Al_2O_2{\parallel}[-1100]ZnO$ based on the in-situ reflection high-energy electron diffraction analysis and confirmed again by high-resolution X-ray diffraction measurements. Grown (11-20) ZnO films surface showed mound-like morphology along the ZnO direction and the RMS roughness was about 4 nm for $2{\mu}m{\times}2{\mu}m$ area.

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  8. [국내논문]   후처리 조건에 따른 탄소나노튜브 특성의 변화  

    최성헌 (군산대학교 전자정보공학부 ) , 이재형 (군산대학교 전자정보공학부 ) , 양종석 (원광대학교 전기전자 및 정보공학부 ) , 박대희 (원광대학교 전기전자 및 정보공학부 ) , 허정구 (나노카본)
    전기전자재료학회논문지 = Journal of the Korean institute of electronic material engineers v.19 no.10 ,pp. 930 - 934 , 2006 , 1226-7945 ,

    초록

    This paper reports a change of carbon nanotubes(CNTs) properties by post-treatment process after growth of CNTs. CNTs were treated by thermal method and solution method, and then investigated in detail using field emission scanning electron microscopy(FE-SEM), high resolution transmission scanning electron microscopy(HR-TEM), RAMAN spectroscopy, and Fourier Transform Infrared Spectrometer (FT-IR). FT-IR spectra showed that the amount of hydroxyl generated on surface of CNTs were changed with post-treatment condition. FE-SEM and TEM images were shown CNTs diameter and density variations were dependent with their treatment conditions. RAMAN spectroscopy was shown that carbon nanotubes structure vary with treatment conditions.

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  9. [국내논문]   액츄에이터 응용을 위한 Pb(Ni1/3Nb2/3)O3-PbTiO3 세라믹스의 압전 특성에 미치는 Fe2O3 첨가 영향   피인용횟수: 3

    임은경 (요업기술원 전자부품팀 ) , 김창일 (요업기술원 전자부품팀 ) , 이영진 (요업기술원 전자부품팀 ) , 임종인 (요업기술원 전자부품팀 ) , 백종후 (요업기술원 전자부품팀)
    전기전자재료학회논문지 = Journal of the Korean institute of electronic material engineers v.19 no.10 ,pp. 935 - 941 , 2006 , 1226-7945 ,

    초록

    In this paper, the dielectric and piezoelectric properties of $0.4Pb(Ni_{1/3}Nb_{2/3})O_3+0.6Pb(Zr_{405}Ti_{595})O_3+X\;wt%\;Fe_2O_3$ ceramics were investigated with the addition of $Fe_2O_3$ and sintering temperature. Dielectric constant and piezoelectric constant increased with amount of $Fe_2O_3$ to 0.25 wt% and then decreased the further addition of $Fe_2O_3$ . It seems that $Fe_2O_3$ acts as a sintering aid at the sintering temperature of $1150^{\circ}C$ . By the addition of $Fe_2O_3$ ., sintering temperature of the system was lowered from $1250^{\circ}C\;to\;1100^{\circ}C$ . The piezoelectric properties showed the maximum value of ${\varepsilon}r=4669,\;d_{33}=810(10^{-12}m/V)$ , kp = 77 %, Qm = 55, in $0.4Pb(Ni_{1/3}Nb_{2/3})O_3\;-0.6Pb(Zr_{0.405}Ti_{0.595})O_3+0.25wt%\;Fe_2O_3$ ceramics having composition near the morphotropic phase boundary. The composition may be appropriate for actuator materials because of high piezoelectric constant and electromechanical coupling factor.

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    Fig. 1 이미지
  10. [국내논문]   고압전동기 고정자 권선의 PRPD 부분방전 결함신호 해석   피인용횟수: 3

    박재준 (중부대학교 전기전자공학과 ) , 이성룡 (호서대학교 정보통신공학과 ) , 문대철 (호서대학교 정보통신공학과)
    전기전자재료학회논문지 = Journal of the Korean institute of electronic material engineers v.19 no.10 ,pp. 942 - 946 , 2006 , 1226-7945 ,

    초록

    We simulated insulation defects of stator winding wire on high voltage generator by 5 types. 4 types have one discharge source and other one has multi discharge source by simulation. For accurate decision, measurements used to PRPD pattern to occurred partial discharge source of various types. In this research, when PRPD pattern carried out or analyzed pattern recognition of discharge source, it used to powerful tools. In this result, PRPD Pattern defined to have single discharge source of 4 types by insulation defect. When insulation defect simulated, all the defected winding have not the same result. Errors for a little different can make mistakes from a subtle distinction. The difference between internal and void discharge have magnitude of pulse amplitude of inner discharge bigger than void discharge and have a shape of bisymmetry. But void discharge has a shape of bisymmetry against maximum value on polarity respectively. In cases of slot and surface discharge, we confirmed to show similar results those other researchers. In case of multi-discharge, as a result of we could classify not perfect match with occurred patterns in single discharge eachother. In the future, we will have to recognize and classify with results of multi-discharge.

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    Fig. 1 이미지

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