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전기전자재료학회논문지 = Journal of the Korean institute of e... 16건

  1. [국내논문]   유효면적과 평균속도를 고려한 TFT의 해석적 Drain 전류 모델  

    정태희 (건국대학교 전기공학과 ) , 원창섭 (건국대학교 전기공학과 ) , 류세환 (건국대학교 전기공학과 ) , 한득영 (건국대학교 전기공학과 ) , 안형근 (건국대학교 전기공학과)
    전기전자재료학회논문지 = Journal of the Korean institute of electronic material engineers v.21 no.3 ,pp. 197 - 202 , 2008 , 1226-7945 ,

    초록

    In this paper, we proposed an analytical model for TFT which has series of the polycrystalline structures. An average speed is defined as carrier speed by the electric field. The effective square is suggested as the area of grain without depletion for the changed grain size. First, physical parameters such as grain size, channel lenght and trap density, have been changed to prove the validity of the average speed model and the value of the effective square has been estimated through drain-source current.

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  2. [국내논문]   미세 표면 구조물을 갖는 패드의 제작 및 STI CMP 특성 연구  

    정석훈 (부산대학교 기계공학부 정밀가공시스템 ) , 정재우 (삼성전자 반도체총괄 스토리지사업부 ) , 박기현 (부산대학교 기계공학부 정밀가공시스템 ) , 서현덕 (부산대학교 기계공학부 정밀가공시스템 ) , 박재홍 (부산대학교 기계공학부 정밀가공시스템 ) , 박범영 (부산대학교 기계공학부 정밀가공시스템 ) , 주석배 (하이브리드소재 솔루션 협동과정 ) , 최재영 (동부일렉트로닉스(주) Nano T/F ) , 정해도 (부산대학교 기계공학부)
    전기전자재료학회논문지 = Journal of the Korean institute of electronic material engineers v.21 no.3 ,pp. 203 - 207 , 2008 , 1226-7945 ,

    초록

    Chemical mechanical polishing (CMP) allows the planarization of wafers with two or more materials. There are many elements such as slurry, polishing pad, process parameters and conditioning in CMP process. Especially, polishing pad is considered as one of the most important consumables because this affects its performances such as WIWNU(within wafer non-uniformity) and MRR(material removal rate). In polishing pad, grooves and pores on its surface affect distribution of slurry, flow and profile of MRR on wafer. A subject of this investigation is to apply CMP for planarization of shallow trench isolation structure using microstructure(MS) pad. MS pad is designed to have uniform structure on its surface and manufactured by micro-molding technology. And then STI CMP performances such as pattern selectivity, erosion and comer rounding are evaluated.

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  3. [국내논문]   P형 in-situ 도핑 폴리실리콘 막질에 관한 연구  

    오정섭 (삼성전자(주) FAB3팀 ) , 이상은 (삼성전자(주) FAB3팀 ) , 노진태 (삼성전자(주) FAB3팀 ) , 이상우 (삼성전자(주) FAB3팀 ) , 배경성 (삼성전자(주) FAB3팀 ) , 노용한 (성균관대학교 마이크로소자 LAB)
    전기전자재료학회논문지 = Journal of the Korean institute of electronic material engineers v.21 no.3 ,pp. 208 - 212 , 2008 , 1226-7945 ,

    초록

    This paper reports physical properties of in situ boron doped silicon films made from boron source gas and silane ( $SiH_4$ ) gas in a conventional low-pressure chemical vapor deposition vertical furnace. If the p-type polysilicon is formed by boron implantation into undoped polysilicon, the plasma nitridation (PN) process is added on the oxide in order to suppress boron penetration that can be caused during the thermal treatments used in fabrication. In-situ boron doped polysilicon deposition can complete p-type polysilicon film with only one deposition process and need not the PN process, because there is not interdiffusion of dopant at the intermediate temperatures of the subsequent steps. Since in-situ boron doped polysilicon films have higher work function than that of n-type polysilicon and they are compatible with the underlying oxide, they may be promising materials for improving memory cell characteristics if we make its profit of these physical properties.

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  4. [국내논문]   Display Driver IC용 Amplifier Input Transistor의 Matching 개선   피인용횟수: 1

    김현철 (삼성전자(주) S.LSI 사업부 기술개발실 DDI PA ) , 노용한 (성균관대학교 정보통신공학부)
    전기전자재료학회논문지 = Journal of the Korean institute of electronic material engineers v.21 no.3 ,pp. 213 - 216 , 2008 , 1226-7945 ,

    초록

    The voltages for pixel electrodes on LCD panels are supplied with analog voltages from LCD Driver ICs (LDIs). The latest LDI developed for large LCD TV's has suffered from the degradation of analog output characteristics (target voltage: AVO and output voltage deviation: dVO). By the failure analysis, humps in $I_D-V_G$ curves have been observed in high voltage (HV) NMOS devices for input transistors in amplifiers. The hump is investigated to be the main cause of the deviation for the driving current in HV NMOS transistors. It also makes the matching between two input transistors worse and consequently aggravates the analog output characteristics. By simply modifying the active layout of HV NMOS transistors, this hump was removed and the analog characteristics (AVO &dVO) were improved significantly. In the help of the improved analog characteristics, it also became possible to reduce the size of the input transistors less than a half of conventional transistors and significantly improve the integration density of LDIs.

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  5. [국내논문]   분쇄 방법 및 하소온도에 따른 Doner-doped BaTiO3의 전기적 특성  

    이정철 (요업(세라믹)기술원 첨단소재부품팀 ) , 명성재 (요업(세라믹)기술원 첨단소재부품팀 ) , 전명표 (요업(세라믹)기술원 첨단소재부품팀 ) , 조정호 (요업(세라믹)기술원 첨단소재부품팀 ) , 김병익 (요업(세라믹)기술원 첨단소재부품팀 ) , 신동욱 (한양대학교 신소재공학과)
    전기전자재료학회논문지 = Journal of the Korean institute of electronic material engineers v.21 no.3 ,pp. 217 - 221 , 2008 , 1226-7945 ,

    초록

    In this study, We have been investigated the effect of calcination temperature and high-energy ball-milling of powder influences the $BaTiO_3$ -based PTCR(Positive Temperature coefficient Resistance) characteristics and microstructure. The mixed powder was obtained from $BaCO_3$ , $TiO_2$ , $CeO_2$ ball-milled in attrition mill. The mixed powder was calcine from 1000 $^{\circ}C$ to 1200 $^{\circ}C$ in air and then it was sintered in reduction- re-oxidation atmosphere. As a result, The room-temperature electrical resistivity decreased and increased with increasing calcination temperature. specially, Attrition milled powder could have low room-temperature resistivity and high PTC jump order at 1100 $^{\circ}C$ . attrition milling had lower room-temperature resistivity than ball milling. Particle size decreased by Attrition milling of powder influences in calcination temperature and room-temperature resistivity.

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  6. [국내논문]   종자정 부착 시 생성되는 마이크로 기공이 PVT법에 의하여 성장시킨 6H-SiC 결정질에 미치는 영향  

    김정곤 (동의대학교 신소재.나노공학과 ) , 김정규 (동의대학교 전자세라믹스센터 ) , 손창현 (동의대학교 나노공학과 ) , 최정우 (동의대학교 나노공학과 ) , 황현희 (동의대학교 나노공학과 ) , 이원재 (동의대학교 나노공학과 ) , 김일수 (동의대학교 나노공학과 ) , 신병철 (동의대학교 나노공학과)
    전기전자재료학회논문지 = Journal of the Korean institute of electronic material engineers v.21 no.3 ,pp. 222 - 226 , 2008 , 1226-7945 ,

    초록

    With different seed adhesion methods, we obtained two different aspects with or without micro-bubble in the interface between a seed and a dense graphite seed holder. To improve the quality of SiC wafer, we introduced a sucrose caramelizing step at the seed adhesion using the sucrose, The n-type 2 inch single crystal exhibiting the polytype of 6H-SiC were successfully fabricated and carrier concentration levels of about $10^{16}/cm^3$ was determined from Hall measurements, As compared to the characteristics of SiC crystal grown with micro-bubble in the interface between the seed and the dense graphite seed holder, the SiC crystal grown without micro-bubble definitely exhibited lower resistivity, lower micropipe density and higher mobility relatively.

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  7. [국내논문]   Post-annealing 방법으로 제작된 저온소결 Pb(Zn1/2W1/2)O3-Pb(Mn1/2Nb2/3)O3-Pb(Zr0.48Ti0.52)O3 세라믹의 압전 및 유전특성   피인용횟수: 1

    류주현 (세명대학교 전기공학과 ) , 이갑수 (세명대학교 전기공학과)
    전기전자재료학회논문지 = Journal of the Korean institute of electronic material engineers v.21 no.3 ,pp. 227 - 231 , 2008 , 1226-7945 ,

    초록

    In this study, in order to improve the electrical properties of low temperature sintering piezoelectric ceramics, $[0.05Pb(Zn_{1/2}W_{1/2})-0.07Pb(Mn_{1/3}Nb_{2/3})-0.088Pb(Zr_{0.48}Ti_{0.52})]O_3$ (abbreviated as PZW-PMN-PZT) ceramic systems were fabricated using $Bi_2O_3$ , CuO and $Li_2CO_3$ as sintering aids and then their piezoelectric and dielectric properties were investigated according to the amount of $Li_2CO_3$ and post-annealing process. Post-annealing process enhanced all physical properties except for mechanical quality factor (Qm). 0.2 wt% $Li_2CO_3$ added and post-annealed specimen showed the excellent values suitable for low loss piezoelectric actuator application as follow: the density = 7.86 $g/cm^3$ electromechanical coupling factor (kp) = 0.575, piezoelectric constant $d_{33}$ = 370 pC 370 pC/N, dielectric constant ( $\varepsilon_r$ ) = 1546, and mechanical quality factor (Qm) = 1161, respectively.

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  8. [국내논문]   압전 액츄에이터에 활용할 저온소결 압전 세라믹스에 관한 연구  

    류성림 (충주대학교 신소재공학과 ) , 이상호 (세명대학교 전기공학과 ) , 류주현 (세명대학교 전기공학과)
    전기전자재료학회논문지 = Journal of the Korean institute of electronic material engineers v.21 no.3 ,pp. 232 - 235 , 2008 , 1226-7945 ,

    초록

    In this study, in order to develop the composition ceramics for multilayer piezoelectric actuator, PMN-PNN-PZT ceramics were fabricated using $Li_2CO_3$ , $Na_2CO_3$ , ZnO as sintering aids and their piezoelectric and dielectric properties were investigated according to the Bi substitution, Bi substitution induced grain growth and increase of sinterablity, And also, Bi substitution suppress secondary phase due to the liquid phase sintering effect. Bi substitution enhanced electromechanical coupling factor ( $k_p$ ) and dielectric constant ( $\varepsilon_r$ ), However, mechanical quality factor( $Q_m$ ) was deteriorated, At the sintering temperature of 870 $^{\circ}C$ and Bi substitution of 1 mol%, density, electromechanical coupling factor ( $k_p$ ), mechanical quality factor ( $Q_m$ ), Dielectric constant ( $\varepsilon_r$ ) and piezoelectric constant ( $d_{33}$ ) of specimen showed the optimum values of 7,878 $g/cm^3$ , 0,608, 835, 1603 and 397 pC/N, respectively for multilayer piezoelectric actuator application.

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  9. [국내논문]   유기 용매 혼합비에 따른 슬러리의 유동 특성과 세라믹 그린 쉬트의 두께 제어  

    김준영 (전자부품연구원 전자소재패키지연구센터 ) , 김승택 (전자부품연구원 전자소재패키지연구센터 ) , 박종철 (전자부품연구원 전자소재패키지연구센터 ) , 유명재 (전자부품연구원 전자소재패키지연구센터)
    전기전자재료학회논문지 = Journal of the Korean institute of electronic material engineers v.21 no.3 ,pp. 236 - 241 , 2008 , 1226-7945 ,

    초록

    The effect of organic solvent mixture ratio on the rheology property of slurry and thickness control of ceramic green sheet was investigated. For selecting a suitable dispersant multiple light scattering method was used to evaluate the particle migration velocity and variation of clarification layer thickness. Using the selected dispersant the dispersion property of solution according to solvent mixture ratio was investigated. Binder and plasticizers were added to formulate slurries and their viscosity was evaluated according to solvent mixture ratio. Ceramic green sheets with average thickness of 30, 50 urn were fabricated via tape casting and their thickness tolerances measured. As a result according to solvent mixture ratio the solution and slurry properties varied and for the mixture ratio of ethanol/toluene of 80/20 the ceramic green sheet with the lowest thickness tolerance was obtained.

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  10. [국내논문]   B, Al, Ga, In의 도핑물질이 투명 전도성 ZnO 박막의 특성에 미치는 영향  

    노영우 (부경대학교 전자공학과 ) , 조종래 (부경대학교 전자공학과 ) , 손세모 (부경대학교 인쇄공학과 ) , 정수태 (부경대학교 전자공학과)
    전기전자재료학회논문지 = Journal of the Korean institute of electronic material engineers v.21 no.3 ,pp. 242 - 248 , 2008 , 1226-7945 ,

    초록

    The structural, optical and electrical properties of ZnO films doped with 1.5 at% of 3A materials(B, Al, Ga, In) were studied by sol-gel process. The films were found to be c-axis (002) oriented hexagonal structure on glass substrate, when post heated at 500 $^{\circ}C$ . The surface of the films showed a uniform and nano size microstructure and the crystalline size of doped films decreased. The lattice constants of ZnO:B/Al/Ga increased than that of ZnO, while ZnO:In decreased. All the films were highly transparent(above 90 %) in the visible region. The energy gaps of ZnO:B/Al/Ga were increased a little, but that of ZnO:In was not changed. The resistivities of ZnO:Al/Ga/In were less than 0.1 $\Omega$ cm. All the films showed a semiconductor properties in the light or temperature, however ZnO:In was less sensitive to it. A figure of merit of ZnO:In had the highest value of 0.025 $\Omega^{-1}$ in all samples.

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