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전기전자재료학회논문지 = Journal of the Korean institute of e... 16건

  1. [국내논문]   Excimer Laser Annealing 결정화 방법 및 고유전 게이트 절연막을 사용한 poly-Si TFT의 특성  

    이우현 (광운대학교 전자재료공학과 ) , 조원주 (광운대학교 전자재료공학과)
    전기전자재료학회논문지 = Journal of the Korean institute of electronic material engineers v.21 no.1 ,pp. 1 - 4 , 2008 , 1226-7945 ,

    초록

    The electrical characteristics of polycrystalline silicon (poly-Si) thin film transistor (TFT) crystallized by excimer laser annealing (ELA) method were evaluated, The polycrystalline silicon thin-film transistor (poly-Si TFT) has higher electric field-effect-mobility and larger drivability than the amorphous silicon TFT. However, to poly-Si TFT's using conventional processes, the temperature must be very high. For this reason, an amorphous silicon film on a buried oxide was crystallized by annealing with a KrF excimer laser (248 nm)to fabricate a poly-Si film at low temperature. Then, High permittivity $HfO_2$ of 20 nm as the gate-insulator was deposited by atomic layer deposition (ALD) to low temperature process. In addition, the solid phase crystallization (SPC) was compared to the ELA method as a crystallization technique of amorphous-silicon film. As a result, the crystallinity and surface roughness of poly-Si crystallized by ELA method was superior to the SPC method. Also, we obtained excellent device characteristics from the Poly-Si TFT fabricated by the ELA crystallization method.

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  2. [국내논문]   Si와 GaAs기판 위에 AIN 박막의 전기적 특성  

    박정철 (경원대학교 IT대학 전자공학 ) , 추순남 (경원대학교 공과대학 전기공학 ) , 권정렬 (명지대학교 공과대학 전기공학과 ) , 이헌용 (명지대학교 공과대학 전기공학과)
    전기전자재료학회논문지 = Journal of the Korean institute of electronic material engineers v.21 no.1 ,pp. 5 - 11 , 2008 , 1226-7945 ,

    초록

    To study the effects of $H_2$ gas on AIN insulation thin film, we prepared AIN thin film on Si and GaAs substrate by means of reactive sputtering method using $H_2$ gas as an additives, With treatment conditions of $H_2$ gas AIN thin film shows variable electrical properties such as its crystallization and hysterisis affected to electrical property, As a results, AIN thin film fabricated on Si substrate post-treated with $H_2$ gas for 20 minutes shows much better an insulation property than that of pre-treated, And AIN film treated with $H_2$ gas comparing to non-treated AIN film shows a flat band voltage decreasment. But In GaAs substrate $H_2$ gas does not effect on the flat band voltage.

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  3. [국내논문]   태양전지 모듈의 바이패스 다이오드 동작 특성 분석   피인용횟수: 4

    김승태 (건국대학교 전기공학과 ) , 박지홍 (건국대학교 전기공학과 ) , 강기환 (한국에너지기술연구원 태양광발전연구센터 ) , 화이티루 (건국대학교 전기공학과 ) , 안형근 (건국대학교 전기공학과 ) , 유권종 (한국에너지기술연구원 태양광발전연구센터 ) , 한득영 (건국대학교 전기공학과)
    전기전자재료학회논문지 = Journal of the Korean institute of electronic material engineers v.21 no.1 ,pp. 12 - 17 , 2008 , 1226-7945 ,

    초록

    In this paper, an I-V characteristics of bypass diode has been studied by counting the shading effect in photovoltaic module. The shadow induces hot spot phenomenon in PV module due to the increase of resistance in the current path. Two different types of PV module with and without bypass diode were fabricated to expect maximum output power with an increasing shading rate of 5 % on the solar cell. Temperature distribution is also detected by shading the whole solar cell for the outdoor test. From the result, the bypass diode works properly over 60 % of shading per cell with constant output power. Maximum power generation in case of solar cell being totally shaded with bypass diode decreases 41.3 % compared with the one under STC(Standard Test Condition). On the other hand, the maximum output power of the module without bypass diode gradually decreases by showing hot spot phenomenon with the increase of shading ratio on the cell and finally indicates 95.5 % of power loss compared with the output under STC. Finally the module temperature measured increases around $10^{\circ}C$ higher than that under STC due to hot-spots which come from the condition without bypass diode. It has been therefore one of the main reasons for degrading the PV module and shortening the durability of the PV system.

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  4. [국내논문]   나노급 CMOSFET을 위한 니켈-코발트 합금을 이용한 니켈-실리사이드의 열안정성 개선  

    박기영 (충남대학교 전자공학과 ) , 정순연 (충남대학교 전자공학과 ) , 한인식 (충남대학교 전자공학과 ) , 장잉잉 (충남대학교 전자공학과 ) , 종준 (충남대학교 전자공학과 ) , 이세광 (충남대학교 전자공학과 ) , 이가원 (충남대학교 전자공학과 ) , 왕진석 (충남대학교 전자공학과 ) , 이희덕 (충남대학교 전자공학과)
    전기전자재료학회논문지 = Journal of the Korean institute of electronic material engineers v.21 no.1 ,pp. 18 - 22 , 2008 , 1226-7945 ,

    초록

    In this paper, the Ni-Co alloy was used for thermal stability estimation comparison with Ni structure. The proposed Ni/Ni-Co structure exhibited wider range of rapid thermal process windows, lower sheet resistance in spite of high temperature annealing up to $700^{\circ}C$ for 30 min, more uniform interface via FE-SEM analysis, NiSi phase peak. Therefore, The proposed Ni/Ni-Co structure is highly promising for highly thermal immune Ni-silicide for nano-scale MOSFET technology.

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  5. [국내논문]   턴-오프 시 PT-IGBT의 애노드 전압 강하 모델링  

    류세환 (건국대학교 전기공학과 ) , 이호길 ((주) 삼성전자 반도체총괄 메모리사업부 ) , 안형근 (건국대학교 전기공학과 ) , 한득영 (건국대학교 전기공학과)
    전기전자재료학회논문지 = Journal of the Korean institute of electronic material engineers v.21 no.1 ,pp. 23 - 28 , 2008 , 1226-7945 ,

    초록

    In this paper, transient characteristics of the Punch Through Insulated Gate Bipolar Transistor (PT-IGBT) have been studied. On the contrary to Non-Punch Through Insulated Gate Bipolar Transistor(NPT-IGBT), it has a buffer layer and reduces switching power loss. It has a simple drive circuit controlled by the gate voltage of the MOSFET and low on-state resistance of the bipolar junction transistor. The transient characteristics of the PT-IGBT have been analyzed analytically. Excess minority carrier and charge distribution in active base region, the rate of anode voltage with time are expressed analytically by adding the influence of buffer layer. The experimental data is obtained from manufacturer. The theoretical predictions of the analysis have been compared with the experimental data obtained from the measurement of a device(600 V, 15 A) and show good agreement.

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  6. [국내논문]   희토류 금속을 이용한 니켈 실리사이드의 전기 및 물리적 특성  

    이원재 (삼성전자(주) 시스템 LSI사업부 ) , 김도우 (한국폴리텍여자대학 디지털디자인과 ) , 김용진 (매그나칩 반도체 SMS사업부 ) , 정순연 (충남대학교 전자공학과 ) , 왕진석 (충남대학교 전자공학과)
    전기전자재료학회논문지 = Journal of the Korean institute of electronic material engineers v.21 no.1 ,pp. 29 - 34 , 2008 , 1226-7945 ,

    초록

    In this paper, we investigated electrical and physical characteristics of nickel silicide using rare-earth metals(Er, Yb, Tb, Dy), Incorporated Ytterbium into Ni-silicide is proposed to reduce work function of Ni-silicide for nickel silicided schottky barrier diode (Ni-silicided SBD). Nickel silicide makes ohmic-contact or low schottky barrier height with p-type silicon because of similar work function ( ${\phi}_M$ ) in comparison with p-type silicon. However, high schottky barrier height is formed between Ni-silicide and p-type substrate by depositing thin ytterbium layer prior to Ni deposition. Even though the ytterbium is deposited below nickel, ternary phase $Yb_xN_{1-x}iSi$ is formed at the top and inner region of Ni-silicide, which is believed to result in reduction of work function about 0.15 - 0.38 eV.

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  7. [국내논문]   중광도 LED항공장애등 등구의 최적설계프로세서 확립에 관한 연구  

    김성철 (일진전기(주) 조명사업부 ) , 장정원 (일진전기(주) 중전기 기술연구소)
    전기전자재료학회논문지 = Journal of the Korean institute of electronic material engineers v.21 no.1 ,pp. 35 - 43 , 2008 , 1226-7945 ,

    초록

    Aviation obstacle lights including controller for the safe night aviation service have applied to high voltage transmission line of which height is from $60{\sim}180 m$ , Fresnel lens made by Augustine Fresnel have been applied to light houses, These Fresnel lens were applied to aviation obstacle lights and have been universally used, It was reported that Fresnel lens for aviation obstacle light was used in the first place in Korea in 1987, LEDs have recently been applied to aviation obstacle lights, So, the optimum physical design is essential to the design of aviation obstacle light. In this study, optical and three dimensional modeling of LED module and globe lens were performed, And thermal analysis due to LED thermal source and service thermal condition in high voltage transmission line was performed and was analyzed comparing with experiments, The optimum design process of medium intensity LED aviation obstacle lights was constructed with three dimensional modeling, thermal analysis, and thermal experimental technique.

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  8. [국내논문]   고농도의 Ge 함량을 가진 Biaxially Strained SiGe/Si Channel Structure의 정공 이동도 특성  

    정종완 (세종대학교 나노공학과)
    전기전자재료학회논문지 = Journal of the Korean institute of electronic material engineers v.21 no.1 ,pp. 44 - 48 , 2008 , 1226-7945 ,

    초록

    Hole mobility characteristics of two representative biaxially strained SiGe/Si structures with high Ge contents are studied, They are single channel ( $Si/Si_{1-x}Ge_x/Si$ substrate) and dual channel ( $Si/Si_{1-y}Ge_y/Si_{1-x}Ge_x/Si$ substrate), where the former consists of a relaxed SiGe buffer layer with 60 % Ge content and a tensile-strained Si layer on top, and for the latter, a compressively strained SiGe layer is inserted between two layers, Owing to the hole mobility performance between a relaxed SiGe film and a compressive-strained SiGe film in the single channel and the dual channel, the hole mobility behaviors of two structures with respect to the Si cap layer thickness shows the opposite trend, Hole mobility increases with thicker Si cap layer for single channel structure, whereas it decreases with thicker Si cap layer for dual channel. This hole mobility characteristics could be easily explained by a simple capacitance model.

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  9. [국내논문]   적층형 압전 액츄에이터를 이용한 L1-B4형 선형 초음파 리니어 모터의 타원변위궤적  

    이갑수 (세명대학교 전기공학과 ) , 류주현 (세명대학교 전기공학과 ) , 황은상 (세명대학교 컴퓨터학과 ) , 박덕원 (세명대학교 컴퓨터학과)
    전기전자재료학회논문지 = Journal of the Korean institute of electronic material engineers v.21 no.1 ,pp. 49 - 52 , 2008 , 1226-7945 ,

    초록

    In this study, multilayer structured ultrasonic linear motor was simulated using Atila for investigating its optimum driving conditions. The ultrasonic linear motors mainly consist of an ultrasonic vibrator to generate elliptical displacement. The ultrasonic linear motor simulated in this paper was the use of the 1st longitudinal(Ll) and 4th bending vibrations (B4). Whit the increase of the number of piezoelectric actuator layers, displacement of node was increased. Maximum total displacement of node was about $3,91{\mu}m$ at the 13 layered ultrasonic motor under 5 V.

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  10. [국내논문]   고체재료의 유전율 측정용 Cell의 불확도 분석과 보상  

    김한준 (한국표준과학연구원 기반표준부 전자기그룹 ) , 유광민 (한국표준과학연구원 기반표준부 전자기그룹 ) , 강전홍 (한국표준과학연구원 기반표준부 전자기그룹 ) , 한상옥 (충남대학교 전기공학과)
    전기전자재료학회논문지 = Journal of the Korean institute of electronic material engineers v.21 no.1 ,pp. 53 - 56 , 2008 , 1226-7945 ,

    초록

    The commercial parallel plate electrodes system with guard-ring electrode have been widely used for measurement of dielectric constants of solid materials. And the specification of the electrodes system is about 1 % of measurement uncertainty. This measurement uncertainty is only estimated the error come from mechanical measurements such as the area of the electrodes and the gap between the electrodes except the error come from the air gap between the electrodes and dielectric specimen. Because it is impossible to measure the air gap. This study analyze the total measurement uncertainties of the commercial dielectric constant test cell using 3 kinds of Standard Reference Materials. As a results, the total measurement uncertainty is much bigger than 1 % and the most of the uncertainty can be reduced by compensation of the error values evaluated in this study.

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    Fig. 1 이미지

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