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한국결정성장학회지 = Journal of the Korean crystal growth a... 8건

  1. [국내논문]   초크랄스키법에 의한 8인치 실리콘 단결정 성장시 비대칭 커스프자장의 영향에 관한 연구  

    이승철 (서울대학교 금속공학과 ) , 정형태 (산업과학기술연구소 ) , 윤종규 (서울대학교 금속공학과)
    한국결정성장학회지 = Journal of the Korean crystal growth and crystal technology v.6 no.1 ,pp. 1 - 10 , 1996 , 1225-1429 ,

    초록

    초크랄스키법에 의한 8언치 실리콘 단결정 성장시 커스프자장의 영향에 관한 수치 해석적 연구를 행하였다. 액상실리콘의 유동에 대한 모렐은 저레이놀즈수 모렐을 사용하였다. 대칭커스프자장은 유션의 강도를 감쇄하였고, 특히 도가니 벽면 근처에서의 유동의 감쇄효과가 현저하였다. 결정으로 혼업되는 산소의 농도는 인가되는 커스프자장의 증가에 따라 감소하였다. 그리고, 결정으로 혼업되는 산소농도의 균일성은 향상되었다. 비대칭커스프 자장은 결정으로 혼 입되는 산소의 농도를 중가시켰지만, 반경방향의 산소농도의 분포는 일정하게 유지되었다. 대칭 과 비대청 커스프자장의 적절한 조합을 행하면 축방향으로 일정한 산소의 분포를 갖는 적절한 조업조건이 도출될 것으로 예상된다.

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  2. [국내논문]   대구경 규소 Czochralski 단결정 속의 결정 결함 규명  

    이보영 ((주)SILTRON ) , 김영관 (인천대학교 재료공학과)
    한국결정성장학회지 = Journal of the Korean crystal growth and crystal technology v.6 no.1 ,pp. 11 - 18 , 1996 , 1225-1429 ,

    초록

    Czochralski법으로 성장된 대구경(8인치 이상) 규소 단결정속에 폰재하는 결정 결 함을 규명하였다. Ring형 산화 적충 결함(Oxidation Induced Stacking Faults, 일명 OISF)의 발생 형태를 조사하였다. Minority life time을 mappmg하여 본 결과, rmg형 OISF의 폰재는 재료의 전기적 성질에 영향을 미칠 가능성이 높은 것으로 확인되었다. OISF의 핵 생성에 미치는 냉각 속도의 영향을 조사한 결과 homogeneous적 핵 생성 및 성장 현상을 확인할 수 있었다. 또한 COP(Crystal Originated Particle)의 주원인인 FPD(Flow Pattern Defects)의 발생은 용 체의 응고 속도에 크게 화우됨을 발견하였다. 이들 결함의 상반된 발생 현상의 제어를 위하여 는 인상 속도는 느리게, 또한 $950^{\circ}C$ 근처에서의 냉각속도는 빠르게 하는 것이 바람직한 것으로 결함 발생 제어 모델이 제시되었다.

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  3. [국내논문]   수평브릿지만법에 의한 갈륨비소 과도기 성장의 유한요소 해석  

    김도현 (한국과학기술원 화학공학과 ) , 민병수 (현대중공업 산업기술연구소)
    한국결정성장학회지 = Journal of the Korean crystal growth and crystal technology v.6 no.1 ,pp. 19 - 31 , 1996 , 1225-1429 ,

    초록

    갈륨 비소 반도체 결정을 성장시키는 데 많이 사용되는 수평브렷지만법에 의하여 성장된 갈륨비소 단결정 내에셔 불순물 분포를 알아보기 위하여 액상에서 열전달, 물질전달, 유 체흐름과 고상에서 열전달을 묘사하는 과도기 모탤을 수립하였고 유한요소법과 음함수 척분법 에 의하여 수치모사를 행하였다. 그 결과 Gr이 작은 경우에는 확산조절성장의 특성을 보였으며 G Gr이 1,700 정도만 되어도 농도의 최소값이 계면 근처로 이동하였다. 응고가 진행됨에 따라 계 면의 곡률이 증가하였고, 흐름에 의한 혼합이 안정될 때까지 수직편석이 증가하였다. 수펑편석 은 응고가 진행됨에 따라 증가하였지만 흐름의 강도가 강한 경우에는 곧 일정하게 유지되였다. G Gr이 아주 작거나 큰 경우에는 Smith식과 Scheil식의 경우와 잘 일치하였다.

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  4. [국내논문]   $CdIn_{2}Te_{4}$ 단결정 성장과 전기적 특성  

    홍광준 (조선대학교 물리학과)
    한국결정성장학회지 = Journal of the Korean crystal growth and crystal technology v.6 no.1 ,pp. 32 - 43 , 1996 , 1225-1429 ,

    초록

    $CdIn_{2}Te_{4}$ 단결정을 Bridgman방법으로 성장하였다. 성장된 $CdIn_{2}Te_{4}$ 단결정은 분말법으로 X-ray diffraction을 측정하여 tetragonal로 성장되었음을 알 수 있었고 격자상수는 Nelson-Riley 보정식을 이용하여 외삽법으로 구한 결과 $a_{0}$ 는 $6.215{\AA}$ , $c_{0}$ 는 $12.390{\AA}$ 이었다. $CdIn_{2}Te_{4}$ 결정이 단결정임을 알아보기 위해 Laue 배면 반사법으로 측정하였는데 c축에 수평한면은 (110), c축에 수직한 면은 (001)으로 성장되었음을 알 수 있었다. 또한 van der Pauw방법으로 Hall 효과를 측정하여 운반자 농도와 이동도를 구하였으며, c축에 수직한 시료의 carrier density는 $8.75{\times}10^{23}electrons/m^{3},\;mobility는\;3.41{\times}10^{-2}m^{2}/V.s$ 였으며 c축에 평행한 시료의 carrier density는 $8.61{\times}10^{23}electrons/m^{3},\;mobility는\;2.42{\times}10^{-2}m^{2}/V.s$ 였다. 또한 Hall 계수가 양의 값이여서 $CdIn_{2}Te_{4}$ 단결정은 p형 반도체임을 알 수 있었다.

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  5. [국내논문]   산화 바나디움, 몰리브데늄, 리티움계 융제법에 의한 합성 Emerald 단결정 육성  

    최의석 (국립공업기술원 요업기술원 ) , 김무경 (국립공업기술원 요업기술원 ) , 이종민 (국립공업기술원 요업기술원 ) , 안영필 (삼조실업(주) ) , 서청교 (삼조실업(주) ) , 안찬준 (삼조실업(주))
    한국결정성장학회지 = Journal of the Korean crystal growth and crystal technology v.6 no.1 ,pp. 44 - 55 , 1996 , 1225-1429 ,

    초록

    천연 베릴을 이용하여 $V_20_5$ , $Mo0_3$ , $Li_2O$ 계 융제 및 첨가제 조성, 베렬의 용해도 그 리고 결정성장 온도와 같은 결정성창 조건을 제어하여 에메랄드 단결정을 성장시켰다. Flux와 첨가제를 조정하여 저온( $1100^{\circ}C$ 이하)에셔 용해성이 높은 과포화 용융체를 만들고 온도 구배 ( ${\Delta}t 100^{\circ}C$ ), 열진동 효과 등을 정멀 제어 조정하므로써 고품질의 대형 emerald 단결정을 성장 시킬 수 있었다. 성장된 에메랄드 단결정의 특성은 굴절률 : 1.56 - 1.57, 비중 : 2.65 - 2.67인 6각 주상( $c^*m$ : 1000, 1010)의 취록색 투명 단결정이였다.

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  6. [국내논문]   HWE 방법에 의한 ZnSe/GaAs(100)의 성장과 특성  

    전경남 (전북대학교 물리학과 ) , 고석룡 (전북대학교 물리학과 ) , 이경준 (전북대학교 물리학과 ) , 정원기 (전주대학교 물리학과 ) , 두하영 (정읍공업전문대학 안경공학과 ) , 이춘호 (전북대학교 물리학과)
    한국결정성장학회지 = Journal of the Korean crystal growth and crystal technology v.6 no.1 ,pp. 56 - 61 , 1996 , 1225-1429 ,

    초록

    두 개의 증발료가 설치된 hot wall epitaxy 장치를 제작하고 GaAs 기판위에 undoped ZnSe 박막을 성장하였다. 기판온도 $350^{\circ}C$ , 원료부의 온도 $660^{\circ}C$ 근방에서 성장된 경 연박막의 XRD 측정값은 175 $sec^{-1}$ 의 반치폭을 냐타내 였다. Photoluminescence 측정 결과 neu t tral acceptor bound exciton emission line이 강하게 얻어지는 양질의 박막을 성장하였다.

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  7. [국내논문]   태양전지의 반사방지막  

    김동섭 (삼성종합기술원 태양전지팀 ) , 이수홍 (삼성종합기술원 태양전지팀)
    한국결정성장학회지 = Journal of the Korean crystal growth and crystal technology v.6 no.1 ,pp. 98 - 106 , 1996 , 1225-1429 ,

    초록

    반사방지용 코팅은 태양전지에 있어서 아주 중요한 부분중의 하나이다. 태양전지의 표면에서 반사된 빛은 전지의 효율감소와 직결되기 때문에 반사를 줄이기 위한 많은 노력이 진행되어 왔다. 본 논문은 반사방지막의 원리를 소개하고 태양전지에서 반사방지막으로 많이 사용되는 재료의 광학적 성질과 제조방법에 대해서 알아 보았다.

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  8. [국내논문]   JKACG의 제1권(1991)부터 제5권(1995)까지 발표된 논문의 검토 : (I) Bulk 단결정성장 연구를 중심으로  

    오근호 (한양대학교 세라믹소재연구소 ) , 심광보 (한양대학교 세라믹소재연구소 ) , 임창성 (전남대학교 물질화학공학과)
    한국결정성장학회지 = Journal of the Korean crystal growth and crystal technology v.6 no.1 ,pp. 107 - 120 , 1996 , 1225-1429 ,

    초록

    1991년부터 1995년까지 한국결정성장학회지에 발표된 연구 내용을 토대로 국내 Bulk 단결정연구현황을 단결정성장법과 연구팀별로 종합적으로 정리하였다.

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