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한국결정성장학회지 = Journal of the Korean crystal growth a... 23건

  1. [국내논문]   홀로그래피 소자재료 $LiTaO_3$단결정 성장  

    김병국 (서울대학교 재료공학부 ) , 윤종규 (서울대학교 재료공학부)
    한국결정성장학회지 = Journal of the Korean crystal growth and crystal technology v.8 no.2 ,pp. 193 - 204 , 1998 , 1225-1429 ,

    초록

    $LiTaO_3$ 단결정은 SAW(Surface Acoustic Wave) filter용 기판용 소재로 사용되며, 초전 효과를 이용한 적외선 센서, 광전효과를 이용한 광전소자 및 광굴절 효과를 이용한 광 기억소자로도 응용되고 있다. 특히 광굴절 효과를 이용한 광 기억소자의 개발에 있어서 Fe와 같은 전이금속 불순물이 첨가된 고품위 $LiTaO_3$ 단결정과 재료의 광굴절 특성의 향상이 크게 요구되고 있는 실정이므로 본 연구에서는 Czochralski법을 이용하여 광 소자용 순수한 $LiTaO_3$ 단결정과 Fe를 불순물로 첨가시킨 $LiTaO_3$ 단결정을 성장시켰으며 성장된 결정들에 대하여 광 투과 및 흡수스펙트럼을 분석하였다. $Li_2O$ 조성을 48.0~49.0mol%까지 변화시킨 초기 용융액을 DSC법을 이용하여 Curie 온도를 측정한 결과 $Li_2O$ 조성이 증가함에 따라 curie 온도가 $568^{\circ}C$ 에서 $637^{\circ}C$ 까지 크게 증가하여 0.1mol% $Li_2O$ 의 조성차이에 $7^{\circ}C$ 정도의 curie 온도의 변화를 나타내었으며, 성장된 결정에서 $Li_2O$ 조성의 변화는 성장 길이방향으로 0.01mol%, 반경방향으로 0.0028mol% 이내의 전체 결정내 조성이 균일한 z- $LiTaO_3$ 단결정을 획득하였다. 한편 Fe를 첨가시킨 $LiTaO_3$ 결정의 경우 Fe 농도 0.1wt%당 $7.5^{\circ}C$ 의 Curie 온도 증가를 확인하였다. 또한 성장된 결정들은 광 투과스펙트럼을 분석한 결과 광소자로 응용하기에 충분한 78% 정도의 우수한 투과율을 보였다.처리 정책 및 규제법 등의 각 분야에서 복합적 노력이 필요하다. 가진 경우에 비하여, 좌심방의 병변을 초래하는 승모판 질환과 같은 병변을 동반한 경우에는 떨어지는 것으로 보고되고 있다. 본 연구자들은 3례의 승모판막질환을 동반하지 않은 심방세동 환자에서 Cox-Maze 술식을 경헙하였다. 첫 번째 환자는 발살바동 파열에 동반된 심방세동이었으며, 두 번째는 심실중격결손, 세 번째는 대동맥판막 협착폐쇄부전증과 동반된 심방세동이었다. 세 환자 모두에게서 기저 심장질환의 교정과 더불어 Cox-Maze 술식을 같이 시행하였다. 세 환자 모두에서 수술 직후 동율동으로의 전환이 이루어졌고, 술후 3개월 이후에는 좌, 우심방의 기계적인 수축력도 모두 확인할 수 있었다. 3례였다. 결론: 술후 재원 기간내 사망률은 비청색증 선천성 심질환에서 2.0%, 청색증 선천성 심질환에서 15.5%, 후천성 심질환에서 5.1%였다. 전체 사망률은 2,000례 중 72명이 사망하여 3.6%였다는 임상적 결과의 축적이 필요하다. 환자가 합병증에 노출되는 기회와 기간을 최소화하려면 주기적 외래방문을 지키고 쿠마딘 복용을 빼지 않도록 계속 지도하여 환자의 순응도를 높이는 동시에 INR값을 엄격하게 적정범위 내에 일관되게 유지하여야 한다. 특히 합병증의 위험요소가 있는 환자와 INR값의 변동폭이 지나치게 넓은

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  2. [국내논문]   Growth, structure and SHG properties of Li, Mo-containing huntite-borates $YbAl_3(BO_3)_4$  

    (동북대학 금속재료연구소 ) , (동북대학교 금속재료연구소 ) , 서수정 (동북대학교 금속재료연구소 ) , 윤대호 (성균관대학교 금속·재료공학부 )
    한국결정성장학회지 = Journal of the Korean crystal growth and crystal technology v.8 no.2 ,pp. 205 - 210 , 1998 , 1225-1429 ,

    초록

    $Li^+$ 과 $Mo^{6+}$ 를 포함하는 huntite borates $YbAl_3(BO_3)_4$ 는 자발적인 결정화 방법에 의해 성장하였으며, 이들 결정은 X선회절 분석방법에 의해 huntite-borate 구조를 갖고 있음을 알수 있었다. 또한 구조 및 조성분석을 실시함에 따라 이들 양이온이 huntite 구조내에서 어떤 위치를 점유할 수 있는지에 대해 검토하였으며, 성장 huntite borate 결정의 분말을 사용한 SHG효과의 관찰에 의해 녹생광의 SHG강도는 $Li^+$ 과 $Mo^{6+}$ 를 포함한 $YbAl_3(BO_3)_4$ 가 $YAl_3(BO_3)_4$ 보다 6배 이상 높음을 알 수 있었다.

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  3. [국내논문]   HWE 방법에 의한 $AgGaS_2$단결정 박막성장과 특성에 관한 연구  

    홍광준 (조선대학교 물리학과 ) , 정준우 (조선대학교 물리학과)
    한국결정성장학회지 = Journal of the Korean crystal growth and crystal technology v.8 no.2 ,pp. 211 - 220 , 1998 , 1225-1429 ,

    초록

    수평 전기로에서 $AgGaS_2$ 다결정을 합성하여 HWE 방법으로 $AgGaS_2$ 단결정 박막을 성장하였다. $AgGaS_2$ 단결정 박막을 성잘할 때 증발원과 기판의 온도를 각각 $590^{\circ}C$ , $440^{\circ}C$ 로 성장하였을 때 이중결정 X-선 요동곡선(double crystal X-ray diffraction rocking curve, DCRC)의 반폭치(FWHM)값이 124 arcsec로 가장 작아 최적 성장조건이었다. 상온에서 $AgGaS_2$ 단결정 박막의 광흡수 특성으로부터 에너지 띠간격이 2.61cV였다. Band edge에 해당하는 광전도도 peak의 온도 의존성은 Varshni 관계식으로 설명되었으며, Vaeshni 관계식의 상수값은 Eg(0) = 2.7284eV, $\alpha$ = 8.695< 8.695 $\times$ 10-4 eV/K, $\beta$ = 332K 332K 로 주어졌다. 광발광 봉우리는 20K에서 414.3nm(2.9926eV)와 414.1nm(2.7249eV)는 free exciton(Ex)의 upper polariton과 lower polariton인 {{{{{E}`_{x} ^{u} }}}}와 {{{{{E}`_{x} ^{L} }}}}, 423.6nm(2.9269eV)는 bound exciton emission에 의한 I로 관측되었다. 또한 455nm(2.7249eV)의 peak는 donor-acceptor pair(DAP)에 기인하는 광발광 봉우리로 관측되었다.

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  4. [국내논문]   비정질 $(Ba, Sr)TiO_3$층의 도입을 통한 $(Ba, Sr)TiO_3$박막의 특성 향상  

    백수현 (한양대학교 재료공학과 ) , 이공수 (한양대학교 재료공학과 ) , 마재평 (호남대학교 전자공학과 ) , 박치선 (한서대학교 전자공학과)
    한국결정성장학회지 = Journal of the Korean crystal growth and crystal technology v.8 no.2 ,pp. 221 - 226 , 1998 , 1225-1429 ,

    초록

    $RuO_2$ 하부전극 상에 형성된 $(Ba, Sr)TiO_3$ [BST] 박막의 물성을 향상시키기 위하여 비정질 BST층(30, 70nm)을 $RuO_2$ 와 BST사이에 증착하여 2중 BST구조를 형성시켰다. 비정질 BST층의 도입을 통해, BST박막의 평균 입도가 증가하고, 표면 거칠기가 감소하여 전체 BST 박막의 미세구조와 표면 mophology가 단일 BST박막에 비해 상당한 변화가 발생함을 확인하였다. 30nm의 비정질측이 적용된 BST박막의 경우, 하부기판의 영향으로부터 비교적 자유로운 미세구조를 갖는 BST 박막이 형성되었다. 2중 BST 박막의 경우 유전상수는 340, 누설전류는 $6.85{\times}10^{-7}A/{\textrm}{cm}^2$ 로서 비정질층을 갖지 않는 단일 BST 박막에 비하여(유전상수: 152, 누설전류: $1.25{\times}10^{-5}A/{\textrm}{cm}^2$ )놀라운 전기적 특성의 향상이 이루어짐을 확인하였다.

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  5. [국내논문]   Synthesis of diamond thin films by hot-filament C.V.D   피인용횟수: 1

    최진일 (단국대학교 재료공학과)
    한국결정성장학회지 = Journal of the Korean crystal growth and crystal technology v.8 no.2 ,pp. 227 - 232 , 1998 , 1225-1429 ,

    초록

    Si, Mo 등을 substrate로 하고 Hot-Filament C.V.D법으로 저압으로 다이아몬드 박막을 생성시킬 때 탄화수소의 부착과정, 핵생성 및 성장을 조사하였다. 특성은 substrate의 종류, 온도, 압력, 유속 및 $CH_4-H_2$ 가스의 몰분율과 같은 process 변수로 조사하였으며 다이아몬드는 Ra-man spectroscopy로 측정하였다. 특히 다이아몬드 핵생성과 성장은 scratch와 같은 결함이 있는 곳에 발생하였고 표면확산 등이 핵생성 초기단계에서 중요한 역할을 하였다.

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  6. [국내논문]   SiC의 선택적 증착에 관한 연구  

    양원재 (한양대학교 무기재료공학과 ) , 김성진 (삼성종합기술원 ) , 정용선 (한양대학교 세라믹소재연구소 ) , 오근호 (한양대학교 무기재료공학과)
    한국결정성장학회지 = Journal of the Korean crystal growth and crystal technology v.8 no.2 ,pp. 233 - 239 , 1998 , 1225-1429 ,

    초록

    화학기상증착법을 이용하여 tetramethylsilane(TMS)과 hexamethyldisilane(HMDS)으로부터 SiC층을 증착시켰다. 반응관 내의 압력은 1torr를 유지시켰으며, $H_2$ 가스를 사용하여 precursor를 반응로내로 수송하였고 $1200^{\circ}C$ 의 반응온도로 SiC 증착이 이루어졌다. 기판은 tantalum으로 masking한 Si-wafer와 platinum, molybdenum으로 masking한 MgO 단결정을 사용하였다. 금속층(Ta, Pt, Mo)에서의 SiC 증착 양상과 Si, MgO 위에서의 SiC 증착 양상을 비교함으로써 SiC 증착의 선택성을 관찰하였다. 증착층의 주된 상은 X-선 회절분석에 의해 $\beta-SiC$ 로 확인되었다. 또한 전자현미경 분석을 통해 각 층에서의 증착 양상의 차이를 조사하였다.

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  7. [국내논문]   마이크로웨이브 플리즈마 화학기상증착에 의한 다이아몬드 박막의 성장 관찰을 위한 분광 Ellipsometry의 이용  

    홍병유 (성균관대학교 전기·전자 및 컴퓨터공학부)
    한국결정성장학회지 = Journal of the Korean crystal growth and crystal technology v.8 no.2 ,pp. 240 - 248 , 1998 , 1225-1429 ,

    초록

    화학기상증착 방법에 의한 다결정 다이아몬드 박막성장을 위한 공정가운데 가장 많이 사용되는 기법중의 하나가 바로 플라즈마에 의한 방법이다. 특히 플라즈마 화학기상증착(Plasma-Enhanced CVD)기술에 의한 다이아몬드 박막응용은 그 공정에 대한 세부 조정을 통하여 더욱 향상시킬 수 있다. 다이아몬드 박막증착의 경우 중요 변수들은 다이아몬드 필름이 증착되는 기판(substrate)의 온도, $CH_4/H_2$ 가스비율, 전체가스 압력 및 가스 excitation에너지 등이다. 분광 ellipsometry는 다이아몬드 필름 증착과 관련된 극단적인 환경에서도 물리적인 접촉이나 만들어지는 샘플의 손상없이도 필름자체의 여러 성질뿐만 아니라 기초 샘플의 온도까지도 결정할 수 있는 좋은 방법이다. 이러한 장점들을 이용하여 양질의 다이아몬드 박막을 성장시키기 위한 조건과 그에 따른 박막 특성을 얻기 위하여 분광 ellipsomerry의 사용과 해석이 소개된다. 그리고, 분광 ellipsometry를 이용, 플라즈마 화학기상증착 기술에 의하여 성장되는 다이아몬드 박막으로부터 나타나는 중요 변수들이 결정될 것이며 이러한 변수들은 필름의 두께, 필름에 포함되는 void 및 비다이아몬드의 체적비와, 그들의 시간에 따른 변화등을 포함한다. 그리고 샘플이 원하는 두께까지 성장된 후에 라만 분광기로 측정되어 다이아몬드 성분을 확인한다.

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  8. [국내논문]   GaN의 습식 화학식각 특성  

    최용석 (경기대학교 물리학과 ) , 유순재 (선문대학교 전자공학과 ) , 윤관기 (동국대학교 전자공학과 ) , 이일형 (동국대학교 전자공학과 ) , 이진구 (동국대학교 전자공학과 ) , 임종수 (경기대학교 물리학과)
    한국결정성장학회지 = Journal of the Korean crystal growth and crystal technology v.8 no.2 ,pp. 249 - 254 , 1998 , 1225-1429 ,

    초록

    GaN계 재료의 습식 화학식각 특성과 광 화학 및 전기 화학 및 전기 화학 습식식각 특성을 연구하였다. n형 GaN는 상온에서 NaOH 수용액에 식각되었으며 식각두께는 식각시간에 선형적으로 증가하였다. 또 광 조사 및 전기 화학을 가할 경우 식각율은 수배로 증가하였으며, 식각율은 $1{\times}10^{19};cm^{-3}$ 의 전자농도를 갖는 시료에서 광 조사시 최대 164 ${\AA}$ /min을 얻었다. n-GaN의 식각율은 GaN의 전자농도에 크게 의존하는 특성을 나타내었으며 이러한 식각과정을 논의하였다. $SiO_2$ 박막으로 덮여진 100 ${\mu}m{\times}100{\mu}m$ 모양의 옆 식각면은 방향성을 갖지 않고 수직하였으며, 넓은 면적에서 매우 평탄하였다.

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  9. [국내논문]   2.45 GHz 마이크로파장에서 무정형 재료로부터의 $PbTiO_3$결정 성장  

    박성수 (부산대학교 무기재료공학과)
    한국결정성장학회지 = Journal of the Korean crystal growth and crystal technology v.8 no.2 ,pp. 255 - 262 , 1998 , 1225-1429 ,

    초록

    재래식 열원과 마이크로파 열원에 의해 열처리된 봉착용 무정형재료의 결정화 거동을 비교 검토하였다. X-선 회절분석과 SEM 분석의 결과로부터 마이크로파 열원에 의해 열처리된 시편은 짧은 열처리 시간과 낮은 열처리 온도에도 불구하고 재래식 열원에 의해 열처리된 시편에 비하여 $PbTiO_3$ 결정이 잘 성장하였고 높은 결정화도를 보여주었다. 마이크로파가 $PbTiO_3$ 결정의 핵 생성 단계에서는 핵 생성을 억제하지만, $PbTiO_3$ 결정의 핵 생성이 활발하여 임계 크기 이상으로 $PbTiO_3$ 결정이 성장하면 시편내의 이온들에게 향상된 확산 효과를 제공하여 $PbTiO_3$ 결정의 성장을 돕는다고 사료된다.

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  10. [국내논문]   (100) ZnSe 결정에서 결함의 성장 속도에 대한 의존성  

    박성수 (삼성종합기술원 ) , 이성국 (삼성종합기숭원 ) , 김준홍 (삼성종합기술원 ) , 한재용 (삼성종합기수원 ) , 이상학 (삼성종합기술원)
    한국결정성장학회지 = Journal of the Korean crystal growth and crystal technology v.8 no.2 ,pp. 263 - 268 , 1998 , 1225-1429 ,

    초록

    기상 결정 성장법을 이용하여 twin, grain free인 (100) ZnSe 결정을 성장하였다. (100) ZnSe 결정내의 결함은 X-ray Rocking Curve에 의해 분석하였으며, seed의 질과 성장 속도가 ZnSe 결정의 결함에 가장 큰 영향을 미쳤다. 성장된 (100) ZnSe 결정의 형태는 seed의 모양과 로내의 등온 곡선 및 면들의 성장속도에 의존하였다.

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