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한국결정성장학회지 = Journal of the Korean crystal growth a... 9건

  1. [국내논문]   수열침전법에 의한 비정질 인산알루미늄 분말의 합성에 관한 연구  

    김판채 (동신대학교 신소재공학부 ) , 최종건 (동신대학교 신소재공학부 ) , 황완인 (동신대학교 신소재공학부 ) , 이충효 (목포대학교 재료공학과)
    한국결정성장학회지 = Journal of the Korean crystal growth and crystal technology v.11 no.5 ,pp. 185 - 189 , 2001 , 1225-1429 ,

    초록

    비정질 인산알루미늄 분말은 화학양론조성비의 $Al_2(SO_4)_3$ 와 $H_3PO_4$ 혼합물을 NaOH 또는 KOH 용액을 이용하여 중화 반응시킨 뒤 이를 수열침전법에 의해 단일상으로 얻을 수 있었으며, 합성조건은 다음과 같다. 즉, 출발원료; $Al_2(SO_4)_3$ 와 $H_3PO_4$ , 중화반응의 pH범위; 5.6~6.0, 수열반응의 온도범위; 170~ $180^{\circ}C$ , 수열반응의 시간범위; 4~5시간이었다. 이와 같은 조건하에서 얻어진 생성물은 0.1~0.3 $\mu\textrm{m}$ 크기의 비정질 인산알루미늄 미립자였으며 그리고 미국약전에 따라 실험한 결과 모두 적합하였다.

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  2. [국내논문]   Alunite와 limestone의 혼합소성에서의 무수석고의 합성  

    김형석 (한국지질자원연구원 자원활용부 ) , 안지환 (한국지질자원연구원 자원활용부 ) , 김환 (서울대학교 재료공학부 ) , 신강호 (삼척대학교 자원공학과 ) , 조동성 (인하대학교 자원공학과)
    한국결정성장학회지 = Journal of the Korean crystal growth and crystal technology v.11 no.5 ,pp. 190 - 196 , 2001 , 1225-1429 ,

    초록

    명반석 $[K_2SO_4$ . $Al_2(SO_4)_3$ . $4Al(OH)_3$ ]을 공기분위기에서 가열하면 500~ $580^{\circ}C$ 에서 탈수되고, 580~ $780^{\circ}C$ 에서 $SO_3$ (g)가 발생되므로 석회석과 혼합소성하였을 때의 무수석고( $CaSO_4$ )의 합성특성을 조사하였다. 명반석의 열분해는 $CO_2$ (g) 분압에 영향이 없으나, 석회석의 경우 공기 분위기에서는 약 $650^{\circ}C$ 부터 분해되지만 $CO_2$ (g)의 포화 분위기에서는 약 $900^{\circ}C$ 부터 분해된다. 명반석과 석회석을 1:6의 몰비로 혼합한 후 공기 분위기와 $CO_2$ (g) 포화분위기에서 $10^{\circ}C$ /min의 속도로 $1000^{\circ}C$ 까지 가열하여 2시간 동안 소성하면 $550^{\circ}C$ 에서 무수석고가, $700^{\circ}C$ 에서 calciumlangbeinite( $(2CaSO_4$ . $K_2SO_4$ )가, 800~ $950^{\circ}C$ 에서 ha yne이 형성되며 이때 무수석고의 합성량은 각각 99.0%와 95.0% 정도였다. 공기 분위기에서 무수석고 합성량은 석회석의 입도(0.5mm 이하)에 관계없이 거의 일정하지만, $CO_2$ (g)의 포화분위기에서는 석회석의 입도가 작아짐에 따라 증가된다. 그러므로 명반석과 석회석을 1:6의 몰비로 혼합 소성하면 1 몰의 ha yne과 1 몰의 calciumlangbeinite로 구성된 클링커가 합성가능하다.

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  3. [국내논문]   기계적 및 열적 처리된 PET 필름의 특성에 관한 연구  

    이종영 (부산대학교 생산기술연구소 ) , 노지영 (부경대학교 고분자공학과 ) , 박성수 (부경대학교 고분자공학과)
    한국결정성장학회지 = Journal of the Korean crystal growth and crystal technology v.11 no.5 ,pp. 197 - 202 , 2001 , 1225-1429 ,

    초록

    여러 조건에서 제조된 poly(ethylene terephthalate) 필름 시편들로부터 열처리 및 냉연신 조건이 시편의 물성에 미치는 영향을 조사하였다. 상온에서 만능시험기을 사용하여 미열처리 및 열처리된 시편들을 0.5에서 500 mm/min의 cross-head 속도로 단계적 연신을 행한 결과, 약 50, 72 및 $129^{\circ}C$ 에서 열처리된 시편들의 응력-변형 곡선에서는 응력 진동이 발생되지만, 약 $83^{\circ}C$ 에서 30분 동안 열처리된 시편의 응력-변형 곡선에서는 응력 진동이 발생되지 않음을 알 수 있었다. 시차 주사 열량기를 사용하여 $10^{\circ}C$ /min의 승온 속도에서 열분석을 행하였고, 시편들의 유리전이온도, 결정화 피크, 용융 잠열, 결정화도를 측정하였다. 1 Hz의 주파수대에서 $1.5^{\circ}C$ /min의 승온 속도로 multiple-function internal friction pendulum으로 시편들의 동적 기계분석도 수행하였으며, 미열처리, 열처리 및 연신 시편들의 순서대로 탄성계수 값이 증가함을 알 수 있었다.

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  4. [국내논문]   Crystal growth of yttrium vanadate by the EFG technique  

    Kochurikhin, V.V. (General Physics Institute ) , Ivanov, M.A. (General Physics Institute ) , Suh, S.J. (Sung Kyun Kwan University ) , Yoon, D.H. (Sung Kyun Kwan University)
    한국결정성장학회지 = Journal of the Korean crystal growth and crystal technology v.11 no.5 ,pp. 203 - 206 , 2001 , 1225-1429 ,

    초록

    The applicability of shaped growth of yttrium orthovanadate was approved by successful growth of rod-like single crystals with the rectangular shape. Nd-doped single crystals with content of $Nd^{3+}$ ions of 1,2,3,5 atomic % in the starting melt were grown by the EFG technique with the size up to $10^{*}10mm$ in section and up to 85 mm in length. For the testing of the multiple growth of the orthovanadates, two and three Nd-and Yb-doped $YVO_{4}$ single crystals were grown by the EFG technique simultaneously up to 110 mm in length.

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  5. [국내논문]   Metalorganic VPE growth of GaInP and related semiconductors for mobile communication device application  

    Udagawa, Takashi (Showa Denko Central Research Laboratory)
    한국결정성장학회지 = Journal of the Korean crystal growth and crystal technology v.11 no.5 ,pp. 207 - 210 , 2001 , 1225-1429 ,

    초록

    Metal-organic VPE (MOVPE) epitaxial growth procedure and related device fabrication technique are reported for GaInP-based epitaxial materials and devices. For GaInP/GaInAs two-dimensional electron-gas field-effect transistor (TEGFET), a promising epitaxial stacking structure resulting in enhanced electron mobility is given. In conjunction with this, a new device fabrication technique to improve luminous intensity of GaInP-based LED is also shown.

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  6. [국내논문]   CZ법에 의한 $ZnWO_4$단결정 성장 및 물리적 특성  

    임창성 (한서대학교 신소재연구소 ) , 오근호 (한양대학교 세라믹공학과)
    한국결정성장학회지 = Journal of the Korean crystal growth and crystal technology v.11 no.5 ,pp. 211 - 217 , 2001 , 1225-1429 ,

    초록

    Czochralski법에 의한 ZnWO₄단결정을 [100], [101], [001] 방향으로 성공적으로 성장시켰다. 각 축 방향에 따른 성장조건이 rotation speed, pulling rate, 성장된 결정의 직경 등의 변수를 가지고 조사되어졌다. 성장된 결정의 냉각시 발생되는 균열을 annealing 효과에 의하여 방지할 수 있었다. 성장된 결정의 방위는 Laue back reflection으로 결정하였다. 각 축 방향으로 성장된 결정의 미세구조적 특징이 논하여졌으며, 경도, 열팽창계수 및 유전상수의 물리적 특성이 평가되어졌다.

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  7. [국내논문]   사파이어 웨이퍼 연마공정에서의 표면처리효과에 대한 X-선 회절분석  

    김근주 (울산과학대학 반도체응용과 ) , 고재천 (한국화학연구소 화학공정연구센터)
    한국결정성장학회지 = Journal of the Korean crystal growth and crystal technology v.11 no.5 ,pp. 218 - 223 , 2001 , 1225-1429 ,

    초록

    수평 Bridgman 방법으로 성장한 사파이어 인고트를 절단 연마한 후, 사파이어 결정기판의 표면을 우레탄 천 위에서 실리카 졸을 사용하여 폴리싱하였다. 표면의 결정성을 X-선 회절을 통하여 조사하였으며, 2중 결정회절에 의한 반치폭은 200~400 arcsec을 가지며, 결정 인고트의 절편화 또는 양면 연삭 연마에 따른 잔류응력에 의한 표면에서의 기계적인 스트레스에 의해 결정성이 손상되어진다. 화학-기계적인 폴리싱공정을 수행한 수에 표면처리로 $1,200^{\circ}C$ 로 4시간 열처리 및 산처리를 연속적으로 수행할 경우 결정성이 반치폭 8.3 arcsec까지 줄어들어 향상됨을 확인하였다.

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  8. [국내논문]   전하트랩형 NVSM의 게이트 유전막을 위한 질화산화막의 재산화특성에 관한 연구  

    이상은 (광운대학교 전자재료공학과 ) , 한태현 (광운대학교 전자재료공학과 ) , 서광열 (광운대학교 전자재료공학과)
    한국결정성장학회지 = Journal of the Korean crystal growth and crystal technology v.11 no.5 ,pp. 224 - 230 , 2001 , 1225-1429 ,

    초록

    초박막 게이트 유전막 및 비휘발성 기억소자의 게이트 유전막으로 연구되고 있는 $NO/N_2O$ 열처리된 재산화 질화산 화막의 특성을 D-SIMS(Dynamic Secondary Ion Mass Spectrometry), ToF-SIMS(Time-of-Flight Secondary Ion Mass Spectrometry), AES(Auger Electron Spectroscopy)으로 조사하였다. 시료는 초기산화막 공정후에 NO 및 $N_2O$ 열처리를 수행하였으며, 다시 재산화공정을 통하여 질화산화막내 질소의 재분포를 형성토록하였다. 재산화에 있어서 습식산화시 공정에 사용된 수소에 의한 영향으로 계면 근처에 축적된 질소가 Si≡N 결합을 쉽게 이탈함에 따라 방출이 촉진되어 건식산화에 비하여 질소의 감소가 더욱 두드러지게 나타났다. 재산화에 따른 질화산화막내 질소의 거동은 외부로의 방출과 기판으로의 확산이 동시에 나타난다. 재산화후 질화산화막내 축적된 질소의 결합종을 분석한 결과, 초기산화막 계면근처의 질소는 SiON의 결합종이 주도적으로 나타나는 반면 재산화 후 새롭게 형성된 $Si-SiO_2$ 계면근처로 확산한 질소는 $Si_2NO$ 결합종이 주로 검출된다. SiON에 의한 질소의 미결합손과 $Si_2$ NO에 의한 실리콘의 미겨랍손은 기억특성에 기여하는 결함을 포함하기 때문에 재산화 질화산화막내 존재하는 SiON과 $Si_2$ NO 결합종은 모두 전하트랩의 기원과 관련된 결합상태로 예상된다.

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  9. [국내논문]   High density plasma etching of novel dielectric thin films: $Ta_{2}O_{5}$ and $(Ba,Sr)TiO_{3}$  

    Cho, Hyun (Department of Materials Engineering, Miryang national University)
    한국결정성장학회지 = Journal of the Korean crystal growth and crystal technology v.11 no.5 ,pp. 231 - 237 , 2001 , 1225-1429 ,

    초록

    Etch rates up to 120 nm/min for $Ta_{2}O_{5}$ were achieved in both $SF_{6}/Ar$ and $Cl_{2}/Ar$ discharges. The effect of ultraviolet (UV) light illumination during ICP etching on $Ta_{2}O_{5}$ etch rate in those plasma chemistries was examined and UV illumination was found to produce significant enhancements in $Ta_{2}O_{5}$ etch rates most likely due to photoassisted desorption of the etch products. The effects of ion flux, ion energy, and plasma composition on (Ba, Sr) $TiO_3$ etch rate were examined and maximum etch rate ~90 nm/min was achieved in $Cl_{2}/Ar$ ICP discharges while $CH_{4}/H_{2}/Ar$ chemistry produced extremely low etch rates ( ${\leq}10\;nm/min$ ) under all conditions.

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