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電子工學會論文誌. Jounnal of the Korea institute of telema... 13건

  1. [국내논문]   무선 근거리 통신망에서의 BRAM(The Broadcast Recognizing Access Method) 프로토콜 성능 분석  

    김재현 (한양대학교 전자계산학과 ) , 이종규 (한양대학교 전자계산학과)
    電子工學會論文誌. Jounnal of the Korea institute of telematics and electronics. A. A v.31A no.1 ,pp. 1 - 8 , 1994 , 1016-135x ,

    초록

    In this paper, we have analyzed the performance of a BRAM (The Broadcasting Recognizing Access Method) protocol, as a CSMA/CA (Carrier Sense Multiple Access/Collision Avoidance) scheme, which is widely used in wireles LAN systems. We have selected a Fair BRAM protocol among CSMA/CA schemes, considering the fairness of channel usage and the simplicity of the protocol. We have compared the performance of BRAM protocol to that of CSMA/CD. to research the characteristics of BRAM in wireless LAN system. In order to analyze the performance of this system, we have set up an imbedded Markov chain and calculated state transition probabilities. Then we have calculated steady state probabilities and finally derived the throughput of a Fair BRAM moder. To verify our analysis, we have simulated practical models. Then, we have found that analytic results are very close to simulation ones. Our analysis of the BRAM protocol will be expected to be very helpful to design and evaluate a MAC (Media Access Control) protocol in wireless LAN systems.

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  2. [국내논문]   혼변조직 최소화를 위한 실제적인 주파수 배치 알고리듬의 제안  

    고성찬 (한국전자통신연구소 ) , 황인관 (한국전자통신연구소 ) , 최형진 (성균관대학교 전자공학과)
    電子工學會論文誌. Jounnal of the Korea institute of telematics and electronics. A. A v.31A no.1 ,pp. 9 - 16 , 1994 , 1016-135x ,

    초록

    In this paper, we propose a frequency assignment algorithm to minimize intermodulation effect which is caused by nonlinear amplipification of the satellite transponder. Allmost all of the published algorithms up to now are applicable to one-level SCPC systems, the application range of those algorithms is very restricted from the viewpoint of actual practice. In this paper, we develope and propose a new frequency assignment algorithm which utilize the basic concept of Okinaka's DELINS-INSDEL algorithm to extend its applicabilty from one-level SCPC systems to multi-level systems. The proposed TDTI algorithm provides considerable generality in reducing intermodulation effect in practical satellite communication systems because of its alpplicability to multi-level and multi-bandwidth systems as well as one-level systems. Besides the TDTI algorithm which shows excellent characteristics in performance but requires somewhat long excution time. the WTDI-SDELINS algorithm is proposed in this paper to compensate TDTI's demerits in excution time. Considering the fact that there are very little published sterategies for multi-level and muti-bandwidth systems. the algorithm proposed in this paper is quite meaningful.

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  3. [국내논문]   전자 계약시스템에서의 디지털 다중서명 방식  

    강창구 (한국전자통신연구소 ) , 김대영 (충남대학교 정보통신학과)
    電子工學會論文誌. Jounnal of the Korea institute of telematics and electronics. A. A v.31A no.1 ,pp. 17 - 25 , 1994 , 1016-135x ,

    초록

    We analyze risks andd present the requirements of digital multisignature in electronic contract systems where several persons contract a digital document electronically. We also apply a few digital multisignature schemes that have been developed so far, to the electronic contract system and propose a new digital multisignature scheme based on the Fiat-Shamir scheme. We investigate how these schemes satisfy with the requirements and evaluate their efficiency in terms of processing speed. communication complexity, and message length Owing to the high processing speed and the high degree of satisfaction to the requirements, the proposed scheme is suitable for electronic contract systems.

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  4. [국내논문]   Q-band 빔 리드 Single ended 믹서  

    이창훈 (천문대 ) , 한석태 (천문대)
    電子工學會論文誌. Jounnal of the Korea institute of telematics and electronics. A. A v.31A no.1 ,pp. 26 - 32 , 1994 , 1016-135x ,

    초록

    In this paper, using the newly developed GaAs Schottky beam-lead diode made by Marconi company, we have developed and evaluated the waveguide type single-ended mixer at Q-band. The various components of the mixer were separately designed and optimized using the Super-Compact software. These studies included the design of the step waveguide impedance transformer and the RF-choke filter, and the optimization of a high and low impedance for the RF-choke filter. Moreover, this RF-choke filter pattern included a section to reject the second harmonic frequency of the RF signal. Finally, this Q-band mixer with 1.4GHz/400MHz IF frequency exhibits an average conversion loss of 5.3 dB over 33-50GHz bandwidth.

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  5. [국내논문]   도파관 H 면 계단형 불연속 구조를 이용한 대이동과 여파기의 설계  

    남수현 (서강대학교 전자공학과 ) , 김근영 (서강대학교 전자공학과 ) , 윤상원 (서강대학교 전자공학과 ) , 안철 (서강대학교 전자공학과)
    電子工學會論文誌. Jounnal of the Korea institute of telematics and electronics. A. A v.31A no.1 ,pp. 33 - 38 , 1994 , 1016-135x ,

    초록

    In this paper, waveguide banpass filters using H-plane step discontinuities are designed based on the field theory analysis and optimization of the resonator lengths as well as dimensions of discontinuities, instead of the conventional synthesis method based on the equivalent circuit. The waveguide inductive obstacles introduced by H-plane step discontinuities analyzed using mode-matching method and the generalized scattering parameters are derived. Using the derived scattering parameters of the discontinuities as well as those of resonators, waveguide bandpass filters are designed through optimization method, modified Razor search method proposed by J.H.Bandler. Using this design procedures, waveguide bandpass filters are designed and tested at X-band(center frequency 10GHz) as well as Ka-band(center frequency 35GHz).

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  6. [국내논문]   4단자 GaAs MESFET Model의 SPICE 탑재   피인용횟수: 1

    조남홍 (한양대학교 전자공학과 ) , 곽계달 (한양대학교 전자공학과)
    電子工學會論文誌. Jounnal of the Korea institute of telematics and electronics. A. A v.31A no.1 ,pp. 39 - 47 , 1994 , 1016-135x ,

    초록

    The drain current reduction effect due to the side-gating phenomena resulted from interaction between the neighbor gates is lead to degradation of circuit performance. In this paper, these effect were modelized for circuit simulation with the shift of threshold voltage resulting from negative charge formation and the analysis of substrate leakage current resulting trapping effect. To remove dificiencies of the conventional three terminal structure, these model were implemented in SPICE with the four terminal structure, and then the constructed environment enables the simulation of circuit performance degradation resulted from side-gating effect. The validity of implemented model is proved by comparisoin with experiment data.

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  7. [국내논문]   수정된 수평 전개 모델을 이용한 SC-PMOSFET의 기판 전류와 게이트 전류의 해석적 모델  

    양광선 (연세대학교 전자공학과 ) , 박종태 (인천대학교 전자공학과 ) , 김봉렬 (연세대학교 전자공학과)
    電子工學會論文誌. Jounnal of the Korea institute of telematics and electronics. A. A v.31A no.1 ,pp. 48 - 53 , 1994 , 1016-135x ,

    초록

    In this paper, we present the analytical models for substrate current and gate current of stressed SC-PMOSFET using the change of the lateral electric field distribution due to the trapped electron. Calculated Isub and Ig of stressed SC-PMOSFET agree with experimental data. Our model can be very useful explaining the logarithmic time dependence of Isub and Ig. and also the trapped electron distribution.

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  8. [국내논문]   SC PMOSFET의 수평 전개 모델과 노쇠화 메카니즘  

    양광선 (연세대학교 전자공학과 ) , 박종태 (인천대학교 전자공학과 ) , 김봉렬 (연세대학교 전자공학과)
    電子工學會論文誌. Jounnal of the Korea institute of telematics and electronics. A. A v.31A no.1 ,pp. 54 - 60 , 1994 , 1016-135x ,

    초록

    In this paper, we present the analytical models for the change of the lateral electric field distribution and the velocity saturation region length with the electron trapping of stressed SC-PMOSFET in the saturation region. To derive the hot-electron-induced lateral electric field of stressed SC-PMOSFET. Ko's pseudo two dimensional box model in the saturation region which illustrates the analysis of the velocity saturation region is modified under the condition of electron trapping in the oxide near the drain region. From the results, we have the following lateral electric field in the y-direction, that is, E(y) ES1satT.cosh(y/l) qNS1tT.sinh(y/l)/lCox. It is shown that the trapped electrons influence the field in the drain region. decreasing the lateral electric field. Calculated velocity saturaion length increases with the trapped electrons. increasing the drain current of stressed SCPMOSFET. This results well explain the HEIP phenomenon of PMOSFET's.

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  9. [국내논문]   E-beam lithography를 이용한 0.1$\mu\textrm{m}$ NMOSFET 제작  

    유상기 (서울대학교 반도체공동연구소 ) , 김여환 (서울대학교 반도체공동연구소 ) , 전국진 (서울대학교 반도체공동연구소 ) , 이종덕 (서울대학교 반도체공동연구소)
    電子工學會論文誌. Jounnal of the Korea institute of telematics and electronics. A. A v.31A no.1 ,pp. 61 - 64 , 1994 , 1016-135x ,

    초록

    The NMOSFET with gate length of 0.1 $\mu$ m is fabricated by mix-and-match method. In this device, the electron beam lithography is used to form the gate layer, while other layers are formed by the stepper. The gate oxide is 7nm thick, and the device structure is normal LDD structure. The saturation Gm for gate length of 0.1 $\mu$ m is 246mS/mm. The subthreshold slope is 180mV/decade for 0.1 $\mu$ m gate length, but the slope is 80mV/decade for 0.3 $\mu$ m gate length.

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  10. [국내논문]   Undoped 표면층을 갖는 전력용 GaAs ,ESFET의 제작에 관한 연구  

    김상명 (동국대학교 전자공학과 ) , 이일형 (동국대학교 전자공학과 ) , 신석현 (한국통신 통신시스템 개발센터 ) , 서진호 (서울대학교 전자공학과 ) , 서광석 (서울대학교 전자공학과 ) , 이진구 (동국대학교 전자공학과)
    電子工學會論文誌. Jounnal of the Korea institute of telematics and electronics. A. A v.31A no.1 ,pp. 65 - 70 , 1994 , 1016-135x ,

    초록

    GaAs power MESFETs with 0.8 $\mu$ m gate lengths are fabricated using image reversal (IR) methods on the wafer with an undoped surface layer grown by MOCVD. The fabricated GaAs power MESFETs with an undoped surface layer show that an ideality factor 1.17, a built-in potential 0.83 V, a pinch-off voltage -2.7 V, a specfic contact resistance 1.21 $\times$ 10 $^{5}$ ~3.42 $\times$ 10 $^{2}$ $\Omega$ -cm $^{2}$ and an extrinsic g $_{m}$ = 103. 103.5 mS/mm. The maximum RF output power densities of the 0.8 $\mu$ m devices are 360 mW/mm and 499 mW/mm, and power added efficiencies 29.67% and 29.05%, for the unit gate width 150 $\mu$ m and 200 $\mu$ m at 12 GHz.

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