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電子工學會論文誌. Jounnal of the Korea institute of telema... 20건

  1. [국내논문]   다중경로 페이딩 전송로에서 CDD-DLL 부호 추적 루프의 추적성능  

    김진영 (서울대학교 전자공학과 ) , 이재홍 (서울대학교 전자공학과)
    電子工學會論文誌. Jounnal of the Korea institute of telematics and electronics. A. A v.33A no.3 ,pp. 1 - 9 , 1996 , 1016-135x ,

    초록

    in this paper, we analyzed CDD-DLL code tracking loop for tracking of direct-sequence spread-spectrum signals in a multipath fading channel. The multipath fading channel is modeled as two-ray rayleigh fading channel which is well applicable in a land mobile communication environments. We use trackin jitter variance and mean-time-to-lose-lick as performance measures. From the numerical resutls, it is shown that the effect of multipath fading decreases as SNR/bit increases. Also it is shown that CDD-DLL provides superior jitter performance compared with noncoherent DLL and jitter performance improvement is more significant for a two-ray rayleigh fading channel than an AWGN channel.

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  2. [국내논문]   다중경로 페이딩 전송로에서 직접시퀀스 확산대역 시스템이 추적을 위한 TDL의 성능분석  

    김진영 (서울대학교 전자공학과 ) , 이재홍 (서울대학교 전자공학과)
    電子工學會論文誌. Jounnal of the Korea institute of telematics and electronics. A. A v.33A no.3 ,pp. 10 - 17 , 1996 , 1016-135x ,

    초록

    The performance of tau-dither loop (TDL) is evaluated for a direct-sequence spread-spectrum system in a multipath fading channel. The multipath fading channel is modeled as a two-ray rayleight fading channel. The code tracking perfomrance of TDL is analyzed in terms of tracking jitter and mean-tiem-to-lose-lick (MTLL). The tracking jitter performance is degraded while MTLL perfomrance is improved with increasing discriminator offset and decreasing power ratio of main to second paths. It is shown that for a large bit SNR, the effect of multipath fading becomes more significant. And it is also shown that tracking jitter and MTLL performance is less sensitive to delay spacing and discriminator offset for a small bit SNR than for a large bit SNR.

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  3. [국내논문]   WDM 기능을 접목한 광절체 시스템 모듈개발  

    이규복 (전자부품종합기술연구소 ) , 이종훈 (전자부품종합기술연구소 ) , 김경배 (대우전자 ) , 이형규 (전자부품종합기술연구소)
    電子工學會論文誌. Jounnal of the Korea institute of telematics and electronics. A. A v.33A no.3 ,pp. 18 - 27 , 1996 , 1016-135x ,

    초록

    By integrating WDM to OPS unit which plays an improtant role for the reliability of CPN, we made it possible to provide CATV, VOD, and high-speed data services simultaneously and to meet easily the requirements for new services in the future. For the design of optimal system, the link analysis of power budget has been perfomred. Also, the prototyped system has been tested with STM-1 level signals to confirm functions such as transmission, distribution, and protection. The results proved that when occurred out-of-order or recovery of ONU, the system did the pertinent switching with minimum loss for high-speed data services. Also for video distribution services, the system has distributed STM-1 level signals sucessfully.

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  4. [국내논문]   개방 시스템 응용을 위한 개선된 ASN.1 컴파일러 설계 및 구현  

    김홍열 (한양대학교 전자공학과 ) , 임제택 (한양대학교 전자공학과)
    電子工學會論文誌. Jounnal of the Korea institute of telematics and electronics. A. A v.33A no.3 ,pp. 28 - 37 , 1996 , 1016-135x ,

    초록

    Syntax notation one (ASN.1) defined by ITU-T and ISO, is a formal abstrct specification language which has been widely used in international standards specifiation to inteconnect distributed open systems. It si necessary to have well defined encoder/decoder modules which taranslate ASN.1 datum to BER octets stream to interconnect distributed open systems. In this paper, we designed and implemented a new ASN.1-to-C compiler, called HYASNC (hanyang ASN.1-to-C), which atutomatically translates and ASN.1-to-C compiler, called HYASNC (hanyang ASN.1-to-C), which automatically translates an ASN.1 specification into C-language BER encoders and decoders with simple and neat I/F for the defined ASN.1 data types, and enhanced BER (basic encoding rules)encoding/decoding libraries, called HY(hanyang)BER library, and useful utility functions. And this paper discusses HYASNC compiler, HY BER runtime library's design and implementation principles, and also evaluates the perfomrance of HY BER library and the interoperability with other ASN.1 compilers.

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  5. [국내논문]   고유전율 유전체공진기를 이용한 초소형 듀플렉서 필터 개발  

    이규복 (전자부품종합기술연구소 ) , 이종훈 (전자부품종합기술연구소 ) , 김경배 (대우전자 ) , 이형규 (전자부품종합기술연구소)
    電子工學會論文誌. Jounnal of the Korea institute of telematics and electronics. A. A v.33A no.3 ,pp. 38 - 46 , 1996 , 1016-135x ,

    초록

    The purpose of this study is to develop the miniaturized duplexer filter for mobile communications using high dielectric constant ( ${\varepsilon}$ r > 100, 180) ceramic resonators. Duplexer filter was ocmposed of ceramic resonators which has been developed using BNT system and SCT system, respectively. Developed duplexer filter was formed to have Tx frequency band at 836.5 (( $\pm$ 12.5)MHz and Rx frequency band at 881.5 ( $\pm$ 12.5)MHz. Insertion loss at Tx frequency band was 1.41dB and 1.46dB, insertion loss at Rx frequency band was 3.49dB and 3.65dB, respectively. Especially, duplexer filters using dielectric cermaics with ${\varepsilon}$ r = 180 were 8% smaller than commercially manufactured duplexer filters using dielectric ceramics with ${\varepsilon}$ r = 90 by murata.

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  6. [국내논문]   수신 데이타의 버퍼 점유률을 이용한 적응클럭 복원  

    이종형 (한국전자통신연구소 ) , 김태균 (충남대학교 컴퓨터공학과)
    電子工學會論文誌. Jounnal of the Korea institute of telematics and electronics. A. A v.33A no.3 ,pp. 47 - 54 , 1996 , 1016-135x ,

    초록

    In this paper we propose a new timing recovery method by means of utilizing service data filling rate instead of timing information of transmitter. A proposed algorithm controls the phase locked loop in the opposite direction ot data filling rate of FIFO in receiver, and it is based on the fact that average of cell jitters is zero. The proposed method is simple compared with timing information method of transmitter. It can be utilized for timing recovery in synchronous digital hierarchy as well as in plesiochronous digial hierarchy without common reference clocks in end-to-end erminals. We implement the interactive video communication system and test the proposed algorithm. As a result, we hav econfirmed that it yields good perfomrnces in terms of jitters characteristics and hardware complexity.

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  7. [국내논문]   ATM 교환시스템의 PBA 실장밀도 평가와 예측  

    이명호 (한국전자통신연구소 ATM 교환연구실 ) , 전용일 (한국전자통신연구소 ATM 교환연구실 ) , 전병윤 (한국전자통신연구소 ATM 교환연구실 ) , 박권철 (한국전자통신연구소 ATM 교환연구실)
    電子工學會論文誌. Jounnal of the Korea institute of telematics and electronics. A. A v.33A no.3 ,pp. 55 - 64 , 1996 , 1016-135x ,

    초록

    In this paper, we analyze packaging data of th eprinted board assemblies (PBAs) of an ATM switching system (the first network test bed) by statistical methods and discuss the relation between devices packaging area of a PBA and power consumption by a regression nalysis method. As a result, we evaluate the maximum power consumption of the PBA. And, this paper presents a forecasting mehtod of the packagable maximum power consumption per a PBA when TTL devices are replaced by ASIC or FPGA ones in a PBA. And, we forecast the possibility of packaging ATM switch circuit packs in the near future form a statistical viewpoint. These evaluation and forecasting results can reduce much development cost and time because trial nd error will not be made using these useful data when phase II ATM switching system will be realized in the near future.

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  8. [국내논문]   기판의 유전율 및 전기적 두께가 X-벤드용 마이크로스트립 패치 안테나의 특성에 미치는 영향에 관한 연구  

    박성교 (조선대학교 전자공학과 ) , 김준현 (조선대학교 전자공학과 ) , 박종배 (조선대학교 전자공학과)
    電子工學會論文誌. Jounnal of the Korea institute of telematics and electronics. A. A v.33A no.3 ,pp. 65 - 81 , 1996 , 1016-135x ,

    초록

    In this study forty-five X-bnd rectangular microstrip patch antennas fed by microstrip line using ${\lambda}$ /4 transformer were fabricated on teflon substrates with low high permittivities and varous thickness (substrate thickness : 0.6 ~ 2.4 mm, permittivities : 2.15 ~ 10.0), and effects of permittivity and electrical thickness on antenna characteristics were studied with measured return loss (1/S $_{11}$ ) and resonant frequencies. When substrate electrical thickness was greater than 0.060 ${\lambda}_{0}$ return loss was very good and genrally more than 20 dB, but resonance characteristics was somewhat unstable. The more than 0.088 ${\lambda}_{0}$ the thickness was, the more unstable it was. As a result, in the rest range except 12, 13 GHz we had very good mesured return loss iwth greater than 20 dB, and in the range 7 to 9 GHz resonant frequencies were within $\pm$ 2 % error, on ${\epsilon}_{r}$ =5.0, height = 2 5.0, height = 2.4 mm substrate.

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  9. [국내논문]   저전력 CMOS 회로를 위한 V$_{GS}-V_{TH}$ 스케일링  

    강대관 (서울대학교 전기공학부 및 반도체공동연구소 ) , 박영준 (서울대학교 전기공학부 및 반도체공동연구소 ) , 민홍식 (서울대학교 전기공학부 및 반도체공동연구소)
    電子工學會論文誌. Jounnal of the Korea institute of telematics and electronics. A. A v.33A no.3 ,pp. 82 - 88 , 1996 , 1016-135x ,

    초록

    A simpel formular is proposed for the analysis of gate delay of CMOS gate in the low V $_{GS}-V_{TH}$ scaling. The effects of magnitude of V $_{GS}-V_{TH}$ on gate delay can be readily found through the formula so that it can be used ot design the device parameters in the low V $_{DD}$ CMOS circuits. The measured sresutls confirm the usability of the proposed formula and quantifies the improtance of V $_{TH}$ effects on gate delay under low voltae operation. Applying the formula to the prototype NMOSFET devices representing the five generations of technology, the impacts of the V $_{GS}-V_{TH}$ on the various aspects of the circuit and device characteristics are investigated in a consistent manner.

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  10. [국내논문]   격자온도 불균일 조건에서 SOI n-MOSFET의 전기적 특성  

    김진양 (서울대학교 전자공학과 ) , 박영준 (서울대학교 전자공학과 ) , 민홍식 (서울대학교 전자공학과)
    電子工學會論文誌. Jounnal of the Korea institute of telematics and electronics. A. A v.33A no.3 ,pp. 89 - 95 , 1996 , 1016-135x ,

    초록

    In this ppaer, temeprature dependent transport and heat transport models have been incorperated to the two dimensional device simulator SNU-2D provides a solid bse for nonisothermal device simulation. As an example to study the nonisothermal problem. we consider SOI MOSFET's I-V characteristics have been simulated and compared with the measurements. It is shown that negative slopes in the Ids-Vds characteristics are casused by the temperature dependence of the saturation velocity and the degradation of the temperature dependence mobility. Also it is shown that the kink effect occurs when impact ionization near the drain produces a buildup of holes in this isolated device island, and the hysteresis is caused by the creation of holes in the channel and their flow to the source.

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