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電子工學會論文誌. Jounnal of the Korea institute of telema... 17건

  1. [국내논문]   수렴속도 개선을 위한 하이브리드 자력 등화기  

    정교일 (한국전자통신연구소 ) , 임제택 (한양대학교 전자공학과)
    電子工學會論文誌. Jounnal of the Korea institute of telematics and electronics. A. A v.33A no.12 ,pp. 1 - 8 , 1996 , 1016-135x ,

    초록

    In this paper, we propose a hybrid blind equalizer with TEA and SG (stop & Go) algorithm with switching point a 0 dB of MSE value for improvement of convergence performance, where TEA is used initially to open the eye and then SG algorithm as rapid convergence is employed. The switching point is selected at the point of 0 dB MSE level because of settling the coefficients of blind equalier. As a result of computer simulatons for 8-PAM in the non-minimum phase channel, the proposed algorithm has better convergence speed as 3,500 ~ 4,500 iterations and has better MsE about 3 ~ 6 dB than those of original TEA. Also, computational cost of proposed algorithm is reduced as 5 ~ 16% than that of original TEA. and, the proposed algorithm has better convergence than SG algorithm as 8,500 ~ 17,500 iteratins but, the MSE is similar to original SG.

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  2. [국내논문]   지표면 위에 한쪽 면이 도체로 된 손실 유전체 슬랩 속의 다이폴 전원에 의한 동일면상의 전계  

    박동국 (한국해양대학교 전자통신공학과 ) , 라정웅 (한국과학기술원 전기 및 전자공학과)
    電子工學會論文誌. Jounnal of the Korea institute of telematics and electronics. A. A v.33A no.12 ,pp. 9 - 15 , 1996 , 1016-135x ,

    초록

    An electric field induced by a point dipole soruce within a conductor-backed lossy dielectric slab above the earth is calculated by anumerical method. the calcualtion is peformed on the plane which is parallel to the conductor plane and containing the point dipole soruce. Computed S $_{21}$ values of two parallel planar dipole antennas and two collinear planar dipole antennas are compared against each other, as well as the electic field magnitudes in those arrangements.

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  3. [국내논문]   휴대전화기에 장착된 모노폴안테나의 방사패턴 해석에 관한 연구  

    정옥현 (LG전자㈜N-Hi센터 ) , 문영찬 (한국전자통신연구소 위성통신 연구단 ) , 윤상원 (서강대학교 전자공학과 ) , 장익수 (서강대학교 전자공학과)
    電子工學會論文誌. Jounnal of the Korea institute of telematics and electronics. A. A v.33A no.12 ,pp. 16 - 24 , 1996 , 1016-135x ,

    초록

    In this paper, the radiation pattern of the monopole antenna mounted on the portable phone is analyzed. The analyzed model consists of a rectangular conductor box and a monopole antenna. Even though the radiation pattern of the monopole has been well known, the monopole antenna mounted on the portable phone has not been fully studied. Because of the conductor box, portable phone acts as an unbalanced dipole antenna whoe radiation patterns deviate fro those of th econventional isolated monopole antenna. Therefore, the analysis of the radiation patterns of unbalanced dopole antenna is necessary. Using the moment method, its radiation patterns are analyzed and the numerical results are verified through the measurements. In addition, the radiation patterns depending on various length of the conductor box and the monopole antenna are also presented and the dimension of the portable phone which gives excellent radiation characteristics are derived from the analyzed results.

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  4. [국내논문]   굴곡 및 굴절형 터널 내의 전파 전파의 전송 효율에 관한 연구   피인용횟수: 1

    김기래 (마산전문대학 정보통신과 ) , 한경구 (후쿠오카공업대학 정보공학과)
    電子工學會論文誌. Jounnal of the Korea institute of telematics and electronics. A. A v.33A no.12 ,pp. 25 - 32 , 1996 , 1016-135x ,

    초록

    This paper is concenred with a finite volume time domain (FVTD) method for the analyses of transmission efficiency of electromagnetic wave propagation in tunnels with bend and fold. This method is gased on the volume integratio sof the maxwell's equation with respected to arbitrary shaped small polyhedron cells. The advantages of the present mehtod are that the algorithm is very simple since the coordinate system is restricted only to the cartesian, and so the arbitrary shaped boundaries can easily be dealt with since the fields at every center point of the cells are assigned in an average fashion.

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  5. [국내논문]   FR-4 composite 기판의 성부 구성비에 따른 광대역 유전상수 모델 및 전송 특성 해석  

    홍정기 (LG정보통신 ) , 김성일 (아주대학교 전기전자공학부 ) , 이해영 (아주대학교 전기전자공학부)
    電子工學會論文誌. Jounnal of the Korea institute of telematics and electronics. A. A v.33A no.12 ,pp. 33 - 38 , 1996 , 1016-135x ,

    초록

    In this paper, we modeled the complex dielectric constant and analyzed the projpagation characteristics of a FR-4 composite substrate with different compositions. From the wideband dielectric modeling and the propagation loss analysis of FR-4 composites that consists of FR-4 resin and E-glass reinforcement,we have found that the propagation loss and velocity increase with the volume fraction of FR-4 resin above 1 GHz. These results are helpful in determining to deisgn optimum substrate composition ratio and cross-sectional geometry of high-speed and high-density transmission line.

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  6. [국내논문]   AlGaAs/GaAs HBT의 DC 파라미터에 미치는 온도영향의 해석  

    김득영 (동아대학교 전자공학과 ) , 박재홍 (동아대학교 전자공학과 ) , 송정근 (동아대학교 전자공학과)
    電子工學會論文誌. Jounnal of the Korea institute of telematics and electronics. A. A v.33A no.12 ,pp. 39 - 46 , 1996 , 1016-135x ,

    초록

    In AlGaAs/GaAs HBT the temperature dependence of DC parameters was investigated over the temperature range between 95K and 580K. The temperature dependence of DC parameters depends on the relative contribution of each of the current components suc as emitter-injection-current, base-injection-current, bulk recombination current, interface recombination curretn, thermal generation ecurrent and avalanche current due to impact ionization within the collector space charge layer in a specific temperature. In this paper we investigated the temperature effects on DC parameters such as V $_{BE,ON}$ current gain, input and output characteristics, V $_{CE, OFF}$ , R $_{E}$ , R $_{C}$ and analyzed the origins, and extracted the qualitativ econditions for a stable HBTs against the temperature variation. Finally, in order to keep HBTs stable with respect to the variation of temperature, the valance-band-energy-discontinuity at emitter-base heterojunction should be large enough to enhance the effect of carrier suppression at a relatively high temperature. In addition the recombination centers, especially around collector junction, should be removed and the area of emitter and collector junction should be identical as well.

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  7. [국내논문]   AlCu 플라즈마 식각후 Al 결정입계에서 Al 부식현상   피인용횟수: 1

    김창일 (안양대학교 전기공학과 ) , 권광호 (한서대학교 전자공학과 ) , 윤선진 (한국전자통신연구소 반도체연구단 ) , 김상기 (한국전자통신연구소 반도체연구단 ) , 백규하 (한국전자통신연구소 반도체연구단 ) , 남기수 (한국전자통신연구소 반도체연구단)
    電子工學會論文誌. Jounnal of the Korea institute of telematics and electronics. A. A v.33A no.12 ,pp. 47 - 52 , 1996 , 1016-135x ,

    초록

    Cl-based gas chemistry is generally used to etching for al alloy metallization. After the etching of Al alloy with Cl-based gas plasma, residual chlorine on Al alloy reacts with H $_{2}$ O due to air exposure and results in Al corrosion. In this study, the corrosion phenomena of Al wer examined with XPS(X-ray photoelectron spectroscopy) and SEM (scanning electorn microscopy). It was confirmed that chlorine mainly existed at the grian boundary of Al alloy after plasma etching of Al alloy with cl-based gas chemistry and Al corrosion was largely generated at the grain boundary of Al alloy. And residual chlorine was passivated by sulfur and fluorine which were generated by SF $_{6}$ plasma. These effects of passivation reduced the Al corrosion due to air exposure.

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  8. [국내논문]   열적 증착법을 이용한 air-bridge 제작과 그 응용에 관한 연구   피인용횟수: 5

    이일형 (동국대학교 전자공학과 ) , 김성수 (동국대학교 전자공학과 ) , 윤관기 (동국대학교 전자공학과 ) , 김상명 (한국통신 ) , 이진구 (동국대학교 전자공학과)
    電子工學會論文誌. Jounnal of the Korea institute of telematics and electronics. A. A v.33A no.12 ,pp. 53 - 58 , 1996 , 1016-135x ,

    초록

    In this paper, a simple fabrication technique of an air-bridge for interconnection of isolated electrodes of microwave active and passive devices and MMIC's is proposed. The proposed air-bridge proceses are mainly combinations of thermal evaporation, positive photoresist and image reversal processes for easy lift-off of up to 2.0 .mu.m thick metal. According to the resutls of air-birdge processes, it is confirmed that air-gap and thickness of theair-bridge are about 3.5.mu.m, and 2.0.mu.m, respectively. And it is also possible to make the fine air-bridge with widths of 5~60.mu.m and post-intervals of 25~200.mu.m withot collapse. finally, GaAs power MESFET's and rectangular spiral inductors are fabricatd and measured in order to confirm of feasibility of the proposed air-bridge processes. The MAG of the fabricated power MESFET's is 10dB at 10GHz, and the inductance of the (200.mu. * 6 turns) rectangular spiral inductors 4.5 nH inX-band.

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  9. [국내논문]   Remote PECVD SiO$_{2}$ 를 이용한 InSb MIS 소자의 특성  

    이재곤 (경북대학교 전자,전기공학부 ) , 최시영 (경북대학교 전자,전기공학부)
    電子工學會論文誌. Jounnal of the Korea institute of telematics and electronics. A. A v.33A no.12 ,pp. 59 - 64 , 1996 , 1016-135x ,

    초록

    InSb MIS devices prepared by remote PECVD SiO $_{2}$ were fabricated. The SiO $_{2}$ films on InSb were deposited at atemperature range of 67~190 $^{\circ}$ C. The effects of deposition temperature on the structural characteristics of the SiO $_{2}$ films evaluated Auger electron spectroscopy showed that atomic raito of silicon to oxygen was 0.5 and composition toms were distributed uniformaly throuout the oxide film. The transition region is about 100 $\AA$ for SiO $_{2}$ /InSb interface. The leakage current density at 1MV/cm and the breakdownelectric field of the MiS device using SiO $_{2}$ film deposited at 105 $^{\circ}$ C were about 22 nA/cm $^{2}$ and 3.5MV/cm, respectively. The interface-state density at mid-bandgap extracted from 1 MHz high frequency C-V measurement was about 2X10 $^{11}$ cm $^{-2}$ eV $^{-1}$ .

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  10. [국내논문]   자체적으로 진공을 갖는 수평형 전계 방출 트라이오드  

    임무섭 (서울대학교 전기공학부 ) , 박철민 (서울대학교 전기공학부 ) , 한민구 (서울대학교 전기공학부 ) , 최연익 (아주대학교 전기전자공학부)
    電子工學會論文誌. Jounnal of the Korea institute of telematics and electronics. A. A v.33A no.12 ,pp. 65 - 71 , 1996 , 1016-135x ,

    초록

    A novel lateral field emitter triode has been designed and fabricated. It has self-vacuum environmets and low turn-on voltage, so that the chief problems of previous field emission devices such as additional vacuum sealing process and high turn-on voltage are settled. An in-situ vaccum encapsulation empolying recessed cavities by isotropic RIE (reactive ion etch) method and an electron beam evaporated molybdenum vacuum seals are implemented to fabricate the new field emitter triode. The device exhibits low turn-on voltage of 7V, stabel current density of 2.mu.A/tip at V $_{AC}$ = 30V, 30V, and high transconductance (g $_{m}$ ) of 1.7 $\mu$ S at V $_{AC}$ = 22V. 22V. The superb device characteristics are probably due to sub-micron dimension device structure and the pencil type lateral cathode tip employing upper and lower LOCOS oxidation.

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