본문 바로가기
HOME> 저널/프로시딩 > 저널/프로시딩 검색상세

저널/프로시딩 상세정보

권호별목차 / 소장처보기

H : 소장처정보

T : 목차정보

電子工學會論文誌. Journal of the Korean Institute of Telem... 8건

  1. [국내논문]   비여진 소자를 추가한 원형 마이크로스트립 안테나  

    구인모 (한양대학교 전자통신공학과, 부산전문대학 전자통신과 ) , 이상설 (한양대학교 전자전기공학부)
    電子工學會論文誌. Journal of the Korean Institute of Telematics and Electronics. D v.34D no.1 ,pp. 1 - 7 , 1997 , 1226-5845 ,

    초록

    In this paper, several parasitic elements are added to the circular microstrip antenna in order to increase its bandwidth. Three kinds of parasitic elements such as cone, circular plate, and ring types are applied and input VSWRs, radiation patterns, and input impedances are measured. The optimal sizes of each parasitic element are obtianed and the variations of the bandwidth according to the height from the patch are also measured. In thid case of the ring type, the optimum bandwidth is obtained at the height of 10mm from the patch to the parasitic element. In the cases of conical and circular plate types, the maximum bandwidth is obtained at the hight of 45mm form the patch to the parasitic elements.

    원문보기

    원문보기
    무료다운로드 유료다운로드

    회원님의 원문열람 권한에 따라 열람이 불가능 할 수 있으며 권한이 없는 경우 해당 사이트의 정책에 따라 회원가입 및 유료구매가 필요할 수 있습니다.이동하는 사이트에서의 모든 정보이용은 NDSL과 무관합니다.

    NDSL에서는 해당 원문을 복사서비스하고 있습니다. 아래의 원문복사신청 또는 장바구니담기를 통하여 원문복사서비스 이용이 가능합니다.

    이미지

    Fig. 1 이미지
  2. [국내논문]   점근적 근사를 사용한 지표면 위에 놓여 있는 한쪽 면이 도체로 된 얇은 유전체 층 내부의 두 다이폴 사이의 상호 결합 원리에 관한 연구  

    박동국 (한국해양대학교 전자통신공학과 ) , 라정웅 (한국과학기술원 전기 및 전자공학과)
    電子工學會論文誌. Journal of the Korean Institute of Telematics and Electronics. D v.34D no.1 ,pp. 8 - 13 , 1997 , 1226-5845 ,

    초록

    An electric field due to point dipole within conductor-backed thin dielectric layer above the earth is calculated by using saddle point method When the dielectric layer is thin enough to support a cutoff mdoe, we show that the field may be approximated by sum of contributions of branch points of TE mode and poles of tM mode and that the branch points and poles contributions are interpreted as an evanescent lateral waves and leaky waves, respectively.

    원문보기

    원문보기
    무료다운로드 유료다운로드

    회원님의 원문열람 권한에 따라 열람이 불가능 할 수 있으며 권한이 없는 경우 해당 사이트의 정책에 따라 회원가입 및 유료구매가 필요할 수 있습니다.이동하는 사이트에서의 모든 정보이용은 NDSL과 무관합니다.

    NDSL에서는 해당 원문을 복사서비스하고 있습니다. 아래의 원문복사신청 또는 장바구니담기를 통하여 원문복사서비스 이용이 가능합니다.

    이미지

    Fig. 1 이미지
  3. [국내논문]   GaAs HBT 를 이용한 10 Gbps 리미팅 앰프의 설계 및 제작 ( Design and Fabrication of 10 Gbps Limiting Amplifier Using an AlGaAs / GaAs HBT )  

    김영석 , 강신재 , 나기열 , 박성호 , 이태우 , 박문평 , 편광의
    電子工學會論文誌. Journal of the Korean Institute of Telematics and Electronics. D v.34D no.1 ,pp. 14 - 22 , 1997 , 1226-5845 ,

    초록

    An electric field due to point dipole within conductor-backed thin dielectric layer above the earth is calculated by using saddle point method When the dielectric layer is thin enough to support a cutoff mdoe, we show that the field may be approximated by sum of contributions of branch points of TE mode and poles of tM mode and that the branch points and poles contributions are interpreted as an evanescent lateral waves and leaky waves, respectively.

    원문보기

    원문보기
    무료다운로드 유료다운로드

    회원님의 원문열람 권한에 따라 열람이 불가능 할 수 있으며 권한이 없는 경우 해당 사이트의 정책에 따라 회원가입 및 유료구매가 필요할 수 있습니다.이동하는 사이트에서의 모든 정보이용은 NDSL과 무관합니다.

    NDSL에서는 해당 원문을 복사서비스하고 있습니다. 아래의 원문복사신청 또는 장바구니담기를 통하여 원문복사서비스 이용이 가능합니다.

    이미지

    Fig. 1 이미지
  4. [국내논문]   Co 두께가 $CoSi_2$ 에피박막 형성에 미치는 영향  

    김종렬 (수원대학교 전자재료공학과 ) , 배규식 (수원대학교 전자재료공학과)
    電子工學會論文誌. Journal of the Korean Institute of Telematics and Electronics. D v.34D no.1 ,pp. 23 - 29 , 1997 , 1226-5845 ,

    초록

    Effects of Co thickness on the formation of epitaxial $CoSi_2$ from the Co/Ti bilayer have been investigated. Ti and Co were sequentially deposited with the Ti thickness fixed at 5 or 10nm, while the Co thickness was varied from 5 to 30nm. The metal-deposited samples were then rapidly thermal-annealed in $N_2$ at $900^{\circ}C$ for 20 sec. Material properties of $CoSi_2$ thin films were analyzed by the 4-point probe, XRD, AES, andXTEM. When the as-deposited Co thickness was below 15nm, the $CoSi_2$ with high resistivity and rough interface was formed. On the other hand, when the Co thickness was above 15 nm, the epitaxial $CoSi_2$ with the resistivity of about 16 ~ 19 $\mu\Omega.cm$ , uniform composition and thickness and flat interface was formed. Initial Ti thickness has sizable effect on the formation of $CoSi_2$ , when the Co layer was very thin (~ 5 nm). But there was no significant effect of the Ti thickness for the initial Co thickness of above 15 nm.

    원문보기

    원문보기
    무료다운로드 유료다운로드

    회원님의 원문열람 권한에 따라 열람이 불가능 할 수 있으며 권한이 없는 경우 해당 사이트의 정책에 따라 회원가입 및 유료구매가 필요할 수 있습니다.이동하는 사이트에서의 모든 정보이용은 NDSL과 무관합니다.

    NDSL에서는 해당 원문을 복사서비스하고 있습니다. 아래의 원문복사신청 또는 장바구니담기를 통하여 원문복사서비스 이용이 가능합니다.

    이미지

    Fig. 1 이미지
  5. [국내논문]   클럭-피드쓰루를 개선한 새로운 전류 기억 소자  

    민병무 (고려대학교 전자공학과 ASIC연구실 ) , 김재완 (고려대학교 전자공학과 ASIC연구실 ) , 김수원 (고려대학교 전자공학과 ASIC연구실)
    電子工學會論文誌. Journal of the Korean Institute of Telematics and Electronics. D v.34D no.1 ,pp. 30 - 34 , 1997 , 1226-5845 ,

    초록

    An improved clock-feedthrough compensation scheme for switche dcurrent system is proposed. Both the signal dependent and the constant clock-feedthrough terms are cancelled by using both NMOS and PMOS current samplers and by adopting a source replication technique. The proposed current memory cell was fabricated with 0.6 $\mu$ m CMOS process. Both experimental and theoretical results on clock-feedthrough error reveal substantial reduction over the existing compensation schemes.

    원문보기

    원문보기
    무료다운로드 유료다운로드

    회원님의 원문열람 권한에 따라 열람이 불가능 할 수 있으며 권한이 없는 경우 해당 사이트의 정책에 따라 회원가입 및 유료구매가 필요할 수 있습니다.이동하는 사이트에서의 모든 정보이용은 NDSL과 무관합니다.

    NDSL에서는 해당 원문을 복사서비스하고 있습니다. 아래의 원문복사신청 또는 장바구니담기를 통하여 원문복사서비스 이용이 가능합니다.

    이미지

    Fig. 1 이미지
  6. [국내논문]   엑시머 레이저를 이용하여 동시에 형성된 실리콘 산화막과 다결정 실리콘 박막  

    박철민 (서울대학교 공과대학 전기공학부 ) , 민병혁 (서울대학교 공과대학 전기공학부 ) , 전재홍 (서울대학교 공과대학 전기공학부 ) , 유준석 (서울대학교 공과대학 전기공학부 ) , 최홍석 (서울대학교 공과대학 전기공학부 ) , 한민구 (서울대학교 공과대학 전기공학부)
    電子工學會論文誌. Journal of the Korean Institute of Telematics and Electronics. D v.34D no.1 ,pp. 35 - 40 , 1997 , 1226-5845 ,

    초록

    A new method to form the gate oxide and recrystllize the polycrystalline silicon (poly-Si) active layer simultaneously is proposed and fabricated successfully. During te irradiation of excimer laser, the poly-Si film is recrystallized, while the oxygen ion impurities injected into the amorphous silicon(a-Si) film are activated by laser energy and react with silicon atoms to form SiO2. We investigated the characteristics of the sample fabricated by proposed method using AES, TEM, AFM. The electrical performance of oxide was verified by ramp up voltage method. Our experimental results show that a high quality oxide, a pol-Si film with fine grain, and a smooth and clean interface between oxide and poly-Si film have been successfully obtained by the proposed fabrication method. The interface roughness of oxide/poly-Si fabricated by new method is superior to film by conventional fabrication os that the proposed method may improve the performance of poly-Si TFTs.

    원문보기

    원문보기
    무료다운로드 유료다운로드

    회원님의 원문열람 권한에 따라 열람이 불가능 할 수 있으며 권한이 없는 경우 해당 사이트의 정책에 따라 회원가입 및 유료구매가 필요할 수 있습니다.이동하는 사이트에서의 모든 정보이용은 NDSL과 무관합니다.

    NDSL에서는 해당 원문을 복사서비스하고 있습니다. 아래의 원문복사신청 또는 장바구니담기를 통하여 원문복사서비스 이용이 가능합니다.

    이미지

    Fig. 1 이미지
  7. [국내논문]   Input/Output bending 영역에서의 parasitic coupling을 고려한 방향성 결합기 광 스위치의 설계 법칙  

    김동각 (서울시립대학교 전자공학과 ) , 김창민 (서울시립대학교 전자공학과)
    電子工學會論文誌. Journal of the Korean Institute of Telematics and Electronics. D v.34D no.1 ,pp. 41 - 48 , 1997 , 1226-5845 ,

    초록

    Design rules of directional coupler optical switches are discussed in consideration of parasitic couplings in the bending section. The parasitic coupling phenomenon is analyzed based on the coupled-mode theory and the solutions are represented in the form of the transfer matrix. The modified switching conditions due to the parasitic coupling are derived and the resultant switching diagrams are illustrated. It is revealed that the parallel section's length needs to be adjustd less than the coupling length $l_c(=\pi/2\textsc{k}o)$ to obtain the desired crosstalk and that the adjustment depends on the strength of the parasitic coupling. However, it is discovered that, for weak parasitic coupling, the switching voltage does not need to be altered but may maintain the same value as if no parasitic coupling is taken into account.

    원문보기

    원문보기
    무료다운로드 유료다운로드

    회원님의 원문열람 권한에 따라 열람이 불가능 할 수 있으며 권한이 없는 경우 해당 사이트의 정책에 따라 회원가입 및 유료구매가 필요할 수 있습니다.이동하는 사이트에서의 모든 정보이용은 NDSL과 무관합니다.

    NDSL에서는 해당 원문을 복사서비스하고 있습니다. 아래의 원문복사신청 또는 장바구니담기를 통하여 원문복사서비스 이용이 가능합니다.

    이미지

    Fig. 1 이미지
  8. [국내논문]   하나의 GRIN Rod Lens를 이용한 효율적 병렬 광연결  

    김성철 (서울대학교 전기공학부 ) , 이욱 (서울대학교 전기공학부 ) , 이병호 (서울대학교 전기공학부 ) , 정지채 (고려대학교 전파공학과)
    電子工學會論文誌. Journal of the Korean Institute of Telematics and Electronics. D v.34D no.1 ,pp. 49 - 54 , 1997 , 1226-5845 ,

    초록

    We proved the feasibiltiy of a parallel optical interconnection technique using single GRIN (graded-index) rod lens as an intermediate coupling device, which increases the working distance and makes packaging easy. The proposed technique shows relatively less dependency on misalignments. In this paper, for convensience of experiments, we applied this method to 4-channel coupling between two fiber arrays, and compared it with butt-coupling and the method of using ball lens. The comparison shows the feasibility of adopting the proposed method to the parallel interconnection between a laser diode array and an optical fiber array.

    원문보기

    원문보기
    무료다운로드 유료다운로드

    회원님의 원문열람 권한에 따라 열람이 불가능 할 수 있으며 권한이 없는 경우 해당 사이트의 정책에 따라 회원가입 및 유료구매가 필요할 수 있습니다.이동하는 사이트에서의 모든 정보이용은 NDSL과 무관합니다.

    NDSL에서는 해당 원문을 복사서비스하고 있습니다. 아래의 원문복사신청 또는 장바구니담기를 통하여 원문복사서비스 이용이 가능합니다.

    이미지

    Fig. 1 이미지

논문관련 이미지