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電子工學會論文誌. Journal of the Korean Institute of Telem... 13건

  1. [국내논문]   도체와 유전체가 복합된 쐐기에 의한 E-편파된 전자파의 회절, II:확장된 회절계수  

    김세윤 (한국과학기술연구원 정보전자연구부 ) , 김상욱 (한국과학기술연구원 정보전자연구부)
    電子工學會論文誌. Journal of the Korean Institute of Telematics and Electronics. D v.34D no.7 ,pp. 1 - 7 , 1997 , 1226-5845 ,

    초록

    The physical optical solution to the E-polarized diffraction by a composite wedge consisting of perfect conductor and lossless dielectric cannot sayisfy not only the boundary conditions at the wedge interfaces but also the edge condition at the wedge tip. Its diffraction coefficients are extended outside the composite wedge to become the exact solution to the perfectly conducting wedge as its relative dielectric constant increases to infinite or decreases to 1. It is assured that the extended diffraction coefficients approach zero in the arificially complementary region of the composite wedge.

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  2. [국내논문]   복합쐐기의 유전체 영역에서 확장된 E-편파 회절계수  

    김세윤
    電子工學會論文誌. Journal of the Korean Institute of Telematics and Electronics. D v.34D no.7 ,pp. 8 - 14 , 1997 , 1226-5845 ,

    초록

    The phusical optics approximation to an E-polarized diffraction by a composite wedge provides its diffraction coefficients in terms of finite series of cotangent functions. In this paper, its diffraction coefficients inside the dielectric part are extended to become the exact solution to the perfectly conducting wedge as its relative dielectric constant increases to infinite or decreases to 1. It is assured that the extended diffraction coefficients satisfy the boundary condition at th econducting interface and become zero in the artificially complementary region of the composite wedge.

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  3. [국내논문]   AlGaAs/GaAs HBT를 사용한 10Gbit/s 리미팅증폭기  

    곽봉신 (한국전자통신연구원 광통신연구실 ) , 박문수 (한국전자통신연구원 광통신연구실)
    電子工學會論文誌. Journal of the Korean Institute of Telematics and Electronics. D v.34D no.7 ,pp. 15 - 22 , 1997 , 1226-5845 ,

    초록

    A 10Gbit/s limiting amplifier IC for optical transmission system was implemented with AlGaAs HBT (heterojunction bipolar transistor) technology. HBTs with 2x10.mu. $m^{2}$ and 6x20.mu. $m^{2}$ emitter size were used. The HBT structures are based on metal-organic chemical vapor deposition (MOCVD) epitxy and employ a mesa structure with self-aligned emitter/base and sidewall dielectric passivation. IC was designed to support differnetial input and output. Small signal performance of the packaged IC showed 26dB gain and $f_{3dB}$ of 8GHz. A single ouput has 800m $V_{p-p}$ swing with more than 26dB dynamic range. The performance of the limiting amplifier was verified through single mode fiber320km transmission link test.est.

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  4. [국내논문]   Hot carrier 현상에 의한 CMOS 차동 증폭기의 성능 저하  

    박현진 (인천대학교 전자공학과 ) , 유종근 (인천대학교 전자공학과 ) , 정운달 (인천대학교 전자공학과 ) , 박종태 (인천대학교 전자공학과)
    電子工學會論文誌. Journal of the Korean Institute of Telematics and Electronics. D v.34D no.7 ,pp. 23 - 29 , 1997 , 1226-5845 ,

    초록

    The performance degradation of CMOS differential amplifiers due to hot carrier effect has been measured and analyzed. Two-state CMOS amplifiers whose input transistors are PMOSFETs were designed and fabriacted using the ISRC CMOS 1.5.mu.m process. It was observed after the amplifier was hot-carrier stressed that the small-signal voltage gain and the input offset voltage increased and the phase margin decreased. The performance variation results from the increase of the transconductances and gate capacitances of the PMOSFETs used as input transistors in the differential input stage and the output stage and also resulted from the decrease of their output conductances. After long-term stress, the amplifier became unstable. The reason might be that its phase margin was reduced due to hot carrier effect.

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  5. [국내논문]   범프 본딩된 압저항 실리콘 가속도센서의 제조  

    심준환 (경북대학교 전자,전기공학부 ) , 이상호 (경북대학교 전자,전기공학부 ) , 이종현 (경북대학교 전자,전기공학부)
    電子工學會論文誌. Journal of the Korean Institute of Telematics and Electronics. D v.34D no.7 ,pp. 30 - 36 , 1997 , 1226-5845 ,

    초록

    Bump bonded piezoesistive silicon accelerometer was fabricated by the porous silicon micromachining and th eprocess technique of integrated circuit. The output voltage of the accelerometer fabricated on (111)-oreiented Si substrates with n/n $^{+}$ n triple layers showed good linear characteristic of less than 1%. The measured sensitivity and the resonant frequency was about 743 .mu.V/g and 2.04 kHz, respectively. And the transverse sensitivity of 5.2% was measured from the accelerometer. Also, to investigate an influence on the output characteristics of the sensor due to bump bonding, the values of the piezoresistors were measured through thermal-cycling test in the temperature variation form -50 to 120.deg. C. Then, there was 0.014% resistance changes about 3.61 k.ohm., so sthe output charcteristics of the sensor was less affected by bump bonding.g.

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  6. [국내논문]   풀밴드 GaAs monte carlo 시뮬레이션을 위한 최적사면체격자의 발생  

    정학기
    電子工學會論文誌. Journal of the Korean Institute of Telematics and Electronics. D v.34D no.7 ,pp. 37 - 44 , 1997 , 1226-5845 ,

    초록

    A dadaptive refinement tetrahedron mesh has been presented for using in full band GaAs monte carlo simulation. A uniform tetrahedron mesh is used without regard to energy values and energy variety in case of the past full band simulation. For the uniform tetrahedron mesh, a fine tetrahedron is demanded for keeping up accuracy of calculation in the low energy region such as .GAMMA.-valley, but calculation time is vast due to usin gthe same tetrahedron in the high energy region. The mesh of this study, thererfore, is consisted of the fine mesh in the low energy and large variable energy region and rough mesh n the high energy. The density of states (DOS) calculated with this mesh is compared with the one of the uniform mesh. The DOS of this mesh is improved th efive times or so in root mean square error and the ten times in the correlation coefficient than the one of a uniform mesh. This refinement mesh, therefore, can be used a sthe basic mesh for the full band GaAs monte carlo simulation.

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  7. [국내논문]   HgCdTe 이종접합 광다이오드의 수치 해석  

    조남홍 (한양대학교 전자공학과 ) , 곽규달 (한양대학교 전자공학과)
    電子工學會論文誌. Journal of the Korean Institute of Telematics and Electronics. D v.34D no.7 ,pp. 45 - 55 , 1997 , 1226-5845 ,

    초록

    Electircal characteristics of HgCdTe photodiodes with a heterostructure to achieve high performance are analyzed numerically. A two-dimensional device simulator which can handle a HgCdTe heterostructure, was developed for this work. The effects of band nonparabolicity, carrier degeneracy, and band-offset of heterointerace are included in a carrier transport model. A unified generation-recombination model includes simultaneously phonon-assisted tunneling and pure tunneling of carriers via traps is newly employed for describing the electric field and temperature dependency of dark current effectively. Furthermore, to accurately predict the effect mole fraction variations on genration rates, ray-trace algorithm is incorporated in the our simulator. Under the various circumstances such as dark, illumination, and surface states, electrical properties of planar heterostructure photodiode are presented and those of homojunction are compared. These results serve as a explanation of cap layer's role on performance.

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  8. [국내논문]   分子線에피택셜 方法으로 成長한 I $n_{0.53}$GaTEX>$_{0.47}$As/InTEX>$_{0.52}$AlTEX>$_{0.48}$As/InP P-HEMT 構造內의 V 및 X字形 缺陷에 關한 硏究  

    이해권 (한국전자통신연구원 반도체연구단 ) , 홍상기 (한국전자통신연구원 반도체연구단 ) , 김상기 (한국전자통신연구원 반도체연구단 ) , 노동원 (한국전자통신연구원 반도체연구단 ) , 이재진 (한국전자통신연구원 반도체연구단 ) , 편광의 (한국전자통신연구원 반도체연구단 ) , 박형무 (한국전자통신연구원 반도체연구단)
    電子工學會論文誌. Journal of the Korean Institute of Telematics and Electronics. D v.34D no.7 ,pp. 56 - 61 , 1997 , 1226-5845 ,

    초록

    I $n_{0.53}$ G $a_{0.47}$ As/I $n_{0.52}$ A $l_{0.48}$ As pseudomorphic high electron mobility transistor (P-HEMT) structures were grown on semi-insulating InP substrates by molecular beam epitzxy method. The hall effect measuremetn was used to measure the electrical properties and the photoluminescence (PL) measurement was used to measure the electrical properties and the photoluminescence(PL) measurement for optical propety. By the cross-sectional transmission electron microscopy (XTEM) investigation of the V and X shape defects including slip with angle of 60.deg. C and 120.deg. C to surface in the sampel, the defects formation mecahnism in the I $n_{0.52}$ A $l_{0.48}$ As epilayers on InP substrates could be explained with the different thermal expansion coefficients between I $n_{0.52}$ A $l_{0.48}$ As epilayers and InP substrate.d InP substrate.

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  9. [국내논문]   뽀앙까레 구면을 이용한 반사형 칼라 STN 액정 표시소자의 설계  

    강기형 (부산대학교 전자공학과 ) , 문정민 (부산대학교 전자공학과 ) , 윤태훈 (부산대학교 전자공학과 ) , 김재창 (부산대학교 전자공학과 ) , 이기동 (부산대학교 전자공학과 ) , 이응상 (삼성전관 주식회사)
    電子工學會論文誌. Journal of the Korean Institute of Telematics and Electronics. D v.34D no.7 ,pp. 62 - 70 , 1997 , 1226-5845 ,

    초록

    In this paper, the optical conditins of a reflective multi-color STN-LCD based on electrical control of birefringence is designed on the poincare sphere. First of all, the angles of polarizer and analyzer for the best color purity are decided in the configuration without a retardation film. A retardation film is introduced for a bright white in the range of the applied voltage. The sretardation and the angle of the retardation film are also decided on the poincare shpere. The test cell is farbricated and its measured spectral transmittance and the CIE chromaticity diagram agree well with simulations.

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  10. [국내논문]   파장 분할 다중화 방식을 위한 고속 레이저 다이오드 배열 모듈의 혼신해석   피인용횟수: 1

    김성일 (현대전자 산업㈜ 메모리 연구소 패키지개발실 ) , 이해영 (아주대학교 전기전자공학부)
    電子工學會論文誌. Journal of the Korean Institute of Telematics and Electronics. D v.34D no.7 ,pp. 71 - 78 , 1997 , 1226-5845 ,

    초록

    In this paper, we analyzed the crosstalk characteristics of LD array modules for WDM and improved the crosstalk levels using a screening line between access lines. From the calculation resutls, we have found that inductive crosstalk of access lines is dominant for the low impedance LD arrays with short bondwire interconnections. The proposed array interconnecton with the screening line and ouble bondwires, rduces the crosstalk level about 10dB compared to conventional interconnections using simple access lines and a single bondwire. This proposed structure also can be easily imlemented with transmission reliability.

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