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電子工學會論文誌. Journal of the Korean Institute of Telem... 11건

  1. [국내논문]   반사형 저위상 변화 감쇠기의 설계   피인용횟수: 1

    강민수 (서강대학교 전자공학과 ) , 강원태 (서강대학교 전자공학과 ) , 장익수 (서강대학교 전자공학과)
    電子工學會論文誌. Journal of the Korean Institute of Telematics and Electronics. D v.34D no.9 ,pp. 1 - 6 , 1997 , 1226-5845 ,

    초록

    A transmission type phase shift attenuator has a poor reflection characteristics at an output port. And that is controlled by the current, its dynamic rnage decreases due to the current limitation. In this paper, to avoid such disadvantages, a reflection type low phase shift attenuator has been designed and measured. As a result, at a center frequency (1855MHz), the sreflection type low pahse shift attenuator has an attenuation of 30dB, within the limit of 3 phase shift and less than -17dB reflection characteristics at both input and output ports. And it demonstrates the peformance of the reflection type low phase shift attenuator is better than the transmission type phase shift attenuator with the same measurement specifications.

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  2. [국내논문]   격자 사각 루프 형태를 갖는 주파수 선택 반사기   피인용횟수: 4

    고지환 (한국전자통신연구원 ) , 음만석 (한국전자통신연구원)
    電子工學會論文誌. Journal of the Korean Institute of Telematics and Electronics. D v.34D no.9 ,pp. 7 - 14 , 1997 , 1226-5845 ,

    초록

    A rigorous analysis method of electromagentic scattering from frequency selective surface with gridded square loop elements in case of oblique incident and arbitrary polarization is presented, which uses the roof-top subdomain basis function. The frequency response and polarization characteristics of the reflected wave and the transmitted wave for various widths of the grid and the conductor square loop, and for the various gaps between the grid and the conductor square loop, and for the various gaps between the grid and square loop is investigated. To confirm the validity of presented method, frequency selective surfaces with gridded square loop elements are fabricated with honeycomb structures, calculate dvalues for the frequency response of the reflected wave and the transmitted wave for arbitrary incident angle and polarization are compared with measured values.

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  3. [국내논문]   소형 도판관 대역통과 여파기의 CAD 설계   피인용횟수: 1

    성규제 (서강대학교 전자공학과 ) , 박정호 (LG전자 ) , 윤상원 (서강대학교 전자공학과 ) , 장익수 (서강대학교 전자공학과)
    電子工學會論文誌. Journal of the Korean Institute of Telematics and Electronics. D v.34D no.9 ,pp. 15 - 20 , 1997 , 1226-5845 ,

    초록

    Waveguide bandpass filters using E-plane or H-plane discontinuities have been used in many satellite communication systems. Since the transmitter and receiver of such systems tend to be getting smaller, components such as bandpass filters must also be reduced in size. In this paper, in order to reduce the waveguide, itself, of which bandpass filters consist, double plane step waveguide discontinuities are considered. They are analyzed using the mode matching method and the genralized scattering parameter of the cascaded structure is calculated. The characteristics of the bandpass filter which is designed using the reduced size waveguide is optimized by OSA90 $^{TM}$ . The bandpass filter has a good characteristics and smaller size than those made of the E-plane or H-plane step discontinuities.s.

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  4. [국내논문]   금속의 두께를 고려한 나선형 인덕터의 집중형 등가 회로의 제안  

    오데레사 (제주대학교 통신공학과 ) , 김흥수 (제주대학교 통신공학과)
    電子工學會論文誌. Journal of the Korean Institute of Telematics and Electronics. D v.34D no.9 ,pp. 21 - 27 , 1997 , 1226-5845 ,

    초록

    Square spiral inductors are designed with EM program in accordance with the inner diameter and the metal thickness which is 0.2.mu.m and 20.mu.m respectively. We propose a parameter extraction method based on the S-parameter. Lumped equivalent circuits of spiral inductors are analyed with reflection coefficient S $_{11}$ , of witch freqency rnage is 1~10GHz. When metal thickness is 0.2.mu.m, S $_{11}$ with EM simulation is not the same as S $_{11}$ that of SPICE simulation. So we suggests a new lumped equivalent circuits which compensate circuits. Te new lumped equivalent circuits are adequate for other inductor with small scale at high frequencies.ncies.

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  5. [국내논문]   본딩와이어를 이용한 MMIC용 고품질 수직형 인덕터  

    이용구 (아주대학교 전기전자공학부 ) , 윤상기 (아주대학교 전기전자공학부 ) , 이해영 (아주대학교 전기전자공학부)
    電子工學會論文誌. Journal of the Korean Institute of Telematics and Electronics. D v.34D no.9 ,pp. 28 - 35 , 1997 , 1226-5845 ,

    초록

    A novel high-Q vertical jinductor for MMICs is proposed and characterized in a wide range of frequencies (DC~10 GHz) using the numerical methods such as the PeEC(partial equivalent element circuit), the FDM (finite difference method) and the MoM (method of moments). Electrical superiority of the vertical inductor to the horizontal is observed in terms of the magnetic flux linkage and the ground screening effect. The veritcal bondwire inductor is designed in consideration of the wire bonding feasibility and the optimum electrical peformance. This structure is also analyzed using the equivalent circuit and compared with the conventional spiral inductors From the calculated results, high Q-factor, inductance, and cut-off frequency are observed to be inherent characteristics of the veritcal bondwire inductor.

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  6. [국내논문]   테이퍼 전송선 원리를 이용한 불균일 굴절률 광여파기의 해석 및 설계  

    권영재 (한양대학교 전파공학과 ) , 장호성 (한양대학교 전파공학과 ) , 임성규 (단국대학교 전자공학과 ) , 오명환 (한국과학기술원 정보전자연구실)
    電子工學會論文誌. Journal of the Korean Institute of Telematics and Electronics. D v.34D no.9 ,pp. 36 - 42 , 1997 , 1226-5845 ,

    초록

    Optical filters with graded index profiles are designed by applying the fourier transform to a riccati equation which governs the reflection and transmission characteristics of inhomogeneous refractive index distributions. The inhomogeneous refractive index profile of an optical filter with specified target spectrum is obtained through iterations. The spectra response of the inhomogeneous refractive index layers are analyzed by using runge-dutta numerical method to solve the differential euations of the amplitude and the phase of reflection coefficient derived from the riccati equation and the results are in good agreement with the resutls obtained by using matrix method.

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  7. [국내논문]   Oxygen 이온 주입의 전기적 고립을 통한 평면형 다중 양자 우물 구조의 애벌런치 & pn 및 p - i- n광 다이오드의 제작 및 전기적 특성  

    시상기 (서울대학교 전기공학부 ) , 김성준 (서울대학교 전기공학부)
    電子工學會論文誌. Journal of the Korean Institute of Telematics and Electronics. D v.34D no.9 ,pp. 43 - 49 , 1997 , 1226-5845 ,

    초록

    The dependence of the electrical properties in planar MQW - APD & pn, and p - i - n photodiode implanted with oxygen on the annealing emperatures and ion dose has been investigated. The oxygen implantation was performed for inter-device isolation. The leakage current of as-impanted p-i-n photodiode obtained was less than 50 nA. An annelaing temperature dependence study shows an abrupt increase of leakge current at 600.deg.C for all devices under study. This indicates that donor complex centers introduced by the chemical activity of oxygen increase with increasing annelaing temperatures. Furthermore, leakage current was highly correlated with oxygen dose due to th eimplanted related defects.

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  8. [국내논문]   ITO/InP 태양전지 제작에 응용된 sulfur passivation의 효과  

    이영철 (영남대학교 공과대학 전기,전자 공학부 ) , 한교용 (영남대학교 공과대학 전기,전자 공학부)
    電子工學會論文誌. Journal of the Korean Institute of Telematics and Electronics. D v.34D no.9 ,pp. 50 - 55 , 1997 , 1226-5845 ,

    초록

    In order to improve the electrical performance of ITO/InP solar cells, sulfur passivation technique was employed using (N $H_{4}$ ) $_{2}$ $S_{x}$ solution. Passivation effects were analyzed by measuring the short circuit current density ( $J_{sc}$ ) of solar cells and photoluminescence (PL) of ITO/InP interfaces. This paper firstly reports the sulfur passivation effects by investigating the correlation between the PL intensity and the short circuit current. Generally, PL intensity and the short circuit current of sulfur passivated sampels wer eincreased, and showed the same trend. Especially, samples prepared at 60.deg. C (N $H_{4}$ ) $_{2}$ $S_{x}$ solution exhibited the highest $J_{sc}$ and PL intensity. These results demonstrated that the short circuit currents was influenced by the ITO/InP interface states.

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  9. [국내논문]   Flash EEPROM의 two-step 프로그램 특성 분석  

    이재호 (충북대학교 반도체과학과 ) , 김병일 (충북대학교 반도체과학과 ) , 박근형 (충북대학교 반도체과학과 ) , 김남수 (충북대학교 전기전자공학부 ) , 이형규 (충북대학교 전기전자공학부)
    電子工學會論文誌. Journal of the Korean Institute of Telematics and Electronics. D v.34D no.9 ,pp. 56 - 63 , 1997 , 1226-5845 ,

    초록

    There generally exists a large variation in the thereshold voltages of the flash EEPROM cells after they are erased by using th fowler-nordheim tunneling, thereby getting some cells to be overeased. If the overerased cells are programmed with the conventional one-step programming scheme where an 12-13V pulse with the duration of 100.mu.S is applie don the control gate for the programming, they can suffer from the significant degradation of the reliability of the gate oxide. A two-step programming schem, where an 8/12 V pulse with a duration of 50.mu.S for each voltage is applied on the control gate for the programming, has been studied to solve the problem. The experimental results hav eshown that there is little difference in the programming characteristics between those two schemes, whereas the degradation of the gate oxide due to the programming can be significantly reduced with the two-step programming scheme compared to that with the one-step programming scheme. This is possibly because the positive charge stored in the floating gate of the overerased cells is compensate dwith the electrons injected into the floating gate while the 8V pulse is applied on the control gate, which leaves the overerased cells in the normally erased state after the duration of the 8V pulse.

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  10. [국내논문]   광소자용 미소렌즈 제작을 위한 GaAs/AlGaAs계 액상식각 및 에피택시  

    함성호 (충북대학교 센서기술연구소 ) , 권영세 (한국과학기술원 전기 및 전자공학과)
    電子工學會論文誌. Journal of the Korean Institute of Telematics and Electronics. D v.34D no.9 ,pp. 64 - 71 , 1997 , 1226-5845 ,

    초록

    A new etching technique of meltback was investigated for GaAs lensed optical devices with selective windows opending in the LPE (liquid phase epitaxy) system. In the meltback process, the etch depth and the etch shape were controlled by the degree of under-saturation, etch time and other parameters. A GaAs/AlGaAs DH layer was grown on the selectively etched hemispherical well for optical device application such as lensed surface emitting LED. The regrowth process were related with the coolin grate and the well to well spacing. A novel surface emitting LED with hemispherical AlGaAs lens was fabricated using the meltbakc and regrowth as the key process for AlaAs lens array. The light emitting efficiency of the LED was upto three times higher than the similar structure LED without lens. The meltback and regrowth technique was applicable to manufacture the optical device in LPE.

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