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韓國眞空學會誌 = Journal of the Korean Vacuum Society 20건

  1. [국내논문]   고전장 고온도에서 전자방출의 에너지 교환과 역온도  

    정문성 (울산대학교 물리학과 ) , 김일원 (울산대학교 물리학과 ) , 최점수 (울산대학교 물리학과 ) , 박지모 (울산대학교 물리학과)
    韓國眞空學會誌 = Journal of the Korean Vacuum Society v.3 no.1 ,pp. 1 - 7 , 1994 , 1225-8822 ,

    초록

    전자방출에서 에너지 교환과 역온도를 새롭게 계산하였다. 전자방출에서 대체전자들에 유용한 빈상태들을 만드는 요소로 터널링 효과를 이 계산에서 고려하였다. 그것은 방출부분에서 일어나는 대체 관정을 설명하기 위해서는 빈상태를 만드는데 터널링 기여가 필수적이기 때문이다. 이렇게 계산하여 온 도와 전장의 함수로 얻어진전자당 에너지 교환은 실험결과와 잘 일치하였다. 또한 전장의 함수로 얻어 진 역온도도 실험치와 만족할 만한 일치를 보여주었다. 이 결과는 대체전자들의 평균에너지에 대한 노 팅햄-플레밍과 헨더슨의 논쟁에서 후자의 견해를 지지하는 것이다.

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    Fig. 1 이미지
  2. [국내논문]   표면분석용 Coaxial Impact Collision Ion Scattering Spectroscopy (CAICISS)장치의 제작과 특성  

    김기석 (연세대학교 물리학과 ) , 김용욱 (연세대학교 물리학과 ) , 박노길 (연세대학교 물리학과 ) , 정광호 (연세대학교 물 리학과 ) , 황정남 (연세대학교 물리학과 ) , 김성수 (목원대학교 물리학과 ) , 윤희중 (목원대학교 물리학과 ) , 최대선 (강원대학교 물리학과)
    韓國眞空學會誌 = Journal of the Korean Vacuum Society v.3 no.1 ,pp. 8 - 16 , 1994 , 1225-8822 ,

    초록

    표면분석용CAICISS장치를 제작하고 He+과 Li+이온을 사용하여 장치의 특성을 조사하였다. 장치 분해능의 평가기준으로 이용할 수 있는 ΔT를 정의하고 Li+ 이온을 사용했을 경우와 비교한 결과 He+ 이온의 경우 ΔT/T=0.034, Li+ 이온의 경우 ΔT/T=0.04로서 Li+이온의 경우가 분해능이 약간 떨어짐을 알았다. 그리고 Ta, Al 표적시료에 대한 실험결과를 보정함수를 이용하여 계산값과 비교한 결과 잘 일 치함을 확인하였고 보정함수는 입사이온의 에너지와 표적원자의 질량에는 무관하고 실험조건에만 의존 함을 알았다. 또한 Si(100) 표면에 He+ 이온을 입사하여 입사각에 따른 산란강도 분포 스펙트럼으로부터 CAICISS 장치로 표면 1∼4 원자층의 Si 원자에 대한 기하학적인 배열을 확인하였다.

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    Fig. 1 이미지
  3. [국내논문]   텅스텐 결정면의 수소흡착에 관한 연구  

    김용욱 (연세대학교 물리학과 ) , 박노길 (연세대학교 물리학과 ) , 김기석 (연세대학교 물리학과 ) , 황정남 (연세대학교 물리학 ) , 김성수 (목원대학교 물리학과 ) , 허경미 (강원대학교 물리학과 ) , 최대선 (강원대학 교 물리학과)
    韓國眞空學會誌 = Journal of the Korean Vacuum Society v.3 no.1 ,pp. 17 - 25 , 1994 , 1225-8822 ,

    초록

    장전자 방출법을 이용하여 Kink 또는 loosely closed pack의 텅스텐 결정면(310) (221) (211) 의 수소흡착에 대한 일함수의 변화를 측정하고 상대 흡착율을 주입량과 일함수의 변화로 결정할 수 있는 방법을 제시 하였다. 또한 (310)면과 (221)면에 대한 수소의 heat of desorption을 측정하였으며 초고진 공 장치내에서 팔라듐의 수소 source로서의 가능성을 확인하였다.

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  4. [국내논문]   RTN에 의해 형성된 TIN/$TiSi_2$ Bilayer의 특성  

    이석형 (한양대학교 금속공학과 ) , 김헌도 (현대전자 반도체연구소 ) , 박종완 (한양대학교 금속공학과)
    韓國眞空學會誌 = Journal of the Korean Vacuum Society v.3 no.1 ,pp. 26 - 32 , 1994 , 1225-8822 ,

    초록

    장전자 방출법을 이용하여 Kink 또는 loosely closed pack의 텅스텐 결정면(310) (221) (211) 의 수소흡착에 대한 일함수의 변화를 측정하고 상대 흡착율을 주입량과 일함수의 변화로 결정할 수 있는 방법을 제시 하였다. 또한 (310)면과 (221)면에 대한 수소의 heat of desorption을 측정하였으며 초고진 공 장치내에서 팔라듐의 수소 source로서의 가능성을 확인하였다.

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  5. [국내논문]   Hot-Wall Epitaxy에 의한 CdTe(100) 박막의 성장과 광전류 특성  

    신현길 (전북대학교 물리학과 ) , 신영진 (전북대학교 물리학과 ) , 문종대 (동신대학교 물리학과)
    韓國眞空學會誌 = Journal of the Korean Vacuum Society v.3 no.1 ,pp. 33 - 38 , 1994 , 1225-8822 ,

    초록

    -Hot-wall epitaxy 방법에 의하여 GaAs(100) 기판위에 CdTe(100)박막을 성장하였다. 박막을 성 장하는 동안 기판의 온도는 28 $0^{\circ}C$ 증발원의 온도는 $430^{\circ}C$ 로 유지하였고 성장률은 $2mu$ m/h이었다. 박막의 두께가 증가함에 따라 격자상수와 2결정 X-선 요동곡선의 반폭치가 감소하였다. CdTe (100) 박막의 광 전류 스펙트럼으로부터 에너지 띠간격의 광전류 봉우리는 가전자대 8 에 있는 전자가 광흡수에 의해 전도대 6 전이한 것이며 에너지 띠간격의 온도의존성을 구한 결과 온도계수 a=-2.3~-3.5 x 10-4 ev/k.

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  6. [국내논문]   질화붕소가 스프레이코팅된 흑연과 용융 알미늄간의 진공에서의 반응기구  

    정재인 (산업과학기술연구소 ) , 임병문 (산업과학기술연구소 ) , 문종호 (산업과학기술연구소 ) , 홍재화 (산업과학기술연 구소 ) , 강정수 (산업과학기술연구소 ) , 홍재화 (산업과학기술연구소 ) , 강정수 (산업과학기술연 구소 ;) , 이영백
    韓國眞空學會誌 = Journal of the Korean Vacuum Society v.3 no.1 ,pp. 39 - 44 , 1994 , 1225-8822 ,

    초록

    질화붕소를 스프레이코팅한 흑연과 용융 알미늄간의 진공에서의 반응기구를 여러 가지 분석장치 를 이용하여 조사하였다. 계면에 형성된 화합물층은 잘 정의된 형태를 보였으며 Al4C3 와 Al8B4C7의 혼 합상이 흑연바로 위에 형성되었고 그위는 주로 AIN층으로 이루어져 있었다. 이러한 화합물의 생성과정 과 반응기구를 자유에너지 관점에서 논의하였다. 이러한 방법으로 흑연 보우트를 제조하여 알미늄 증발 에 이용하였을 경우 매우 안정적인 증발 양상을 보였으며 $0.6mu$ m/min 이상의 매우 높은 증발율을 얻을 수 있음을 확인하였다. 또한 제조원가가 저렴하고 (TiB2 BN 보우트의 약 1/100)전자빔 증발에 의해 형 성된 피막과 비교하여 손색이 없는 피막을 얻을 수 있어 새로운 저항가열 증발원으로서의 이용 가능성 을 확인하였다.

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  7. [국내논문]   $Co_{73}Cr_{27}$ 씨앗층이 CoCr 박막의 결정배향성 및 미세구조에 미치는 영향  

    이유기 (한양대학교 공과대학 금속공학과 ) , 이택동 (한양대학교 공과대학 금속공학과)
    韓國眞空學會誌 = Journal of the Korean Vacuum Society v.3 no.1 ,pp. 45 - 50 , 1994 , 1225-8822 ,

    초록

    CoCr 박막에 있어서 C축 결정배향성과 미세구조 변화에 대한 Co73Cr27 씨앗층의 영향이 조사되 었다. 기록밀도가 높고 재생전압도 높은 CoCr 수직기록매체를 개발하기 위해서는 CoCr층의 두께가 엷 으면서 결정배향성이 우수하고 결정립 크기가 적고 균일한 자성기록막 제조가 필요하다. CoCr 단층막 또는 CoCr/퍼말로이 이중막 제조에서 500 $\AA$ 정도의 Co73Cr27 층을 씨앗층으로 만들어 줌으러써 기록층인 CoCr 박막이 $0.2mu$ m의 두께에서도 천이층이 거의 없고 결정배향성이 우수한 자성막을 제조할 수 있었 다. 또한 Co73Cr27 씨앗층은 비록 결정립 크기는 증가시켰지만 기록층의 에피택시 성장에 보다 바람직 한 것으로 조사되었다.

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  8. [국내논문]   Pd/Cu 다층박막의 상호확산 및 열안전성  

    전인준 (포항공과대학 물리학과 ) , 이영백 (포항공과대학 물리학과 ) , 홍재화 (산업과학기술연구소 기초과학연구분야)
    韓國眞空學會誌 = Journal of the Korean Vacuum Society v.3 no.1 ,pp. 51 - 58 , 1994 , 1225-8822 ,

    초록

    확산 현상은 박막성장 과정 및 박막의 기계, 전기, 자기적 성질 이해에 중요한 역할을 한다. 열 처리에 의한 상호확산 때문에 생긴 Pd/Cu 다층박막의 조성변화를 AES depth-profiling 방법을 이용해 서 조사하였다. 열처리전 시료에서의 각형의 초기 조성분포가 여러온도에서의 열처리에 의해 정현파 모 양의조성분포로 변화되었다. 조성의존성을 고려하지 않은 상호확산 계수를 정현파 분포의 진폭으로부터 구하였으며, 1.66 eV의 값을 갖는 활성화에너지는 Arrhenius plot으로부터 산출하였다. 또한 Boltzmann-Matano 방법을 사용해서 15 $0^{\circ}C$ 에서의 조성의존 상호확산계수도 구하였다. 열처리에 의해 조 성균일화가 되는 것으로만 알려졌던 본물질계에서도 상분리가 생성됨을 관찰하였고, 그 열처리 조건은 $180^{\circ}C$ 에서 150분 보다 짧아야함을 밝혔다.

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  9. [국내논문]   초고집적 Submicron 박막금속화를 위한 Dielectric Overlayer의 Passivation 효과  

    김대일 (광운대학교 전자재료공학과 ) , 김진영 (광운대학교 전자재료공학과)
    韓國眞空學會誌 = Journal of the Korean Vacuum Society v.3 no.1 ,pp. 59 - 64 , 1994 , 1225-8822 ,

    초록

    극소전자 디바이스의 고집적화와 더불어 박막배선의 선폭은 0.5 $\mu$ m이하까지 축소되며 초고집적 submicron 박막금속화가 진행되고 있다. 미세회로에 적용되어지는 배선재료는 인가되는 고전류밀도로 인하여 electromigration 에 의한 결함이 쉽게 발생한다는 단점이있다. 금속박막 전도체위의 dielectric overlayer는 electromigration 에 대한 passivation 효과를 보여 극소전자 디바이스의 평균수명을 향상시 킨다.본 연구에서는 박막금속화에서 dielectric overlayer의 passivation 효과를 알아보기 위하여 약 3000 $\AA$ 두께의 Al,Al-1%Si, Ag 그리고 Cu 박막배선위에 증착하여 SiO2절연보호막의 유무에 따른 박막배선 의 수명변화 및 신뢰도를 측정하였다. 박막배선에 인가된 전류밀도는 1x106 A/cm2와 1x107 A/cm2 이었다. SiO2 dielectric overlayer는 Al,Al-1%Si Ag. Cu 박막배선에서는 electromigration에 대한 보호막 혀과를 보이며 평균수명을 모두 향상시킨다. SiO2 passivation 효과는 Al, Ag, Cu 박막중 Cu 박막배선에서 가 장 크게 나타났다. SiO2 dielectric overlayer가 형성되지 않은 경우 Al 박막배선의 수명이 가장 긴 것으 로 나타났으나 SiO2 가 형성된 경우는 Cu 박막배선의 수명이 가장 길게 나타났다.

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  10. [국내논문]   Al-1%Si 박막금속배선에서 전류 크라우딩 효과 및 Electromigration  

    조형원 (광운대학교 전자재료공학과 ) , 김대일 (광운대학교 전자재료공학과 ) , 김진영 (광운대학교 전자재료공학과)
    韓國眞空學會誌 = Journal of the Korean Vacuum Society v.3 no.1 ,pp. 65 - 70 , 1994 , 1225-8822 ,

    초록

    본 논문에서는 Al-1%Si 박막금속배선에서 국부적 전류 크라우딩 효과 및 박막금속배선의 길이 에 따른 수명의 변화, 그리고 이층금속배선에서의 전계효과를 연구하였다. 전류 크라우딩 효과에 으한 박막금속 배선의 수명감소를 관찰하기 위해 넓은 도선과 좁은 도선이 반복적으로 연결되어 있는 구조의 금속배선과 톱니 형태의 금속배선을 제작하였다. 길이에 따른 박막금속배선의 수명변화를 연구하기 위 해 100, 400, 800, 1200 그리고 $1600mu$ m의 길이를 갖는 $ 3\mu$ m 선폭의 박막금속배선을 각각 제작하였다. Al-1%Si 박막금속배선에 인가된 전류밀도는 3.5~4.5x106 A/cm2이었다. 이층금속배선에서 전계에 의한 수명의 변화를 살펴보기 위해 두 금속 배선 사이에 0, $\pm$ 30, $\pm$ 60V의 전계를 인가하고 상층 금속배선에 1.75x106 A/cm2 전류 밀도를 조사하였으며 발생한 결함 현상에 대한 분석은 광학현미경과 주사전자현미 경으로 관찰하였다. 주요 결론으로는 박막금속배선에서 전류 크라우딩 효과는 수명의 감소를 초래하며 박막금속배선의 길이가 증가함에 따라 수명은 급격하게 감소하다가 포화된다. 중첩된 이층금속배선에서 는 전계효과에 의한 금속배선의 수명감소현상이 가속된다.

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