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韓國眞空學會誌 = Journal of the Korean Vacuum Society 17건

  1. [국내논문]   Synchrotron Radiation Induced Photochemical Reactions for Semiconductor Processes  

    Rhee, Shi-Woo (Department of Chemical Engineering Pohang University of Science and Technology)
    韓國眞空學會誌 = Journal of the Korean Vacuum Society v.3 no.2 ,pp. 147 - 157 , 1994 , 1225-8822 ,

    초록

    Valence or core electron excitations induced by Synchrotron radiation (SR) irradiation and ensuing chemical reactions can be applied for semiconductor processes i, e, deposition etching and modifications of thin film materials. Unique selectivity can be achieved by this photochemical reactions in deposition and etching. Some materials can be ecvaporated by SR irradiation which can be utilized for low temperature surface cleaning of thin films. Also SR irradiation significantly lowers the reaction temperature and photon activated surface reactions can be utilized for direct writing or projection lithography of electronic materials. This technique is especially effective in making nanoscale feature size with abrupt and well defined interfaces for next generation electronic devices.

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    Fig. 1 이미지
  2. [국내논문]   액체금속 이온 소오스의 모양과 안정도에 대한 전자유체역학적 연구  

    정문성 (울산대학교 자연과학대학 물리학과 ) , 최점수 (울산대학교 자연과학대학 물리학과 ) , 박지모 (울산대학교 자연과학대학 물리학과)
    韓國眞空學會誌 = Journal of the Korean Vacuum Society v.3 no.2 ,pp. 158 - 165 , 1994 , 1225-8822 ,

    초록

    액체금속 이온 소오스의 모양에 대한 개선된 원추 모델을 제시하였다. 이 모델에서는 전도성 유 체의 테일러 원추를 0차 모양으로 하고 원추에서 벗어난 변형을 전자유체 역학적으로 취급하였다. 외부 의 전기적 스트레스 때문에 원추정점에서 일어나는 돌출을 오직 r a인 영역에서는 변형 이 없다는 것으로 정의되는 값이다. 이 가정에 의하여 각변형ζ는 다음같은 형태를 가졌다: r $\varepsilon$ (t)이고 r>adlsrudn는 ζ=(a/r) $\varepsilon$ 이다. 여기서 지수 s는 변형의 모양을 나타내는 값이다. 이것을 모양방정식에 대입하여 계산한 결과 모양의 불안정되는 전위값은 Vc(r, h)=V0(h) V1은 1차의 표 면이 불안정되는 전위값으로 이온방출을 일어나는데 필요한 여분 값이다. 이렇게 얻어진 이온방출의 임 계전위 Vc는 실험치와 부합되는 값이었다. 더욱 중요한 것은 위의 Vc 형태가 국지불안정을 설명하여 주었다. 또한 외부에서 걸어준 전위가 임계전위값을 넘을 때 각변형 ζ>0이고 )

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  3. [국내논문]   스퍼터링 챔버에 설치한 in-situ 타원해석기의 성능평가  

    박광범 (아주대학교 물리학과 ) , 신용환 (아주대학교 물리학과 ) , 구교근 (아주대학교 물리학과 ) , 이순일 (아주대학교 물리학과 ) , 김상열 (아주대학교 물리학과 ) , 오수기 (아주대학교 물리학과)
    韓國眞空學會誌 = Journal of the Korean Vacuum Society v.3 no.2 ,pp. 166 - 172 , 1994 , 1225-8822 ,

    초록

    박막이 성장하는 동안 박막성장 상태를 관찰하기 위한 in-냐셔 타원해석기를 제작하였다. 이 타 원해석기는 He-Ne 레이저를 광원으로 사용하며 회전검광자형으로 광량측정방식을 채택하였다. 이 타원 해석기는 편광자 모듈과 검광자 모듈 및 제어부로 구성되어 있으며 이들 모듈은 각각 스퍼터링 챔버에 부착되었다. c-Si 기판 위에 열산화 과정으로 성장시킨 SiO2 박막을 표준시료로 사용하여 보정 및 성능 평가를 하였다 또한 RF 스퍼터링으로 c-Si 기판 위에 SiO2 박막을 성장시키면서 타원해석상수 ΨΔ를 측정하고 근사적 모델에 의한 ΨΔ의 전산모의 성장곡선과 비교해 보았다.

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  4. [국내논문]   사중극 질량분석기에 의한 초고진공 응용시스템 진단  

    임재영 (한국표준과학연구원 소재특성평가센터 ) , 이철로 (한국표준과학연구원 소재특성평가센터 ) , 정광화 (한국표준과학연구원 소재특성평 가센터 ) , 노삼규 (한국표준과학연구원 소재특성평가센터 ) , 이연환 (동국대학교 인문대 기초과정)
    韓國眞空學會誌 = Journal of the Korean Vacuum Society v.3 no.2 ,pp. 173 - 178 , 1994 , 1225-8822 ,

    초록

    박막성장을 위한 초고진공 응용시스템을 제작하고 이것의 특성을 사중극질량분석계로 측정하였 다. 초고진공 시스템을 박막성장에 활용하기 위해서는 챔버 뿐만 아니라 펌프, 이온게이지, 전자총 등도 베이킹이 요구되었다. 또한 이온게이지와 전자총은 적어도 박막성장 20분전에 탈가스를 하여야함을 알 았다. 이 시스템으로 달성된 진공도는 7x10-11 torr이었다.

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  5. [국내논문]   RF 용량결합 플라즈마 발생장치에서 입자오염이 플라즈마 물성에 미치는 영향  

    연충규 (서울대학교 공과대학 전기공학과 ) , 양일동 (서울대학교 공과대학 전기공학과 ) , 황기웅 (서울대학교 공과대학 전기공학과)
    韓國眞空學會誌 = Journal of the Korean Vacuum Society v.3 no.2 ,pp. 179 - 185 , 1994 , 1225-8822 ,

    초록

    음극에 DLC 필름이 놓여져 있는 용량결합형의 RF 플라즈마 장치에서 Ar가스에 의한 방전에서 발생된 입자의 분포를 레이져 산란에 의하여 관측하였다. 발생된 입자들은 플라즈마와 sheath의 경계면 에서 높은 밀도의 구름을 이루었으며 시간에 따라 주기적인 분포의 변화가 반복되었다, 입자 구름의 발 생은 플라즈마 물성의 변화를 야기하였으며 그 결과로 심한 self-bias 전위의 감소현상이 관측되었다. 입자 구름분포의 시간에 따른 변화와 같은 주기의 self-bias 플라즈마전위의 진동현상이 가열된 fast-scanning langmuir 탐침에 의하여 관측되었다. 이결과는 입자 표면에로의 음전하 누적에 따른 전체 음전하의 이동도 감소에 의한 것으로 해석된다. 또한 방출 분광법에 의하여 입자오염상태의 Ar 플라즈 마와 정상상태의 Ar 플라즈마의 방출 선세기의 변화를 관측하였는데 입자구름 오염시의 2차전자 차폐 현상에 의해 높은 문턱 에너지를 가진 Ar II 선의 세기 감소현상이 나타났다.

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  6. [국내논문]   RHEED 반점의 강도변화를 이용한 Si(111)-Sn 표면조사  

    곽호원 (경북대학교 자연과학대학 물리학과 ) , 이의완 (경북대학교 자연과학대학 물리학과)
    韓國眞空學會誌 = Journal of the Korean Vacuum Society v.3 no.2 ,pp. 186 - 189 , 1994 , 1225-8822 ,

    초록

    Si(111)-7x7 표면에 Sn을 증착시킬 때 기판온도와 증착량에 따른 표면구조의 변화를 RHEED상 (pattern)과 RHEED상의 회절반점(spot) 강도변화를 관찰하여 조사하였다. Si(111) 기판오도를 $ 400^{\circ}C$ 로 유지하면서 Sn을 증착시킬 때{{{{ SQRT { 3} $\times$ SQRT { 3} 구조가 관찰되었으며 기판온도 $200^{\circ}C$ 이하에서는 증착량에 따라 {{{{ SQRT { 3} $\times$ SQRT { 3} }}, {{{{2 SQRT { 3} $\times$ 2 SQRT { 3} }}, 구조들이 관찰되었다. RHEED 반점의 강도변화를 이용하여 Si(111)-Sn {{{{ SQRT { 3} $\times$ SQRT { 3} 서의 Sndnjs자의 이탈과정을 조사한 결과 이탈에너지는 $3.3pm$ 0.1 eV로 조사되었다.

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  7. [국내논문]   $TaN_x$/Cr Cermet 적층 박막의 비저항 및 저항온도계수에 관한 연구  

    허명수 (울산대학교 자연과학대학 재료공학과 ) , 천희곤 (울산대학교 자연과학대학 재료공학과 ) , 인건환 (한국기계연구원 박막기술원 ) , 권식철 (한국기계연구원 박막기술원 ) , 조동율 (울산대학교 자연과학대학 재료공학과)
    韓國眞空學會誌 = Journal of the Korean Vacuum Society v.3 no.2 ,pp. 190 - 197 , 1994 , 1225-8822 ,

    초록

    본 연구에서는 DC magnetron 스퍼터링법을 이용하여 고정밀, 고저항 저항체 박막으로 TaNx film을 제조하였을 때 형성될 수 있는 화합물 중 TaN0.1, TaN0.8과 TaN 박막의 Rs와 TCR특성을 평가하 고 film층의 우선방향성을 XRD를 이용하여 판명한 뒤 저항체의 Rs와 TCR에 미치는 영향을 조사하였 다. TaN0.1 박막이 35 $\Omega$ / $\square$ 의 면저항값과 안정된 TCR값을 나타내는 것을 알수 있었다. 두께50~200nm 의 TaN0.1과 Alumina 기판 사이에 정(+)의 TCR을 갖는 약 50nm의 Cr층을 증착하였을 때 Rs는 180 $\Omega$ / $\square$ 과 TCR는 20ppm/ $^{\circ}C$ 인 적층박막을 제조할 수 있었다. TaN0.1, TaN0.8 과 TaN 시편에서 화합물 형성 에 따른 Ta의 결합에너지를 ESCA를 이용하여 조사하였다. 이상의 연구결과로부터 TaN0.1 film이 TaNfilm 보다 고정밀, 고저항 박막 저항체 제조에 있어 우수한 전기저항 특성을 가지며 Cr 중간층 형성 으로 TCR이 $\pm$ ppm/ $^{\circ}C$ 정도로 안정된 고정밀 다층 저항체 박막을 형성할 수 있었다.

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  8. [국내논문]   $Zn_{0.5}Mg_{0.5}Te$$Zn_{0.5}Mg_{0.5}Te:Co$ 단결정 성장과 열역학 함수 추정  

    김용근 (동신전문대학)
    韓國眞空學會誌 = Journal of the Korean Vacuum Society v.3 no.2 ,pp. 198 - 202 , 1994 , 1225-8822 ,

    초록

    Zn0.5Mg0.5Te 및 Zn0.5Mg0.5Te:Co 단결정을 온도진동법을 응용한 화학수송법으로 성장시켰고, 광 학적 energy gap의 온도의존성은 Varshni의형식에 잘 적용되었다. 광학적 energy gap의 온도의존성으 로부터 열역학 기본함수인 entropy, enthalpy, heat capacity를 구했다.

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  9. [국내논문]   $CuIn_3Se_5$ 박막의 성장과 특성  

    John R. Tuttle (National Renewable Energy Laboratory ) , Rommel noufi (National Renewable Energy Laboratory)
    韓國眞空學會誌 = Journal of the Korean Vacuum Society v.3 no.2 ,pp. 203 - 206 , 1994 , 1225-8822 ,

    초록

    동시증착법으로 성장한 CuIn3Se5 박막의 구조 및 광학적 특성을 XRD, SEM 광투과 및 광반사 측정으로부터 조사하였다. XRD 측정에 의하면 CuIn3Se5 는 정열된 Cu 빈자리와 Cuqls자리에 in으로 대 치되는 defect chalcopyrite 구조임이 확인디었다. 또한 광흡수 측정으로부터 CuIn3Se5 는 금지대내에서 직접 전이에 의한 광흡수 특성을 보여주며 이때 에너지띠 간격은 1.27ev 이었다. CuIn3Se5 박막에 대한 연구결과들은 CuInSe2 의 결과들과 비교하여 논의하였다.

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  10. [국내논문]   고품위 다이아몬드 박막의 증착과 박막 성장양식  

    김성훈 (삼성종합기술원 신소재연구실 ) , 박영수 (삼성종합기술원 신소재연구실 ) , 정상기 (삼성종합기술원 신소재연구실 ) , 송세안 (삼성종합기술원 시험분석실 ) , 윤석열 (삼성종합기술원 ) , 이조원 (삼성종합기술원 신소재연구 실)
    韓國眞空學會誌 = Journal of the Korean Vacuum Society v.3 no.2 ,pp. 207 - 211 , 1994 , 1225-8822 ,

    초록

    전체 압력을 변화시키면서 다이아몬드박막을 n형 Si(100) 기판 위에 마이크로 웨이브 화학기상 증착법으로 증착하였다. 높은 압력으로 (225 torr)증착된 박막은 낮은 압력(60 torr)의 박막보다 다이아몬 드 순수도가 향상되었으며 표면도 매끈한 {100}형상이 우세하였다. 다이아몬드 박막의 성장양식을 알아 보기 위하여 낮은 압력(600torr)과 높은 압력(225 torr)에서 증착된 박막의 미세구조를 투과전자현미경으 로 각각 분석하였다. 전체압력이 낮은 경우 박막과 기판의계면에는 a-SiC의 중간층이 형성되어 있는 것 을 확인하였으며 전체압력이 높은 경우의 박막은 evolutionary selection rule에 따라 성장하는 것으로 추론되었다.

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