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韓國眞空學會誌 = Journal of the Korean Vacuum Society 19건

  1. [국내논문]   전자저장링에서 고차 모우드에 기인하는 불안정성  

    남순권 (강원대학교 물리학과)
    韓國眞空學會誌 = Journal of the Korean Vacuum Society v.3 no.3 ,pp. 257 - 263 , 1994 , 1225-8822 ,

    초록

    전자 저장링에서 고차 모우드에 대한 웨이크 포덴셜 및 임피던스 등이 계산되었고 설계된 고주 파 가속공동에 대한 불안정성에 관한 현상이 포커-프랑크 방정식에 의해 계산되었다. 이 결과로 고차 모우드에 대해서 안정영역을 만족함을 보였으며, 강한 로빈슨 불안정성은 일어나지 않음을 알 수 있었 다. 웨이크 필드를 사용한 threshold가 tracking 에 의해 계산되었고 15개의 고차모우드에 의한 growth rate 가 계산되었다.

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  2. [국내논문]   $H_2S$ 가스로 유황처리된 GaAs 표면의 AES 및 XPS 분석  

    신장규 (경북대학교 전자공학과 ) , 이동근 (경북대학교 전자공학과 ) , 김항규 (경북대학교 전자공학과)
    韓國眞空學會誌 = Journal of the Korean Vacuum Society v.3 no.3 ,pp. 264 - 268 , 1994 , 1225-8822 ,

    초록

    본연구에서는 HCl 또는 NH4OH로 산화막을 식각학 GaAs 표면에 H2S 가스를 이용하여 유황처 리하였다. 표면의 화학적 조성 및 결합상태를 측정하기 위하여 AES 및 XPS를 사용하였다. 시편들은 30,200 및 $350^{\circ}C$ 로 가열하면서 H2S가스와 반응시켰다. 이때 유황은 GaAs 표면의 Ga 원자 및 As 원자 와 화학결합을 형성하고 있음이 밝혀졌다. 또한 $350^{\circ}C$ 로 가열된 시편이 $30^{\circ}C$ 또는 $200^{\circ}C$ 로 가열된 시편 보다 표면에 결합된 유황의 양이 많은 것으로 나타났다. 아울러 (NH4)2S 수용액 또는 Na2S 수용액으로 유황처리된 경우와 동일하게 H2S 가스로 유황처리된 GaAs 표면에서는 Ga 산화막 및 As 산화막이 거 의 관측되지 않았다.

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  3. [국내논문]   Diamond(100) 및 (110) 표면구조와 표면에너지의 시뮬레이션  

    이종무 (인하대학교 금속공학과)
    韓國眞空學會誌 = Journal of the Korean Vacuum Society v.3 no.3 ,pp. 269 - 274 , 1994 , 1225-8822 ,

    초록

    Tersoff 포텐셜을 사용한 에너지 최소화테크닉에 의하여 컴퓨터 시뮬레이션함으로써 다이아몬드 (100)과 (110) 표면의 구조와 표면에너지를 구하였다, 다이아몬드(100)면과 (110)면의 reconstruction pattern 은 각각 (1 $\times$ 1)과 (2 $\times$ 1)이며 표면에너지는 각각 6,671.3 erg/cm2 와 4,032.0 erg/cm2 인 것으로 계산되었다 (100)면의 surface reconstruction 은 첫 번째 원자층과 두 번째 원자층간의 간격이 [100] 방 향으로 수축되는 것으로 나타났다. 한편 (110)면의 surface reconstruc-tion은 주로 첫 번째 원자층에서 의 원자들은 [001] 방향으로 dimerization 한는 것과 첫 번째 원자층과 두 번째 원자층간의 간격이 [110] 방향으로 dimerization 하는 것과 첫 번째 원자층과 두 번째 원자층간의 간격이 [110] 방향으로 수축되 는 것으로 나타났다. 그밖에 표면의 각 원자층의 stress 성분들이 구해졌으며 그것들이 표면흡착에 미치 는 효과 등이 토의되었다.

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  4. [국내논문]   LEED, SRPES를 이용한 Mg/Si(111)계의 연구  

    안기석 (성균관대학교 물리학과 ) , 박래준 (성균관대학교 물리학과 ) , 김정선 (성균관대학교 물리학과 ) , 박종윤 (성균관대 학교 물리학과 ) , 이순보 (성균관대학교 화학과)
    韓國眞空學會誌 = Journal of the Korean Vacuum Society v.3 no.3 ,pp. 275 - 279 , 1994 , 1225-8822 ,

    초록

    Low Energy Electron Diffraction(LEED)와 Synchrotron Radiation Photoelectron Spe-ctroscopy (SRPES)를 이용하여 $Si(111)7{\times}7$ 표면위에 Mg의 흡착에 의한 초기계면과 실리사이드의 형성에 대하여 연구하였다. 기판온도를 상온으로 유지하는 경우 증착량의 증가에 따라 LEED pattern은 diffuse 7 ${\times}$ 7 diffuse 1 ${\times}$ 1, $2/3sqrt{3}{\times}2/3sqrt{3} R30^{\cdot}$ 구조로 변화하였다. $300^{\cdot}C$ 의 기판온도에서 관측되는 1 ${\times}$ 1 구조에 대한 surface sensitive Si 2p core level spectrum의 fitting 결과로부터 이 1 ${\times}$ 1구조는 적층성장한 Mg2Si 박막에 의한 구조임을 알수 있다. 그러나 이 1 ${\times}$ 1구조를 가진 Mg2Si 박막이 성장하지 못함을 예상할 수 있다. 그결과 Mg의 계속된 증착에도 불구하고 비정질의 Mgqkr막이 성장하였다.

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  5. [국내논문]   레이저빔 조사에 의한 Al 금속표면과 기체의 물리적 상호작용에 관한연구  

    권명회 (인천대학교 물리학과 ) , 박인호 (인천대학교 물리학과 ) , 김남춘 (인천대학교 물리학과 ) , 서동만 (인천대학교 물리학과 ) , 최성을 (인천대학교 물리학과)
    韓國眞空學會誌 = Journal of the Korean Vacuum Society v.3 no.3 ,pp. 280 - 285 , 1994 , 1225-8822 ,

    초록

    본 연구에서는 Al 금속 표면에 CW CO2 레이저 빔의 조사시 표면 온도의 증가에 따른 표면과 기체 분자의 계면사이에서 발생하는 다양한 물리적 현상을 측정하였다. 온도 증가에 따른 계면에서의 물리적 현상은 Al 표면에 힘의 변화를 초래하는데 이 힘의 변화를 시간에 따라 정확학게 측정하고 측정 한 힘을 온도와 연계하여 분석하면 계면의 상호작용에 의한 물리적 현상을 설명할 수 있다. 즉 레이저 와 표면의 상호 작용은 레이저 강도에 따라 기체와 표면사이의 에너지 및 선운동량의 전달, 표면 흡착 원자의 방출 및 표면물질의 증발 등으로 구분되는데, 이러한 상호 작용시 수반되는 힘의 변화를 이용하 여 Al 금속 표면에 대한 기체 종류별 Momentum Accommodation Coefficient (MAC)를 계산하였고, Al 표에 흡착된 원자의 종류,갯수 및 결합에너지를 구하였다.

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  6. [국내논문]   Video LEED system과 Tensor LEED program을 이용한 Cu(001) 표면의 구조분석  

    서지근 (학국표준과학연구원 ) , 김상현 (홍익대학교 물리학과 ) , 한원근 (홍익대학교 물리학과 ) , 민항기 (홍익대학교 물리학과 ) , 김재성 (숙명여자대학교 물리학과 ) , 유재준 (서강대학교 물리학과)
    韓國眞空學會誌 = Journal of the Korean Vacuum Society v.3 no.3 ,pp. 286 - 295 , 1994 , 1225-8822 ,

    초록

    Cu(001)표면의 원자구조를 Dynamic LEED 실험을 통하여 결정하였다. Video LEED system을 이용하여 I/V특성곡선을 얻었고이를 tensor LEED 계산방법으로 분석하였다. 다양한 실험조건과 여러 가지 R-factor값의 최소화를 통새 얻은 Cu(001)표면구조가 1.5%principles 계산이 tensor LEED 분석에 많은 도움이 됨을 알아내었다.

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  7. [국내논문]   PtNi{111}의 표면편석  

    서지근 (한국표준과학연구원 ) , 강석태 (연세대학교 물리학과 ) , 한원근 (홍익대학교 물리학과)
    韓國眞空學會誌 = Journal of the Korean Vacuum Society v.3 no.3 ,pp. 296 - 304 , 1994 , 1225-8822 ,

    초록

    Pt-Ni 합금의 질서-무질서 상전이 현상과 {111}표면에서의 편석현상을 Ising 형태의 해밀토니안 을 이용한 몬테 카를로 시뮬레이션으로 연구하였다. 표면 편석 현상을 질서-무질서 상전이 현상과 연관 시켜 고려함으로서 기존의 편석과 질서에 관한 실험 결과들을 좀 더 구체적으로 이해하게 하였다. PtxNi1-x{111} 의 경우 표면편석 현상은 덩어리의 상전이 온도 이전에서부터 나타나며 이는 표면이 덩어 리의 단면 형태의 질서와는 다른 화학적 질서를 갖는 특징에 기인하는 것임을 보았다. 표면 근방에만 한정된 진동하는 형태의 표면 편석현상을 보았고 이는 실험결과들과도 잘 일치하는 것을 알 수 있었다.

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  8. [국내논문]   강자성 가돌리늄 박막의 큐리 온도의 이동   피인용횟수: 1

    이일수 (경북대학교 자연과학대학 물리학과 ) , 추교진 (경북대학교 자연과학대학 물리학과 ) , 이의완 (경북대학교 자연과학대학 물리학과 ) , 이상윤 (경북대학교 자연과학대학 물리학과 ) , 이종용 (전자통신연구소 기초기술부 ) , 김양수 (기초과학 지원센터 고자장 극저온실 ) , 김동락 (기초과학 지원센터 고자장 극저온실 ) , 이형철 (기초과학 지원센터 고자장 극저온실)
    韓國眞空學會誌 = Journal of the Korean Vacuum Society v.3 no.3 ,pp. 305 - 308 , 1994 , 1225-8822 ,

    초록

    가돌리늄 박막의 큐리온도를 자기화의 온도에 따른 변화를 측정함으로써 결정하였다. 박막의 큐 리돈도는 bulkrP의 큐리온도보다 낮아지며 이 박막에서의 큐리온도의 이동은 두께가얇아 질수록 커진다 는 것이 관측되었다. 이실험결과를 유한축적 이론의 관점에서 분석한 결과 전이온도의 이동에 관련된 지수 λ는 0.82 $\pm$ 0.13로서 이론적인 값의 1.48과 상치한다는 사실이 발견되었다. 이러한 유한계의 실험치 와 유한축척이론과 파이는 여러 유한계에서 관측되었다.

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  9. [국내논문]   $(Bi, Sb)_2 (Te, Se)_3$ 열전박막소자의 작동특성  

    김일호 (연세대학교 금속공학과 ) , 이동의 (연세대학교 금속공학과)
    韓國眞空學會誌 = Journal of the Korean Vacuum Society v.3 no.3 ,pp. 309 - 315 , 1994 , 1225-8822 ,

    초록

    순간증착법으로 p형(Bi0.5Sb1.5Te3)과 n형(Bi2Te24Se0.6)열전박막을 제조하여 상온에서 Seebeck 계 수, 전기전도도 및 열전성능지수를 측정하였다. 또한 금속재 mask를 이용하여 다중접점 박막형 열전소 자를 제작하고 그 작동특성을 조사하였다. 이때 소자의 고온부와 저온부의 온도를 직접측정하기 위하여 copper/constantan 박막을 접점부에 증착하여 열전쌍이 되게 하였다. p/n 접점이 5쌍이 소자의 경우 Peltier 효과에 의해 생성된 최대온도차는 22K이었다.

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  10. [국내논문]   Thermally - Induced Atomic Mixing at the Interface of Cu and Polyimide  

    고석근 , 최원국 , 송석균 , 배국동 , 정형진
    韓國眞空學會誌 = Journal of the Korean Vacuum Society v.3 no.3 ,pp. 316 - 321 , 1994 , 1225-8822 ,

    초록

    Rate of mixing of Cu particles to polyimide substrate at interfaces under different thermal treatments was analyzed by Rutherford Backscattering Spectroscopy using 2.0 MeV He+ ions. The mixing rate was a function of annealing temperature and time, and was constant at a fixed temperature. The amount of mixing increased linearly with time and the mixing rate increased with temperature. The activation energy for interface mixing between Cu and polyimide was 2.6 kcal/mol. The X-ray studies showed the Cu(111) plane peak changed with annealing time at fixed temperature. The mixing of Cu to polyimide was explained with segmental motion of PI chain and with interaction between functional group of the chain and metal electron donor. The comparisons were made between the mixing induced by ion irradiation and by thermal treatment. The various factors affecting the interface mixing are discussed.

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