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韓國眞空學會誌 = Journal of the Korean Vacuum Society 17건

  1. [국내논문]   운동에너지를 가지는 알루미늄 덩어리 충돌 및 증착에 관한 분자동력학 연구  

    강정원 (중앙대학교 전자공학과 반도체 공정?소자 연구실 ) , 황호정 (중앙대학교 전자공학과 반도체 공정?소자 연구실)
    韓國眞空學會誌 = Journal of the Korean Vacuum Society v.10 no.3 ,pp. 283 - 288 , 2001 , 1225-8822 ,

    초록

    본 연구에서는 분자동력학 방법을 사용하여 알루미늄 덩어리 충돌에 관하여 연구하였다. 충돌에 따른 운동량 및 충격력 변화를 통하여, 덩어리 충돌은 단일입자충돌(single particle collision) 특성 일부와 선형사슬충돌(linear chain collisions) 특성 일부를 가지는 것을 살펴보았다. 또한 연속적인 덩어리 증착을 통하여 성장된 박막의 특성을 살펴보았다 원자당 에너지가 너무 낮은 경우보다는 일정 에너지 이상에서 혼합(intermixing) 발생이 잘 이루어지며 짝은 어닐링 공정으로 좋은 박막을 얻을 수 있다는 것을 살펴보았다.

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    Fig. 1 이미지
  2. [국내논문]   가연성 가스 인식을 위한 $SnO_2$계열의 박막 가스센서  

    이대식 (한국전자통신연구원 정보통신원천기술연구소 마이크로시스템팀 ) , 심창현 (경북대학교 전자전기공학부 ) , 이덕동 (경북대학교 전자전기공학부)
    韓國眞空學會誌 = Journal of the Korean Vacuum Society v.10 no.3 ,pp. 289 - 297 , 2001 , 1225-8822 ,

    초록

    가연성 가스의 검지 및 인식을 위하여, SnO $_2$ 계열의 4가지 종류의 박막을 형성하였다. 감지막 형성을 위하여, Sn, Pt/Sn, Au/Sn 그리고 Pt, Au/Sn 막을 Sn의 열증착과 귀금속의 스퍼터링으로 증착하였다. 증착된 박막들을 $700^{\circ}C$ 정도에서 2 시간 열산화시켜 $SnO_2$ 계열의 감지막을 형성하였다. 제작된 박막은 tetragonal구조의 $SnO_2$ 이었고, 가스 흡착을 위한 가스 흡착점과 기공도를 많이 갖고 있었다. 스퍼터로 형성된 박막보다 열산화법으로 형성된 박막이 고감도를 보였다. 제작 박막들은 작업환경기준치정도의 저농도에서 측정 가연성 가스(부탄, 프로판, LPG, 일산화탄소)에 대해 고감도와 재현성을 나타내었다. 특히, 백금(30 $\AA$ )을 첨가한 박막이 LPG와 부탄 가스에 대해, 순수 열산화된 $SnO_2$ 박막이 프로판과 일산화탄소에 대하여 가장 고감도를 나타내었다. 이들 센서들의 각 가스별로 차별화된 감도패턴을 이용하여 주성분 분석 기법을 통해 환경기준치(LEL, TLV) 범위에서 부탄, 프로판, LPG, 일산화탄소와 같은 가연성 가스의 종류 인식 및 정량을 인식할 수 있었다.

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  3. [국내논문]   RF/DC 방전을 이용한 고 진공용SUS 용기세정에 관한 연구  

    김정형 (한국표준과학연구원 진공기술센터 ) , 임종연 (한국표준과학연구원 진공기술센터 ) , 서인용 (한국표준과학연구원 진공기술센터 ) , 정광화 (한국표준과학연구원 진공기술센터)
    韓國眞空學會誌 = Journal of the Korean Vacuum Society v.10 no.3 ,pp. 298 - 302 , 2001 , 1225-8822 ,

    초록

    초청정을 요구하는 진공용기의 내벽세정을 위한 RF 및 DC 방전세정장치를 제작하여 여러 가지 방전조건에 따라 세정효과를 조사하였다. Baking없이 방전세정만을 수행하였을 때는 baking만 진행했을 때와 비슷한 세정효과를 나타내었으며 세정후의 탈기체율은 반으로 줄어들었다. Baking과 방전세정을 동시에 진행하면 세정효과가 매우 증대되어 세정후의 탈기체율이 1/20으로 감소하였다. Baking과 방전세정을 동시에 수행 시 여러 방전조건에 따른 세정효과를 조사하였는데 이온이 진공용기 내벽에 부딪히며 세정을 할 때 이온에너지와 이온밀도가 중요한 역할을 하는 것으로 보였다. 진공용기를 세정함에 있어 RF방전세정이 DC 방전세정보다 효과적이라는 결과를 얻었다.

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  4. [국내논문]   터보분자펌프 및 복합분자펌프의 성능시험절차에 대한 고찰  

    인상렬 (한국원자력 연구소 ) , 박미영 (한국원자력 연구소)
    韓國眞空學會誌 = Journal of the Korean Vacuum Society v.10 no.3 ,pp. 303 - 311 , 2001 , 1225-8822 ,

    초록

    터보분자펌프와 복합분자펌프의 배기성능을 나타내는 가장 중요한 항목인 배기속도 및 최대압축비와 함께 극한성능을 나타내는 임계배압을 현재 마련되어 있는 KS규격(안)을 준용하여 측정했다. 두 펌프의 성능이 어떤 점에서 차이가 나는지 비교하고 성능평가 절차에 대해 몇 가지 개선점을 제시했다.

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  5. [국내논문]   $10^{-9}$ Pa대 용기를 위한 NEG 펌프 제작 및 진공성능 조사  

    박미영 (한국원자력 연구소 ) , 인상렬 (한국원자력 연구소)
    韓國眞空學會誌 = Journal of the Korean Vacuum Society v.10 no.3 ,pp. 312 - 320 , 2001 , 1225-8822 ,

    초록

    $10^{-9}$ Pa 대의 진공을 얻기 위한 주 배기 펌프로서 Zr-V-Fe 합금계의 비증발성 게터 펌프를 제작하고, 실온에서 수소, 중수소 및 일산화탄소에 대한 NEG 펌프의 배기 속도를 측정하였으며 $450^{\circ}C$ 로 활성화하면서 수소 방출 특성을 조사하였다. 그리고 터보 분자펌프, 스퍼터 이온펌프 및 크라이오 펌프 등 다른 초고진공 펌프들로 배기하면서 용기 내의 잔류기체를 분석함으로써 이들 펌프 및 NEG 펌프의 배기 성능을 비교하였다.

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  6. [국내논문]   ULSI 확산억제막으로 적합한 Ti-Si-N의 조성 범위에 관한 연구  

    박상기 (국민대학교 금속재료공학부 ) , 강봉주 (국민대학교 금속재료공학부 ) , 양희정 (국민대학교 금속재료공학부 ) , 이원희 (국민대학교 금속재료공학부 ) , 이은구 (조선대학교 금속재료공학부 ) , 김희재 (군사과학대학원 재료과학과 ) , 이재갑 (조선대학교 금속재료공학부)
    韓國眞空學會誌 = Journal of the Korean Vacuum Society v.10 no.3 ,pp. 321 - 327 , 2001 , 1225-8822 ,

    초록

    Radio frequency magnetron sputtering방법으로 타켈의 Ti/si 조성과 $N_2$ 유량을 변화시켜 증착한 다양한 조성비의 Ti-Si-N 박막의 비저항 변화와 확산방지능력을 조사하였다. 높은 Si 함량을 포함한 Ti-Si-N박막내의 Si은 주로 비정질의 $Si_3N_4$ 형태로 존재하였으며 $N_2$ 의 양이 증가함에 따라 비저항도 증가하였다. 반면, 낮은 Si 함량을 포함한 Ti-Si-N박막은 낮은 $N_2$ 유량에서도 결정질의 TiN이 형성되었고 낮은 비저항을 나타내었다. 또한, 박막내의 N의 양이 증가함에 따라, 높은 박막의 밀도와 압축응력을 갖는 Ti-Si-N이 형성되었으며, 이는 박막 내의 N의 함량이 확산방지능력에 영향을 미치는 가장 중요한 요소 중 하나로 판단된다. 결과적으로, 29~49 at.%, Ti, 6~20 at.% Si, 45~55 at.% N 범위의 조성을 갖는 Ti-Si-N박막이 우수한 확산 억제 능력을 보유하면서 또한 낮은 비저항 특성을 나타내는데 적합한 조성 범위로 나타났다.

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  7. [국내논문]   비휘발성 기억소자를 위한 NO/$N_2O$ 질화산화막과 재산화 질화산화막의 특성에 관한 연구  

    이상은 (광운대학교 전자재료공학과 ) , 서춘원 (김포대학 전자정보계열 ) , 서광열 (광운대학교 전자재료공학과)
    韓國眞空學會誌 = Journal of the Korean Vacuum Society v.10 no.3 ,pp. 328 - 334 , 2001 , 1225-8822 ,

    초록

    초박막 게이트 유전막 및 비휘발성 기억소자의 게이트 유전막으로 연구되고 있는 NO/ $N_2$ O 질화산화막 및 재산화질화산화막의 특성을 D-SIMS(dynamic secondary ion mass spectrometry), ToF-SIMS(time-of-flight secondary ion mass spectrometry), XPS(x-ray Photoelectron spectroscopy)으로 조사하였다. 시료는 초기산화막 공정후에 NO 및 $N_2$ O 열처리를 수행하였으며, 다시 재산화공정을 통하여 질화산화막내 질소의 재분포를 형성토록 하였다. D-SIMS 분석결과 질소의 중심은 초기산화막 계면에 존재하며 열처리 공정에서 NO에 비해서 $N_2$ O의 경우 질소의 분포는 넓게 나타났다. 질화산화막내 존재하는 질소의 상태를 조사하기 위하여 ToF-SIMS 및 XPS 분석을 수행한 결과 SiON, $Si_2$ NO의 결합이 주도적이며 D-SIMS에서 조사된 질소의 중심은 SiON 결합에 기인한 것으로 예상된다. 재산화막/실리콘 계면근처에 존재하는 질소는 $Si_2$ NO 결합형태로 나타나며 이는 ToF-SIMS로 얻은 SiN 및 $Si_2$ NO 결합종의 분포와 일치하였다.

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  8. [국내논문]   RF 마그네트론 스퍼터링 법으로 사파이어 기판 위에 성장시킨 ZnO: Ga 박막의 RTA 처리에 따른 photoluminescence 특성변화  

    조정 (한국과학기술연구원 박막기술연구센터 ) , 나종범 (한국과학기술연구원 박막기술연구센터 ) , 오민석 (한국과학기술연구원 박막기술연구센터 ) , 윤기현 (연세대학교 세라믹 공학과 ) , 정형진 (한국과학기술연구원 박막기술연구센터 ) , 최원국 (한국과학기술연구원 박막기술연구센터)
    韓國眞空學會誌 = Journal of the Korean Vacuum Society v.10 no.3 ,pp. 335 - 340 , 2001 , 1225-8822 ,

    초록

    RF마그네트론 스퍼터링법으로 사파이어 기판 위에 Ga을 1 wt% 첨가한 ZnO 박막(GZO)을 기판온도 $550^{\circ}C$ 에서 성장시켜 다결정 박막을 제조하였다. 이러한 박막은 불충분한 전기적 특성이나 PL(Photoluminescence) 특성을 보이고 있다. 이러한 전하농도, 이동도 그리고 PL특성 등과 같은 전기적 광학적 특성을 향상시키고자 질소분위기하에서 RTA(Rapid Thermal Annealing) 법으로 $800^{\circ}C$ 와 $900^{\circ}C$ 에서 각각 3분씩 후열처리 하였다. RTA법으로 후열처리한 GZO박막의 비저항은 $2.6\times10^{-4}\Omega$ /cm 였으며 전자농도와 이동도는 각각 $3.9\times10^{20}/\textrm{cm}^3$ 과 60 $\textrm{cm}^2$ /V.s 였다. 이러한 물리적 성질들의 향상은 열처리시 원자 크기가 비슷한 도핑된 Ga 원자들이 일부 휘발되는 Zn 빈자리로 치환하면서 침입자리 보다는 치환자리로의 전이에 기인한 것으로 생각된다.

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    Fig. 1 이미지
  9. [국내논문]   수평형 MOCVD에 의한 GaN 에피층 성장시 반응로내의 열 및 물질전달에 관한 수치해석 연구  

    신창용 (전북대학교 대학원 정밀기계공학과 ) , 윤정모 (전북대학교 공과대학 신소재공학부 ) , 이철로 (전북대학교 공과대학 신소재공학부 ) , 백병준 (전북대학교 공과대학 기계공학부)
    韓國眞空學會誌 = Journal of the Korean Vacuum Society v.10 no.3 ,pp. 341 - 349 , 2001 , 1225-8822 ,

    초록

    수평형 MOCVD (유기금속 화학기상법) 제조공정에서 유체유동, 열전달 및 화학종의 국소적 질량분율을 고찰하기 위한 수치계산을 수행하였다. 수송가스로 작용하는 수소가스와 TMG및 암모니아의 농도분포를 예측함으로서 혼합과정을 분석하고 필름성장의 균일성을 예측하였다. 농도분포에 미치는 입구크기, 위치, 질량유량 및 벽면의 경사각도의 영향이 검토되었다. 계산결과로서 무차원 대류 열전달 계수 Nu에 의해 반응물의 농도분포를 정성적으로 예측할 수 있었으며, 균일한 필름성장을 위한 최적 질량유량, 벽면 경사도 및 입구조건이 제시되었다.

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  10. [국내논문]   표면 광전압을 이용한 ZnSe 에피층의 특성 연구  

    최상수 (영남대학교 물리학과 ) , 정명랑 (영남대학교 물리학과 ) , 김주현 (영남대학교 물리학과 ) , 배인호 (영남대학교 물리학과 ) , 박성배 (대구대학교 물리학과)
    韓國眞空學會誌 = Journal of the Korean Vacuum Society v.10 no.3 ,pp. 350 - 355 , 2001 , 1225-8822 ,

    초록

    반절연성 GaAs 위에 분자선 에피택시(MBE)법으로 성장된 ZnSe 에피층의 특성을 표면 광전압(SPV)법을 이용하여 연구하였다. 측정으로는 증가하는 광세기 및 변조 주파수에 따라 시행하였다. 미분한 표면 광전압(DSPV) 신호로부터 ZnSe 에피층의 띠간 에너지는 결정되었다. 실온의 표면 광전압 신호로부터 5개의 준위들이 관측되었는데, 이러한 준위들은 성장시 계면에서 형성되는 불순물 및 결함과 관계된다. 관측된 준위들은 입사광 세기에 따른 외인성 전이의 경향을 보여주었다. 실온에서 관측되지 않은 1s와 2s 엑시톤 흡수와 관계된 신호가 80 K에서 측정한 표면 광전압 스펙트럼에서 두 개의 피크로 분리되어 나타났다. 변조 주파수 의존성으로부터 시료의 접합콘덕턴스 및 용량을 구하였다.

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