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韓國眞空學會誌 = Journal of the Korean Vacuum Society 10건

  1. [국내논문]   증착조건에 따른 극미세 다이아몬드상 카본 박막의 탄성률 변화거동  

    정진원 (연세대학교 세라믹공학과 ) , 이광렬 (한국과학기술연구원 미래기술연구본부 ) , 은광용 (한국과학기술연구원 박막기술연구센타 ) , 고대홍 (연세대학교 세라믹공학과)
    韓國眞空學會誌 = Journal of the Korean Vacuum Society v.10 no.4 ,pp. 387 - 395 , 2001 , 1225-8822 ,

    초록

    증착 조건에 따라 나타나는 폴리머상, 경질, 흑연상의 다이아몬드상 카본(DLC) 박막에서 두께 감소에 따른 탄성률의 변화거동을 구조적인 관점에서 살펴보았다. 실험에 사용된 박막은 r.f.-PACVD 장비를 이용하여 증착하였으며, 반응 가스로는 벤젠과 메탄을 사용하였다. 기판을 식각 과정을 통해 완전히 제거시켜 주기 때문에 다른 방법들과는 달리 기판의 영향 없이 박막만의 탄성률을 정확히 측정할 수 있는 free overhang 방법을 이용하여 DLC 박막의 biaxial elastic modulus를 측정하였다. 또한 Raman 분석을 이용하여 박막의 구조를 조사하였다. 박막이 폴리머상 혹은 흑연상인 경우 두께가 감소함에 따라 탄성률이 감소하는 것을 확인하였고, Ramanm spectrum의 G-peak 위치를 분석한 결과 그 원인은 폴리머상인 경우 증착 초기에 낮은 물성을 가지는 폴리머상의 박막이 형성되기 때문이며, 흑연상인 경우 증착 초기에 낮은 물성을 가지는 흑연상의 박막이 증착되기 때문이다. 반면에 경질의 박막에서는 두께에 상관없이 일정한 탄성률을 가지고 있었으며, 두께에 따른 박막의 구조적인 변화도 관찰되지 않았다.

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  2. [국내논문]   집속이온빔을 이용한 구리 기판위에 성장한 MgO 박막의 스퍼터링 수율  

    현정우 (광운대학교 전자물리학과 ) , 오현주 (광운대학교 전자물리학과 ) , 추동철 (광운대학교 전자물리학과 ) , 최은하 (광운대학교 전자물리학과 ) , 김태환 (광운대학교 전자물리학과 ) , 조광섭 (광운대학교 전자물리학과 ) , 강승언 (광운대학교 전자물리학과)
    韓國眞空學會誌 = Journal of the Korean Vacuum Society v.10 no.4 ,pp. 396 - 402 , 2001 , 1225-8822 ,

    초록

    전자빔 증착기를 이용하여 1000 $\AA$ 의 두께를 가진 MgO박막을 구리 기판위에 상온에서 증착하였다. 스퍼터링수율 측정시 MgO 층에 충전현상을 없애주기 위해서 1000 $\AA$ 두께의 Al을 증착하였다. 갈륨 액체금속을 집속이온빔 이온원으로 사용하였다. 두 개의 정전렌즈를 사용하여 이온빔을 집속하였고, MgO에 이온빔을 주사하기 위해 편향기를 사용하였다. 가속전압의 변화에 따라 시료대 전류와 이차입자 전류를 측정하였고, 이 전류값은 소스에 인가하는 가속전압에 따라 변화되었다 MgO 박막의 스퍼터링 수율은 분석된 시료대 전류, 이차입자 전류 및 순수빔 전류의 값을 사용하여 결정하였다. 집속이온빔 장치의 가속전압이 15 kV일 때 MgO 박막의 스퍼터링 수율은 0.30으로 나왔고 가속전압의 값이 증가할 때 스퍼터링 수율이 선형적으로 증가하였다. 이러한 결과를 볼 때 집속이온빔 장치를 이용하면 MgO 박막의 스퍼터링 수율을 측정할 패 매우 효과적임을 알 수 있다.

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  3. [국내논문]   Cu 배선에 Al층간 물질 첨가에 의한 EM특성 개선  

    이정환 (경북대학교 전자 전기 컴퓨터 공학부 ) , 박병남 (경북대학교 전자 전기 컴퓨터 공학부 ) , 최시영 (경북대학교 전자 전기 컴퓨터 공학부)
    韓國眞空學會誌 = Journal of the Korean Vacuum Society v.10 no.4 ,pp. 403 - 410 , 2001 , 1225-8822 ,

    초록

    본 연구에서는 차세대 Cu 박막 증착 방법으로 유망한 CVD(chemical vapor deposition)방법으로 실질적 배선 증착 공정과 동일하게 시행하여 여러 조건에서 Cu를 증착하여 가장 EM에 관하여 높은 내구성을 가지는 조건을 알아보고 또한 박막의 미세구조가 EM에 어떠한 영향을 미치는지를 알아보았으며 MOCVD 방식으로 증착한 Cu박막의 표면과 barrier layer인 TiN과의 응력(stress)을 조사하여 차세대 EM모델인 grain boundary grooving 모델에 실질적으로 적용하였다. 또한, 이러한 실험을 행 한 후에 정확한 EM 현상을 관찰하고 분석하여 반도체 소자의 신뢰성과 성능개선, 결함 예측, 그리고 소자의 배선설계에 중요한 정보를 제공할 것이다. 또한, 보다 우수한 EM 특성을 가질 수 있게 하기 위해 barrier layer위에 Cu와의 접착력(adhesion)을 향상시킬 수 있는 promoter로 Al을 이용하여 얇게 증착한 후 EM축적 파괴 실험을 하여 EM에 대한 높은 저항성을 실질적으로 가질 수 있는지에 대한 실험도 병행하였다.

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  4. [국내논문]   대기압 저온 플라스마에 의한 산화 주석 박막의 식각  

    이봉주 (조선대학교 자연과학대학 물리화학부 ) , 히데오미코이누마 (동경공업대학 응용세라믹 연구소)
    韓國眞空學會誌 = Journal of the Korean Vacuum Society v.10 no.4 ,pp. 411 - 415 , 2001 , 1225-8822 ,

    초록

    대기압 저온 플라스마를 사용하여 산화아연 박막의 건식 식각 가능성을 연구했다. 플라스마로부터 $H_\alpha^*$ 과 $CH_^*$ 라디컬 발생을 확인하였고, 라디컬 발생 능력은 광학 발광 스펙트럼 및 플라스마 임피던스 분석에 의해 캐소드 전극에 의존하는 것을 알았다. 식각능력은 플라스마 I-V커브에 의한 임피던스와 발광강도에 의해 계산되었다.

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  5. [국내논문]   RF-Magnetron Sputtering에 의하여 ITO 유리 위에 성장된 $SrTiO_3$박막의 열처리 특성  

    김화민 (대구가톨릭대학교 물리.반도체과학 전공 ) , 이병로 (대구가톨릭대학교 물리.반도체과학 전공)
    韓國眞空學會誌 = Journal of the Korean Vacuum Society v.10 no.4 ,pp. 416 - 423 , 2001 , 1225-8822 ,

    초록

    $SrTiO_3$ 박막의 미세구조와 광학적 및 유전적 특성에 대한 열처리 효과들이 조사되었다. $SrTiO_3$ 박막은 RF-마그네트론 스퍼터링 방법에 의하여 상온의 ITO유리 위에 성장되었으며, 성장된 박막들은 산소 분위기의 여러 온도에서 열처리되었다. X선 회절 패턴을 분석한 결과 상온에서 제작된 as-deposited박막은 비정질 상태로 나타났으며, 450- $600^{\circ}C$ 에서 열처리한 시료에서는 pyrochlore 구조의 결정 피크들이 우세하게 관측되었다. 그리고 $650^{\circ}C$ 에서 열처리한 시료에서는 perovskite 구조가 우세하게 나타나는 것이 관측되었다. 특히 $650^{\circ}C$ 에서 열처리한 시료의 경우는 박막의 미세 결정구조 변화와 더불어 광학적 띠간격이 크게 변하는 것이 광투과도 측정으로부터 관측되었다. 그리고 $600^{\circ}C$ 에서 열처리된 시료의 경우는 $272^{\circ}C$ 에서 상전이 피크가 관측되는 반면, $650^{\circ}C$ 에서 열처리된 시료에서는 $310^{\circ}C$ 부근에서 유전 분산이 관측되었다.

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  6. [국내논문]   RF/마이크로웨이브 방전에서의 전자에너지 분포함수의 결정  

    고욱희 (한서대학교 물리학과 ) , 박인호 (인천대학교 물리학과 ) , 김남춘 (인천대학교 물리학과)
    韓國眞空學會誌 = Journal of the Korean Vacuum Society v.10 no.4 ,pp. 424 - 430 , 2001 , 1225-8822 ,

    초록

    RF나 마이크로웨이브의 전기장이 작용될 때 플라즈마 방전에서의 전자에너지분포함수를 계산하기 위하여 전자 볼츠만 방정식을 수치적으로 푼다. 2차미분 방정식인 로렌츠근사를 사용하는 동차 전자 볼츠만 방정식과 적분-미분방정식인 입자균형방정식을 동시에 풀어 자체모순이 없게 방전 전기장의 크기를 결정한다. 이 수치코드를 이용하여 아르곤 방전에 대하여 전자에너지 분포함수를 RF와 마이크로파영역에 걸쳐 계산한다. 이로부터 전자에너지 분포함수와 이온화율에 대한 고주파 전기장의 주파수 변화에 따른 영향을 조사한다.

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  7. [국내논문]   자장여과 아크 소스에서 각 전자석이 플라즈마 인출에 미치는 영향  

    김종국 (한국기계연구원 표면기술연구부 ) , 변응선 (한국기계연구원 표면기술연구부 ) , 이구현 (한국기계연구원 표면기술연구부 ) , 조영상 (아텍시스템)
    韓國眞空學會誌 = Journal of the Korean Vacuum Society v.10 no.4 ,pp. 431 - 439 , 2001 , 1225-8822 ,

    초록

    비정질 다이아몬드 박막(amorphous-Diamond a-B)을 증착하기 위하여 제작된 Filtered Vacuum Arc Source (FVAS)는 60도의 굽힘 각도를 가지는 토러스형 구조로 토러스 반경 266 mm, 플라즈마 덕트 반경 80 % 전체 길이 600 mm이며, 1 개의 영구자석 및 5 개의 전자석으로 되어있다. 플라즈마 덕트는 임의의 전압을 인가할 수 있도록 전기적으로 절연 시켰으며, 덕트 내부는 배플을 설치하여 macro-particle의 되튐 현상을 방지하였다. 사용된 음극은 직경 80 mm의 graphite이다. 각 전자석이 플라즈마 인출에 미치는 영향은 taguchi 실험계획법을 이용, 수치 모사와 실험을 행하였다. 소스 전자석과 인출 전자석은 아크의 안정성에 영향을 주었고, 빔 인출 전류는 낮은 소스 전자석 전류와 특정한 필터 전자석 전류에서 최대값을 나타내었다. 이때 소스, 인출, 굽힘, 반사, 출구 전자석의 전류값은 1 A, 3 A, 5 A, 5 A, 5 A였으며, 아크 전류 30 A일 때, 빔 전류 밀도 3.2 mA/ $\textrm{cm}^2$ , 평균 증착률 5 $\AA$ /sec를 얻었다. 또한 플라즈마 덕트의 바이어스 전압 증가에 따라, 빔 전류 밀도는 증가하였으며, 더 효율적인 빔을 인출할 수 있었다.

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  8. [국내논문]   정전 용량변화에 따른 대기압 DBD 반응기의 동작 특성 연구  

    박봉경 (한양대학교 과학기술대학 응용물리 전공 ) , 김윤환 (한양대학교 과학기술대학 응용물리 전공 ) , 장봉철 (한양대학교 과학기술대학 응용물리 전공 ) , 조정현 (한양대학교 과학기술대학 응용물리 전공 ) , 김곤호 (한양대학교 과학기술대학 응용물리 전공)
    韓國眞空學會誌 = Journal of the Korean Vacuum Society v.10 no.4 ,pp. 440 - 448 , 2001 , 1225-8822 ,

    초록

    논문에서는 원통형 및 평판형 반응기에 20 kV의 사각파형 펄스전원을 인가하여 대기압 절연막 방전 플라즈마 반응기의 동작특성을 관찰하였다. 전류-전압파형과 하전량-전압곡선을 관찰한 결과 반응기의 정전용량 크기에 따라서 최적의 운전효율을 갖는 최적운전주파수 $f_0$ 가 $f_0\proptoexp(-C)$ 의 관계를 갖고 있음을 알았다. 이 관계를 이용하여 반응기에서 소실되는 소모전력을 구하였다. 반응기의 소모전력은 반응기의 구조와 전극의 유전물질의 종류 등의 함수인 반응기 정전용량 값에 따라서 변화하였으며 반응기의 특정한 정전용량 값에서 최대값을 가졌다. 이 정전용량 값을 이용하여 최적효율을 갖는 DBD 반응기를 설계할 수 있을 것으로 사료된다.

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  9. [국내논문]   진공관련업체 LIST  

    편집부
    韓國眞空學會誌 = Journal of the Korean Vacuum Society v.10 no.4 ,pp. 449 - 469 , 2001 , 1225-8822 ,

    초록

    논문에서는 원통형 및 평판형 반응기에 20 kV의 사각파형 펄스전원을 인가하여 대기압 절연막 방전 플라즈마 반응기의 동작특성을 관찰하였다. 전류-전압파형과 하전량-전압곡선을 관찰한 결과 반응기의 정전용량 크기에 따라서 최적의 운전효율을 갖는 최적운전주파수 $f_0$ 가 $f_0\proptoexp(-C)$ 의 관계를 갖고 있음을 알았다. 이 관계를 이용하여 반응기에서 소실되는 소모전력을 구하였다. 반응기의 소모전력은 반응기의 구조와 전극의 유전물질의 종류 등의 함수인 반응기 정전용량 값에 따라서 변화하였으며 반응기의 특정한 정전용량 값에서 최대값을 가졌다. 이 정전용량 값을 이용하여 최적효율을 갖는 DBD 반응기를 설계할 수 있을 것으로 사료된다.

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    Fig. 1 이미지
  10. [국내논문]   한국진공학회지 투고 요령 외  

    편집부
    韓國眞空學會誌 = Journal of the Korean Vacuum Society v.10 no.4 ,pp. 470 - 475 , 2001 , 1225-8822 ,

    초록

    논문에서는 원통형 및 평판형 반응기에 20 kV의 사각파형 펄스전원을 인가하여 대기압 절연막 방전 플라즈마 반응기의 동작특성을 관찰하였다. 전류-전압파형과 하전량-전압곡선을 관찰한 결과 반응기의 정전용량 크기에 따라서 최적의 운전효율을 갖는 최적운전주파수 $f_0$ 가 $f_0\proptoexp(-C)$ 의 관계를 갖고 있음을 알았다. 이 관계를 이용하여 반응기에서 소실되는 소모전력을 구하였다. 반응기의 소모전력은 반응기의 구조와 전극의 유전물질의 종류 등의 함수인 반응기 정전용량 값에 따라서 변화하였으며 반응기의 특정한 정전용량 값에서 최대값을 가졌다. 이 정전용량 값을 이용하여 최적효율을 갖는 DBD 반응기를 설계할 수 있을 것으로 사료된다.

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