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韓國眞空學會誌 = Journal of the Korean Vacuum Society 10건

  1. [국내논문]   Helicoflex 개스킷의 기밀 시험  

    유인근 (한국기초과학지원연구원 핵융합개발사업단 장치개발운영부 ) , 인상렬 (한국원자력 연구소 핵물리공학팀)
    韓國眞空學會誌 = Journal of the Korean Vacuum Society v.11 no.2 ,pp. 81 - 86 , 2002 , 1225-8822 ,

    초록

    KSTAR 진공용기의 대형포트에 사용하려고 계획하고 있는 Helicoflex 개스킷의 특정 모델에 대해 플랜지 체결 특성 특히 토크(또는 선하중) 및 변형량과 기체누설률의 관계를 조사하여 기밀곡선을 구하는 실험을 수행했다. 그 결과 상온에서는 Ml8 볼트의 경우 토크 2500 kg.cm에서 Helicoflex를 채용한 플랜지의 기체누설률은 $2\times10^{-1}$ /mbar.L/s이하였다.

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    Fig. 1 이미지
  2. [국내논문]   고진공하에서의 위성체 부품의 오염측정에 관한 연구   피인용횟수: 1

    이상훈 (한국항공우주연구원 ) , 서희준 (한국항공우주연구원 ) , 문귀원 (한국항공우주연구원 ) , 최석원 (한국항공우주연구원)
    韓國眞空學會誌 = Journal of the Korean Vacuum Society v.11 no.2 ,pp. 87 - 96 , 2002 , 1225-8822 ,

    초록

    위성체가 작동하는 우주환경인 고진공상태에서는 위성체의 부품에서 발생 할 수 있는 outgassing으로 인해 위성체가 오염되어 위성체의 성능이 저하될 수 있으며, 특히 이차면경(second surface mirror) 및 광학렌즈 등을 오염시킴으로써 위성체 본연의 임무수행 실패라는 결과를 초래할 수도 있다. 따라서 지상에서 위성체의 부품에 대해 고온( $85^{\circ}C$ 이상)과 고진공( $5.0\times10^{-3}$ Pa 이하)의 상태를 모사하여 오염물질을 제거함으로써 outgassing의 발생을 막고, 아울러 오염근원을 검출할 수 있는 vacuum bake-out 시험이 필수적이라 할 수 있다. 이를 위해서 한국항공우주연구원 우주시험동에 설치된 bake-out 챔버를 이용하여 위성체 부품 중에서 SAR(Solar Array Regulator)와 MLI(Multi Layer Insulator)를 예를 들어 오염측정에 관한 연구를 수행하였다. 항공우주연구원의 bake-out 챔버는 rotary vacuum pump와 booster pump를 이용하여 5.0 Pa의 저진공을 형성하고, 2대의 cryopump를 이용하여 $5.0\times10^{-3}$ Pa 이하의 고진공을 생성하게 된다. 또한 $180^{\circ}C$ 까지의 고온을 모사하기 위하여 챔버 shroud 안쪽에 ceramic 재질로 된 heater가 $30^{\circ}$ 간격으로 총 48개를 설치되어 있으며, 온도제어는 PID(Proportional Integral Differential) 제어 방식이 이용되었다. Vacuum bake-out 시험시에는 RGA(Residual Gas Analyzer)를 이용하여 각종 오염물질을 검출할 수 있고, TQCM(Thermoelectric Quartz Crystal Microbalance)을 사용하여 발생하는 오염물질의 방출률(outgassing rate)을 측정한다. 또한 필요시에는 IR/UV Spectrometer를 이용하여 witness plate에 흡착된 오염물질의 성분을 분석하여 위성체 부품으로의 적합성을 판단한다. SAR의 bake-out에서는 TQCM 측정결과 오염물질이 시간에 따라 감소추이는 보이지만 꾸준히 배출되고 있는 경향을 나타내고, RGA 분석결과 그 성분이 고분자 화합물로 추정되어 위성체 부품으로 사용하기에는 적절하지 못할 것으로 판단하였다. MLI의 bake-out에서는 RGA 및 witness plate를 이용한 오염측정 결과 특이한 오염물질을 발견할 수 없었다.

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  3. [국내논문]   실리콘 기판상의 ZnO 박막의 성장 및 구조적 특성  

    김광식 (인하대학교 재료공학부 ) , 이정호 (인하대학교 재료공학부 ) , 김현우 (인하대학교 재료공학부)
    韓國眞空學會誌 = Journal of the Korean Vacuum Society v.11 no.2 ,pp. 97 - 102 , 2002 , 1225-8822 ,

    초록

    유기금속화학기상증착방법 (metal-organic chemical vapor deposition : MOCVD)을 이용하여 실리콘 (100) 기판위엔 ZnO막을 증착하였다. 공정온도 ( $250^{\circ}C$ ~ $400^{\circ}C$ )와 Ar과 $O_2$ 가스의 유량 비 변화에 따른 ZnO막의 특성변화를 조사하였다. 막의 결정성은 공정온도가 증가함에 따라 향상되었으며 $400^{\circ}C$ 에서 $0.4^{\circ}$ 의 반치폭(full width at half maximum : FWHM)을 얻었다. 공정온도 변화에 따른 표면 평활도(surface smoothness)변화는 결정성과 반대의 경향성을 보였다.

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  4. [국내논문]   $LiNbO_3$강유전체 박막을 이용한 MFSFET's의 게이트 전극 변화에 따른 특성  

    정순원 (청주대학교 전자공학과 ) , 김광호 (청주대학교 정보통신공학부)
    韓國眞空學會誌 = Journal of the Korean Vacuum Society v.11 no.2 ,pp. 103 - 107 , 2002 , 1225-8822 ,

    초록

    Metal/ferroelectric/semiconductor field effect transistors(MFSFET′s) with various gate electrodes, that are aluminum, platinum and poly-Si, using rapid thermal annealed $LiNbO_3$ /Si(100) structures were fabricated and the properties of the FET′s have been discussed. The drain current of the "on" state of FET with Pt electrode was more than 3 orders of magnitude larger than the "off" state current at the same "read" gate voltage of 1.5 V, which means the memory operation of the MFSFET. A write voltage as low as about $\pm$ 4 V, which is applicable to low power integrated circuits, was used for polarization reversal. The retention properties of the FET using Al electrode were quite good up to about $10^3$ s and using Pt electrode remained almost the same value of its initial value over 2 days at room temperature.

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  5. [국내논문]   저에너지 불활성 기체이온에 의한 AC 플라즈마 디스플레이 패널용 MgO막의 이차전자 방출특성에 관한 연구  

    이상국 (서울대학교 공과대학 전기공학부 ) , 김재홍 (서울대학교 공과대학 응용화학부 ) , 이지화 (서울대학교 공과대학 응용화학부 ) , 황기웅 (서울대학교 공과대학 전기공학부)
    韓國眞空學會誌 = Journal of the Korean Vacuum Society v.11 no.2 ,pp. 108 - 112 , 2002 , 1225-8822 ,

    초록

    AC 플라즈마 디스플레이 패널의 보호막으로 널리 사용되고 있는 MgO막의 2차 전자 방출계수를 저에너지 불활성 기체이온에 대해 펄스 이온빔 기법으로 측정하였다. 실리콘 산화막의 헬륨이온에 의한 2차 전자 방출계수는 300 eV에서 0.82를 보였지만 50 eV에서는 0.22보여 운동에너지에 대한 상당한 의존성을 보였다. 한편, MgO막의 이차전자 방출계수는 이온에 의한 스퍼터링이 지속됨에 따라 0.62에서 0.3으로 감소함으로써 이온충돌이 MgO의 이차전자 방출계수에 상당한 영향을 미치는 것을 확인할 수 있었다.

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    Fig. 1 이미지
  6. [국내논문]   150 mm GaAs 웨이퍼의 플라즈마 식각에서 식각 깊이의 균일도에 대한 가스 흐름의 최적화 연구  

    정필구 (인제대학교 광대역정보통신학과 ) , 임완태 (인제대학교 광대역정보통신학과 ) , 조관식 (인제대학교 광공학과/나노응용기술연구소 ) , 전민현 (인제대학교 광공학과/나노응용기술연구소 ) , 임재영 (인제대학교 광공학과/나노응용기술연구소 ) , 이제원 (인제대학교 광공학과/나노응용기술연구소 ) , 조국산 ((주)클라이오텍)
    韓國眞空學會誌 = Journal of the Korean Vacuum Society v.11 no.2 ,pp. 113 - 118 , 2002 , 1225-8822 ,

    초록

    대면적 GaAs 웨이퍼의 플라즈마 식각 공정에서 식각 깊이의 좋은 균일도를 얻기 위해 반응기 내의 가스 흐름을 조절하는 진보된 기술을 실험하였다. 유한차분수치법(Finite Difference Numerical Method)은 GaAs 웨이퍼의 건식 식각을 위한 반응기 안의 가스 흐름의 분포를 시뮬레이션하기에 유용한 방법이다. 이 방법을 이용해 시뮬레이션된 자료와 실제의 것이 상당히 일치한다는 것이 $BCl_3/N_2/SF_6/He$ ICP플라즈마의 실험 결과로 확인되었다. 대면적 GaAs 웨이퍼의 플라즈마 식각 공정 중에서 포커스 링(focus ring)의 최적화된 위치가 가스 흐름과 식각 균일성을 동시에 향상시키는 것을 이해했다. 반응기와 전극(electrode)의 크기가 변하지 않는 상황에서 샘플을 고정시키는 클램프 배치의 최적화를 통해 100 mm(4 inch) GaAs 웨이퍼에서 가스 흐름의 균일성을 $\pm$ 1.5 %, 150 mm(6 inch) 웨이퍼에서는 $\pm$ 3% 이하로 유지시킬 수 있는 것을 시뮬레이션결과에서 확인할 수 있다. 시뮬레이션된 가스 흐름의 균일도 자료와 실제 식각 깊이 분포실험 데이터의 비교로 대면적 GaAs 웨이퍼에서 건식 식각의 뛰어난 균일성을 얻기 위해서는 반응기 내의 가스흐름분포의 조절이 매우 중요함을 확인하였다.

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  7. [국내논문]   Hollow cathode discharge tube에서의 광검류 신호 측정  

    이준회 (충남대학교 물리학과 ) , 정기주 (공주대학교 사범대학 물리교육과)
    韓國眞空學會誌 = Journal of the Korean Vacuum Society v.11 no.2 ,pp. 119 - 126 , 2002 , 1225-8822 ,

    초록

    Hollow cathode discharge(HCD)에서 알곤 기체를 완충 기체로 사용하여 전류 변화에 따른 광검류 신호를 측정하였다. 광검류 신호는 방전의 전기 전도도의 증가 또는 감소에 의해 나타나며 전기 전도도의 변화는 전자 충돌에 의한 이온화율의 변화에 의해 일어난다. 낮은 방전 전류에서 광검류 신호는 가장 낮은 준안정 준위 원자의 밀도 변화와 밀접한 관계가 있다는 결론을 얻었다.

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  8. [국내논문]   AC plasma display panel의 페닝 방전가스 혼합비 변화에 따른 방전특성 연구  

    박문필 (중앙대학교 전자전기공학부 반도체공정소자연구실 ) , 이승준 (중앙대학교 전자전기공학부 반도체공정소자연구실 ) , 이재경 (중앙대학교 전자전기공학부 반도체공정소자연구실 ) , 황호정 (중앙대학교 전자전기공학부 반도체공정소자연구실)
    韓國眞空學會誌 = Journal of the Korean Vacuum Society v.11 no.2 ,pp. 127 - 134 , 2002 , 1225-8822 ,

    초록

    본 논문은 AC PDP에서 사용하는 가스의 혼합비, 압력, 페닝 효과를 고려한 가스 조합의 최적화를 통해 낮은 방전전압으로 휘도의 증가를 얻을 수 있는 고휘도, 고효율 PDP 페닝 기체 혼합비를 찾고자 하였다. He(70%)-Ne(27%)-Xe(3%)의 3원 혼합기체와 Ne(96%)Xe(4%)의 2원 혼합기체에 페닝 효과를 극대화하기 위한 소량의 Ar, Kr을 첨가하여 각각의 첨가비에 따른 방전 개시전압, 방전 유지전압, 휘도, 발광효율 등을 측정하였다. 또한 페닝효과에 의한 방전 공간상의 전자수 증가를 확인하기 위해 셀 내의 전극 위에 쌓이는 벽전하 양을 측정하였다. 소량의 Ar(0.01%-0.03%) 또는 Kr(0.01%-0.03%)을 HE-Ne-Xe과 Ne-Xe 혼합가스에 첨가했을 때 페닝효과에 기인하여 휘도 및 발광효율이 각각 최고 10%-20% 증가하였다. 또한 페닝효과를 확인하기 위한 벽전하의 양은 10%-25% 증가를 보였다. 방전개시전압 및 최소방전유지전압은 대략 2V-3V정도 감소하였다.

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    Fig. 1 이미지
  9. [국내논문]   진공관련업체 LIST  

    편집부
    韓國眞空學會誌 = Journal of the Korean Vacuum Society v.11 no.2 ,pp. 135 - 155 , 2002 , 1225-8822 ,

    초록

    본 논문은 AC PDP에서 사용하는 가스의 혼합비, 압력, 페닝 효과를 고려한 가스 조합의 최적화를 통해 낮은 방전전압으로 휘도의 증가를 얻을 수 있는 고휘도, 고효율 PDP 페닝 기체 혼합비를 찾고자 하였다. He(70%)-Ne(27%)-Xe(3%)의 3원 혼합기체와 Ne(96%)Xe(4%)의 2원 혼합기체에 페닝 효과를 극대화하기 위한 소량의 Ar, Kr을 첨가하여 각각의 첨가비에 따른 방전 개시전압, 방전 유지전압, 휘도, 발광효율 등을 측정하였다. 또한 페닝효과에 의한 방전 공간상의 전자수 증가를 확인하기 위해 셀 내의 전극 위에 쌓이는 벽전하 양을 측정하였다. 소량의 Ar(0.01%-0.03%) 또는 Kr(0.01%-0.03%)을 HE-Ne-Xe과 Ne-Xe 혼합가스에 첨가했을 때 페닝효과에 기인하여 휘도 및 발광효율이 각각 최고 10%-20% 증가하였다. 또한 페닝효과를 확인하기 위한 벽전하의 양은 10%-25% 증가를 보였다. 방전개시전압 및 최소방전유지전압은 대략 2V-3V정도 감소하였다.

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  10. [국내논문]   한국진공학회지 투고 요령 외  

    편집부
    韓國眞空學會誌 = Journal of the Korean Vacuum Society v.11 no.2 ,pp. 156 - 161 , 2002 , 1225-8822 ,

    초록

    본 논문은 AC PDP에서 사용하는 가스의 혼합비, 압력, 페닝 효과를 고려한 가스 조합의 최적화를 통해 낮은 방전전압으로 휘도의 증가를 얻을 수 있는 고휘도, 고효율 PDP 페닝 기체 혼합비를 찾고자 하였다. He(70%)-Ne(27%)-Xe(3%)의 3원 혼합기체와 Ne(96%)Xe(4%)의 2원 혼합기체에 페닝 효과를 극대화하기 위한 소량의 Ar, Kr을 첨가하여 각각의 첨가비에 따른 방전 개시전압, 방전 유지전압, 휘도, 발광효율 등을 측정하였다. 또한 페닝효과에 의한 방전 공간상의 전자수 증가를 확인하기 위해 셀 내의 전극 위에 쌓이는 벽전하 양을 측정하였다. 소량의 Ar(0.01%-0.03%) 또는 Kr(0.01%-0.03%)을 HE-Ne-Xe과 Ne-Xe 혼합가스에 첨가했을 때 페닝효과에 기인하여 휘도 및 발광효율이 각각 최고 10%-20% 증가하였다. 또한 페닝효과를 확인하기 위한 벽전하의 양은 10%-25% 증가를 보였다. 방전개시전압 및 최소방전유지전압은 대략 2V-3V정도 감소하였다.

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