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電氣電子材料學會誌= The journal of the Korean Institute of ... 11건

  1. [국내논문]   에폭시 복합체의 유전특성에 미치는 산무수물 경화제와 후경화 열처리의 영향  

    왕종배 (광운대학교 전기공학과 ) , 이성일 (광운대학교 전기공학과 ) , 이준웅 (광운대학교 전기공학과)
    電氣電子材料學會誌= The journal of the Korean Institute of Electrical and Electronic Material Engineers v.7 no.3 ,pp. 187 - 199 , 1994 , 1225-6684 ,

    초록

    In order to find an effect of structural changes due to variation of addition ratio of anhydride hardener and postcuring herat-treatments upon electrical properties of epoxy composites, the dielectric properties over a frequency range from 30[Hz] to l[MHz] were investigated in the temperature range of 20-180[.deg. C]. From the dielectric properties, the a peaks related with glass-transition phenomena of epoxy network appeared near 130[.deg. C], the conduction loss in high temperature region above 150[.deg. C] due to thermal dissociation of hardener started off with the low frequency side and the .betha. peak concerned with contribution of movable unreacted terminal epoxy groups and curing agents in the glass states concurred with the high-frequency side below 20[.deg. C]. And an effect of an hydride hardener upon structural changes and of postcuring heat treatments upon structural stability in epoxy composites would be explained through the estimation of the distribution of relaxation times and the activation energy for a .alpha. peak according to the WLF equations.

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    Fig. 1 이미지
  2. [국내논문]   Load cell 중량센서의 FEM simulation  

    박찬원
    電氣電子材料學會誌= The journal of the Korean Institute of Electrical and Electronic Material Engineers v.7 no.3 ,pp. 200 - 205 , 1994 , 1225-6684 ,

    초록

    The FEM technique was applied to simulate the change of stress characteristics for various structural parameters and loading positions of the load cell. The output voltage of the load cell was then computed to compare with the manufactured load cell. The tendency of the stress variations of the load cell was well agreed with the basic formula of the single fixed. beam. Also, the stress characteristics according to the change of loading positions showed respective featured results as different structure. The calculated output voltages of the load cell were very close to those of the real manufactured ones.

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  3. [국내논문]   온도, 가스량 및 도핑시간변화에 따른 $POCI_3$ 도핑 공정의 최적화  

    정경화 (㈜EBARA제작소 ) , 강정진 (대유공전 전자통신과)
    電氣電子材料學會誌= The journal of the Korean Institute of Electrical and Electronic Material Engineers v.7 no.3 ,pp. 206 - 212 , 1994 , 1225-6684 ,

    초록

    In this paper, We discuss the $POCI_3$ doping process according to the variation of deposition temperature, gas flow rate and doping time. The factors acted with $POCI_3$ doping are gas flow rate deposition temperature and time etc. Among them the temperature is the most important factor. For the $POCI_3$ flow rate, it should not exceed the resistivity saturation point developed on poly surface by annealing treatment. Therefore, this study suggests the optimum conditions of Poly-silicon treatments with the $POCI_3$ flow rate.

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  4. [국내논문]   광제어 쌍안정 반도체 스위치에서 구리 불순물이 스위치특성에 미치는 영향  

    고성택
    電氣電子材料學會誌= The journal of the Korean Institute of Electrical and Electronic Material Engineers v.7 no.3 ,pp. 213 - 219 , 1994 , 1225-6684 ,

    초록

    Cu compensated Si doped GaAs (GaAs :Si:Cu has been chosen as the switch material. The GaAs material has been characterized by DLTS(Deep Level Transient Spectroscopy) technique and the obtained data were used in the computer simulation. Simulation studies are performed on several GaAs switch systems, composed of different densities of Cu, to investigate the influence of deep traps in the switch systems. The computed results demonstrates important aspect of the switch, the existence of two stable states and fast optical quenching. An important parameter optimum Cu density for the switch are also determined.

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  5. [국내논문]   광기록 매질로 이용되는 Te계 ART구조의 광학적 해석  

    이성준 , 박태성 , 정홍배
    電氣電子材料學會誌= The journal of the Korean Institute of Electrical and Electronic Material Engineers v.7 no.3 ,pp. 220 - 224 , 1994 , 1225-6684 ,

    초록

    In this study, we discussed the optical property to find the optimal condition of Te-based antireflection trilayer(ART) structure for a high density optical recording. It was found that the optical property was improved by suggesting the environmental parameters satisfied the optimum condition. As the results, the optimized(.lambda.=8.000 ${\AA}$ .) thickness of the recording layer is 27 ${\AA}$ , and the 1st and 2nd minimum ART conditions of dielectric layers are 1080 ${\AA}$ , 3820 ${\AA}$ , respectively. And the high SNR, the contrast ratio and the sensitivity are achieved by using the ART conditions.

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  6. [국내논문]   서브마이크론 MOSFET의 파라메터 추출 및 소자 특성 II -제작된 소자의 특성-  

    서용진 (중앙대학교 전기공학과 ) , 장의구 (중앙대학교 전기공학과)
    電氣電子材料學會誌= The journal of the Korean Institute of Electrical and Electronic Material Engineers v.7 no.3 ,pp. 225 - 230 , 1994 , 1225-6684 ,

    초록

    In this paper, we have fabricated short channel MOSFETs with these parameters to verify the validity of process parameters extraction by DTC method. The experimental results of fabricated short channel devices according to the optimal process parameters demonstrate good device characteristics such as good drain current-voltage characteristics, low body effects and threshold voltage of $\leq$ +-.1.0V, high punch through and breakdown voltage of $\leq$ 12V, low subthreshold swing(S.S) values of $\leq$ 105mV/decade.

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  7. [국내논문]   실리콘 질화막의 산화  

    정양희 (인하대학교 전자재료공학과 ) , 이영선 (울산공업전문대학 ) , 박영걸 (인하대학교 전자재료공학과)
    電氣電子材料學會誌= The journal of the Korean Institute of Electrical and Electronic Material Engineers v.7 no.3 ,pp. 231 - 235 , 1994 , 1225-6684 ,

    초록

    The multi-dielectric layer $SiO_2$ / $Si_3{N_4}$ / $SiO_2$ (ONO) is used to improve charge retention and to scale down the memory device. The nitride layer of MNOS device is oxidize to form ONO system. During the oxidation of the nitride layer, the change of thickness of nitride layer and generation of interface state between nitride layer and top oxide layer occur. In this paper, effects of oxidation of the nitride layer is studied. The decreases of the nitride layer due to oxidation and trapping characteristics of interface state of multi layer dielectric film are investigated through the C-V measurement and F-N tunneling injection experiment using SONOS capacitor structure. Based on the experimental results, carrier trapping model for maximum flatband voltage shift of multi layer dielectric film is proposed and compared with experimental data. As a results of curve fitting, interface trap density between the top oxide and layer is determined as being $5{\times}10^11$ ~ $2{\times}10^12$ [ $eV^1$ $cm^2$ ].

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  8. [국내논문]   절연유의 유동대전에 미치는 고체재질의 영향에 관한 연구  

    김용운 (영월공업전문대학교 전기과 ) , 임헌찬 (대구공업전문대학교 전기과 ) , 김영일 (신구전문대학 방사선과 ) , 김영봉 (인하공업전문대학 전기과 ) , 이덕출 (인하대학교 전기공학과)
    電氣電子材料學會誌= The journal of the Korean Institute of Electrical and Electronic Material Engineers v.7 no.3 ,pp. 236 - 242 , 1994 , 1225-6684 ,

    초록

    In this paper, the streaming electrification characteristics of insulating oil were examined when the oil is contacted with solid materials in a circulating system. The streaming current( $I_s$ ) increases with increasing oil velocity and temperature, and electrification properties depend on species of metal materials. $I_s$ in the gauze-contained electrification apparatus increases with increasing oil temperature below the temperature of 43[ ], but decreases above 43[ ]. On the other hand, $I_s$ is positive electrificated for the pipe of Fe, Cu, while it is negative electrificated for Sus. When insulating oil flows through a car fuel filter, $I_s$ increases linearly with increasing oil temperature.

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  9. [국내논문]   ITO/p-InP 태양전지 제작   피인용횟수: 1

    맹경호 (㈜포스코 홀스 ) , 김선태 (대전산업대학교 재료공학과 ) , 송복신 (광운대학교 전자재료공학과 ) , 문동찬 (광운대학교 전자재료공학과)
    電氣電子材料學會誌= The journal of the Korean Institute of Electrical and Electronic Material Engineers v.7 no.3 ,pp. 243 - 251 , 1994 , 1225-6684 ,

    초록

    ITO(Indium Tin Oxide) film with thickness of 1500.angs. was prepared by an e-beam evaporator onto a glass and a p-type InP wafer (100) LEC grown Zn-doped p=2.3*10 $\^$ 16/cm $\^$ -3/), in which the components of ITO used for evaporation source were hot pressed pellets 1 mole% ln $\_$ 2/O $\_$ 3/+9 mole% SnO $\_$ 2/, and evaporated in O $\_$ 2/ ambient. The optimum conditions to preparation of ITO thin film were the substrate temperature of 350.deg. C, the injected oxygen pressure of 2*10 $\^$ -4/ torr, and the evaporation speed of 0.2-0.3.angs./sec, respectively. In these optimum conditions, the resistivity and the carrier concentration were 5.3*10 $\^$ -3/ .ohm.-cm, 6.5*10 $\^$ 20/cm $\^$ -3/, and the transmittance was over 80%. From the results of J-V measurements in ITO/p-InP structure solar cells, the higher pressure of injected oxygen, the more open circuit voltage. The efficiency of ITO/p-InP solar cell without the grid line contact, prepared by the optimum evaporation conditions, was 7.19%. By using the grid line contact, the efficiency, the open circuit voltage, the short circuit current density, the fill factor, the series resistance, and the shunt resistance were 8.5%, 0.47V, 29.48 mAcm $\^$ -2/ , 61.35%, 3.ohm., and 26.6k.ohm., respectively.

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  10. [국내논문]   Nb-Ti 초전도선의 제조기술과 응용  

    류강식 (한국전기연구소 초전도연구실 ) , 오상수 (한국전기연구소 초전도연구실 ) , 김상현 (경상대학교 전기공학과)
    電氣電子材料學會誌= The journal of the Korean Institute of Electrical and Electronic Material Engineers v.7 no.3 ,pp. 252 - 261 , 1994 , 1225-6684 ,

    초록

    ITO(Indium Tin Oxide) film with thickness of 1500.angs. was prepared by an e-beam evaporator onto a glass and a p-type InP wafer (100) LEC grown Zn-doped p=2.3*10 $\^$ 16/cm $\^$ -3/), in which the components of ITO used for evaporation source were hot pressed pellets 1 mole% ln $\_$ 2/O $\_$ 3/+9 mole% SnO $\_$ 2/, and evaporated in O $\_$ 2/ ambient. The optimum conditions to preparation of ITO thin film were the substrate temperature of 350.deg. C, the injected oxygen pressure of 2*10 $\^$ -4/ torr, and the evaporation speed of 0.2-0.3.angs./sec, respectively. In these optimum conditions, the resistivity and the carrier concentration were 5.3*10 $\^$ -3/ .ohm.-cm, 6.5*10 $\^$ 20/cm $\^$ -3/, and the transmittance was over 80%. From the results of J-V measurements in ITO/p-InP structure solar cells, the higher pressure of injected oxygen, the more open circuit voltage. The efficiency of ITO/p-InP solar cell without the grid line contact, prepared by the optimum evaporation conditions, was 7.19%. By using the grid line contact, the efficiency, the open circuit voltage, the short circuit current density, the fill factor, the series resistance, and the shunt resistance were 8.5%, 0.47V, 29.48 mAcm $\^$ -2/ , 61.35%, 3.ohm., and 26.6k.ohm., respectively.

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