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電氣電子材料學會誌= The journal of the Korean Institute of ... 10건

  1. [국내논문]   확산법에 의한 Bi-2223 초전도상의 제조 및 성장기구에 관한 연구   피인용횟수: 1

    최성환 (전북대학교 전기공학과 ) , 최효상 (전북대학교 전기공학과 ) , 한태희 (전북대학교 전기공학과 ) , 황종선 (전북대학교 전기공학과 ) , 한병성 (전북대학교 전기공학과)
    電氣電子材料學會誌= The journal of the Korean Institute of Electrical and Electronic Material Engineers v.7 no.4 ,pp. 281 - 288 , 1994 , 1225-6684 ,

    초록

    According to spread volume of B(BiPbCuO) layer, composition ratio and each stage of sintering process, we studied stability of high Tc superconductor phase and generation and growth movement of superconducting phase. The dual layer composed of SrCaCuO and BiPbCuO compound were prepared to develop the Bi-2223 superconductor[108K] through interaction and diffusion during sintering process. The dual layer samples were sintered at 830.deg. C for 0-210 hours. From the result, the optimum conditions were : spread volume(A:B=1:0.6), sintering time(210h) and composition ratio(A:S $r_{2}$ C $a_{2}$ C $u_{2}$ - $O_{x}$ , B:B $i_{1.9}$ P $b_{0.5}$ C $u_{3}$ $O_{y}$ ) at 830.deg. C.. C.C.C.

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    Fig. 1 이미지
  2. [국내논문]   기사광선 펄스 레이저에 의해 제작된 $YBa_2{Cu_3}O_{7-X}$초전도체 박막의 특성  

    신현용
    電氣電子材料學會誌= The journal of the Korean Institute of Electrical and Electronic Material Engineers v.7 no.4 ,pp. 289 - 293 , 1994 , 1225-6684 ,

    초록

    Thin films of YB $a_{2}$ C $u_{3}$ $O_{7-x}$ supercondYB $a_{2}$ C $u_{3}$ $O_{7-x}$ uctor were prepared on (100) SrTi $O_{3}$ substrates by pulsed laser deposition using visible light laser. Q-switched Nd:YAG(532 nm, 30 ns) pulsed laser was used for deposition. The effects of substrate temperature and oxygen pressure during deposition on films were studied. Critical current density of 2.93*10 $^{6}$ A/c $m^{2}$ at 77K and Tc(zero)=91.7K were obtained from the film prepared with Tsub=745.deg. C and $P_{02}$ =200 mTo 200 mTorr. XRD analysis showed that the grown film has c-axis normal orientation to the substrate surface and has single phase. Surface morphology of the film has been improved by interfering the plume ejected from YB $a_{2}$ C $u_{3}$ $O_{7-x}$ target.arget.t.

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  3. [국내논문]   Liquid-phase epitaxy로 성장시킨 A $I_x$Ga${1-x}$As(x.<=.0.15)의 photoreflectance  

    배인호 (영남대학교 물리학과 ) , 김인수 (영남대학교 물리학과 ) , 이철욱 (영남대학교 물리학과 ) , 최현태 (영남대학교 물리학과 ) , 김말문 (영남대학교 물리학과 ) , 김상기 (한국전자통신연구소)
    電氣電子材料學會誌= The journal of the Korean Institute of Electrical and Electronic Material Engineers v.7 no.4 ,pp. 300 - 305 , 1994 , 1225-6684 ,

    초록

    We determined the alloy composition of the liquid-phase epitaxy(LPE) grown $Al_{x}$ G $a_{1-x}$ As by the photoreflectance(PR), and observed the variation of PR signal by changing the condition of annealing and thickness of epilayer. As the measuring temperature was decreased, the broadening parameter was decreased, and the amplitude of PR signal was increased. When the temperature of annealing was increased, the surface carrier concentration was decreased and then the shape and amplitude of PR signal were affected by the surface electric field. The structure change was observed when the specimen was annealed for long time at a high temperature. We found that the surface electric field increased when the thickness of epilayer was decreased by etching, because the band bending was increased by the decreased of the width of depletion layer....

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    Fig. 1 이미지
  4. [국내논문]   Bi(Pb)SrCaCuO 초전도체의 초전도특성에 미치는 분말소결 및 2차성형, 분쇄시간에 따른 영향   피인용횟수: 1

    신철기 (광운대학교 전기공학과 ) , 김영천 (서울산업대학교 전기공학과)
    電氣電子材料學會誌= The journal of the Korean Institute of Electrical and Electronic Material Engineers v.7 no.4 ,pp. 306 - 311 , 1994 , 1225-6684 ,

    초록

    In this study, the influence of the powder sintering, the 2nd sinteiing and the grinding time on the Superconducting properties in the Bi(Pb)SiCaCuO Superconductor has been studied. From the analysis of SEM and XRD patterns, it was known that the sample prepared by the process of powder sintering has a porous microstructure with the critical temperature(Tc) below 77K, while the sample prepared by the 2nd sintering has a highly oriented microstructure with the Tc above 100K. The Critical Current Density(Jc) of the sample prepared by the 2nd sintering was better than the sample prepared by the process of powder sinteiing, but it's Jc, was low in practical use. Also, the effect of grinding time from 0[min] to 120[min] was investigated. As the grinding time is increased, the samples degraded from high-Tc phase to low-Tc phase and nonsuperconducting phases.

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    Fig. 1 이미지
  5. [국내논문]   In_{1-x}Ga_xP$의 깊은 준위 특성  

    김선태 (대전산업대학교 재료공학과 ) , 문동찬 (광운대학교 전자재료공학과)
    電氣電子材料學會誌= The journal of the Korean Institute of Electrical and Electronic Material Engineers v.7 no.4 ,pp. 312 - 316 , 1994 , 1225-6684 ,

    초록

    In this study, ln $_{1-x}$ Ga $_{x}$ P alloy crystal which has different compositions were grown by the temperature gradient solution(TGS) method, and the properties of deep levels were measured in the temperature range of 9OK-450K. We find the four deep levels of E $_{1}$ , E $_{2}$ (248meV), E $_{3}$ (386meV) and E $_{4}$ (618meV) in GaP, which has composition of Ga in In $_{1-x}$ Ga $_{x}$ P is one, and the trap densities of E $_{3}$ and E4 levels were 7.5*10 $^{14}$ cm $^{-3}$ and 9*10 $^{14}$ cm $^{-3}$ , respectively. A broad deep level spectra was revealed in In $_{1-x}$ Ga $_{x}$ P whose composition of Ga, x, were 0.56 and 0.83, and the activation energy and trap densities were about 430meV and 6*10 $^{14}$ cm $^{-3}$ , respectively.ectively.

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  6. [국내논문]   리튬 2차전지용 $LiCoO_2$양극의 제조 및 특성  

    문성인 (한국전기연구소 전기재료연구부 전지기술연구팀 ) , 정의덕 (한국전기연구소 전기재료연구부 전지기술연구팀 ) , 도칠훈 (한국전기연구소 전기재료연구부 전지기술연구팀 ) , 윤문수 (한국전기연구소 전기재료연구부 전지기술연구팀)
    電氣電子材料學會誌= The journal of the Korean Institute of Electrical and Electronic Material Engineers v.7 no.4 ,pp. 317 - 324 , 1994 , 1225-6684 ,

    초록

    In this study, new preparation method of LiCoO $_{2}$ was applied to develop cathode active material for Li rechargeable cell, and followed by X-ray diffraction analysis, electrochemical properties and initial charge/discharge characteristics as function of current density. HC8A72- and CC9A24-LiCoO $_{2}$ were prepared by heating treatment of the mixture of LiOH H $_{2}$ O/CoCO $_{3}$ (1:1 mole ratio) and the mixture of Li $_{2}$ CO $_{3}$ /CoCO $_{3}$ (1:2 mole ratio) at 850 and 900.deg. C, respectively. Two prepared LiCoO $_{2}$ s were identified as same structure by X-ray diffraction analysis. a and c lattice constant were 2.816.angs. and 14.046.angs., respectively. The electrochemical potential of CFM-LiCoO $_{2}$ (Cyprus Foote Mineral Co.'s product), HC8A72-LiCoO $_{2}$ and CC9A24 LiCoO $_{2}$ electrode were approximately between 3.32V and 3.42V vs. Li/Li reference electrode. Stable cycling behavior was obtained during the cyclic voltammetry of LiCoO $_{2}$ electrode. According as scan rate increases, cathodic capacity decreases, but redox coulombic efficiency was about 100% at potential range between 3.6V and 4.2V vs. Li/Li reference electrode. Cathodic capacity of HC8A72-LiCoO $_{2}$ was 32% higher than that of CFM-LiCoO $_{2}$ and that of CC9A24-LiCoO $_{2}$ was 47% lower than that of CFM-LiCoO $_{2}$ at 130th cycle in the condition of lmV/sec scan rate. Constant cur-rent charge/discharge characteristics of LiCoO $_{2}$ /Li cell showed increasing Ah efficiency with initial charge/discharge cycle. Specific discharge capacities of CFM and HC8A72-LiCoO $_{2}$ cathode active materials were about 93mAh/g correspondent to 34% of theretical value, 110mAh/g correspondent to 40% of theretical value, respectively. In the view of reversibility, HC8A72-LiCoO $_{2}$ was also more excellent than CFM- and CC9A24-LiCoO $_{2}$ .

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  7. [국내논문]   Sol-Gel법에 의한 $TiO_2$ 박막의 제작과 전기적 특성에 관한 연구  

    유도현 (인하대학교 전기공학과 ) , 강대하 (부산공대 전기과 ) , 이능현 (경원대학교 전자공학과 ) , 김진수 (한국교원대 기술교육과 ) , 이덕출 (인하대학교 전기공학과)
    電氣電子材料學會誌= The journal of the Korean Institute of Electrical and Electronic Material Engineers v.7 no.4 ,pp. 325 - 330 , 1994 , 1225-6684 ,

    초록

    In this paper, $TiO_2$ thin films were fabricated by Sol-Gel method and their electrical conductivity and humidity sensing properties have been investigated. The structure of Sol can be changed by controlling for hydrolysis condition. The uniform surface of thin films was confirmed by SEM. The electrical conductivity of thin films decreased with increasing heat treatment temperature. The humidity sensing properties of thin films were good in high humidity and low frequency regions.

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  8. [국내논문]   절연체위의 다결정실리콘 재결정화 공정최적화와 그 전기적 특성 연구   피인용횟수: 1

    윤석범 (공주전문대 산업영상과 ) , 오환술 (건국대학교 전자공학과)
    電氣電子材料學會誌= The journal of the Korean Institute of Electrical and Electronic Material Engineers v.7 no.4 ,pp. 331 - 340 , 1994 , 1225-6684 ,

    초록

    Polysilicon on insulator has been recrystallized by zone melting recrystallization method with graphite strip heaters. Experiments are performed with non-seed SOI structures. When the capping layer thickness of Si $\_$ 3/N $\_$ 4//SiO $\_$ 2/ is 2.0.mu.m, grain boundaries are about 120.mu.m spacing and protrusions reduced. After the seed SOI films are annealed at 1100.deg. C in NH $\_$ 3/ ambient for 3 hours, the recrystallized silicon surface has convex shape. After ZMR process, the tensile stress is 2.49*10 $\^$ 9/dyn/cm $\^$ 2/ and 3.74*10 $\^$ 9/dyn/cm $\^$ 2/ in the seed edge and seed center regions. The phenomenon of convex shape and tensile stress difference are completely eliminated by using the PSG/SiO $\_$ 2/ capping layer. The characterization of SOI films are showed that the SOI films are improved in wetting properties. N channel SOI MOSFET has been fabricated to investigate the electrical characteristics of the recrystallized SOI films. In the 0.7.mu.m thickness SOI MOSFET, kink effects due to the floating substrate occur and the electron mobility was calculated from the measured g $\_$ m/ characteristics, which is about 589cm $\^$ 2//V.s. The recrystallized SOI films are shown to be a good single crystal silicon.

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  9. [국내논문]   Buckminsterfullerene의 전자구조와 분자물성  

    구할본 (전남대학교 전기공학과 ) , 김현철 (전남대학교 전기공학과)
    電氣電子材料學會誌= The journal of the Korean Institute of Electrical and Electronic Material Engineers v.7 no.4 ,pp. 341 - 346 , 1994 , 1225-6684 ,

    초록

    Polysilicon on insulator has been recrystallized by zone melting recrystallization method with graphite strip heaters. Experiments are performed with non-seed SOI structures. When the capping layer thickness of Si $\_$ 3/N $\_$ 4//SiO $\_$ 2/ is 2.0.mu.m, grain boundaries are about 120.mu.m spacing and protrusions reduced. After the seed SOI films are annealed at 1100.deg. C in NH $\_$ 3/ ambient for 3 hours, the recrystallized silicon surface has convex shape. After ZMR process, the tensile stress is 2.49*10 $\^$ 9/dyn/cm $\^$ 2/ and 3.74*10 $\^$ 9/dyn/cm $\^$ 2/ in the seed edge and seed center regions. The phenomenon of convex shape and tensile stress difference are completely eliminated by using the PSG/SiO $\_$ 2/ capping layer. The characterization of SOI films are showed that the SOI films are improved in wetting properties. N channel SOI MOSFET has been fabricated to investigate the electrical characteristics of the recrystallized SOI films. In the 0.7.mu.m thickness SOI MOSFET, kink effects due to the floating substrate occur and the electron mobility was calculated from the measured g $\_$ m/ characteristics, which is about 589cm $\^$ 2//V.s. The recrystallized SOI films are shown to be a good single crystal silicon.

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  10. [국내논문]   자기 정보기록 재료의 박막화   피인용횟수: 1

    연규호
    電氣電子材料學會誌= The journal of the Korean Institute of Electrical and Electronic Material Engineers v.7 no.4 ,pp. 347 - 351 , 1994 , 1225-6684 ,

    초록

    자기정보 기록매체 분야에서 지금까지 사용되어온 방법을 개선하려는 노력이 활발히 진행되고 있다. 좀더 발전되고 진보적인 방법으로는 기록매체 재료의 개발도 있겠으나 보다더 많은 양의 정보를 기록 저장하기 위하여 박막화의 문제는 더할 나위 없는 필수적인 것이라 할 수 있다. 현재 수요가 급격히 늘고 있는 스파터된 hard disk용 박막에 있어서도 코팅문제가 완전히 해결되지 않고 개선의 여지가 아직도 많이 있다. 광자기 기록 매체의 박막화에 있어서도 가격의 저렴화 고속기록재생 고속 access성, 용량 증가등을 들 수 있는데 제품의 제조시 여러가지 박막화기술을 향상시켜야 할 것으로 생각된다.

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