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電氣電子材料學會誌= The journal of the Korean Institute of ... 10건

  1. [국내논문]   Sol-gel법과 급속 열처리에 의한 PZT 강유전 박막의 제작과 그 특성   피인용횟수: 3

    백동수 (연세대학교 전기공학과 ) , 최형욱 (연세대학교 전기공학과 ) , 김준한 (연세대학교 전기공학과 ) , 신현용 (남서울대학교 전자공학과 ) , 김규수 (울산전문대학 전자과 ) , 박창엽 (연세대학교 전기공학과)
    電氣電子材料學會誌= The journal of the Korean Institute of Electrical and Electronic Material Engineers v.7 no.5 ,pp. 369 - 375 , 1994 , 1225-6684 ,

    초록

    In this study, ferroelectric thin films of PZT with different Zr/Ti ratio were prepared by sol-get processing and annealed by rapid thermal annealing at for 10 sec. -1 min. Structures of the annealed films were examined by X-ray diffraction and SEM. Thin films of PZT with perovskite structure have been obtained by annealing at or above and for 20 seconds or longer. Maximum remnant polarization of 10.24.mu.C/cm $^{2}$ and minimum coercive field of 20.06 kV/cm were obtained from the 56/44 and 65/35 Zr/Ti composition films, respectively. Dielectric constant, .epsilon. $_{r}$ of 500-1300 and dielectric loss, tan .delta., of 0.01-0.035 were obtained from the films.s.

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    Fig. 1 이미지
  2. [국내논문]   GaAs MESFET의 파괴특성 향상을 위한 recess게이트 구조  

    장윤영 (부산전문대 전자계산기과 ) , 송정근 (동아대학교 전자공학과)
    電氣電子材料學會誌= The journal of the Korean Institute of Electrical and Electronic Material Engineers v.7 no.5 ,pp. 376 - 382 , 1994 , 1225-6684 ,

    초록

    In this study we developed a program(DEVSIM) to simulate the two dimensional distribution of the electrostatic potential and the electric field of the arbitrary structure consisting of GaAs/AlGaAs semiconductor and metal as well as dielectric. By the comparision of the electric field distribution of GaAs MESFETs with the various recess gates we proposed a suitable device structure to improve the breakdown characteristics of MESFET. According to the results of simulation the breakdown characteristics were improved as the thickness of the active epitaxial layer was decreased. And the planar structure, which had the highly doped layer under the drain for the ohmic contact, was the worst because the highly doped layer prevented the space charge layer below the gate from extending to the drain, which produced the narrow spaced distribution of the electrostatic potential contours resulting in the high electric field near the drain end. Instead of the planar structure with the highly doped drain the recess gate structure having the highly doped epitaxial drain layer show the better breakdown characteristics by allowing the extention of the space charge layer to the drain. Especially, the structure in which the part of the drain epitaxial layer near the gate show the more improvement of the breakdown characteristics.

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    Fig. 1 이미지
  3. [국내논문]   반절연성 GaAs에서 열자극 전류에 관한 연구  

    배인호 (영남대학교 물리학과 ) , 김기홍 (영남대학교 물리학과 ) , 김인수 (영남대학교 물리학과 ) , 최현태 (영남대학교 물리학과 ) , 이철욱 (영남대학교 물리학과 ) , 이정열 (영남대학교 물리학과)
    電氣電子材料學會誌= The journal of the Korean Institute of Electrical and Electronic Material Engineers v.7 no.5 ,pp. 383 - 388 , 1994 , 1225-6684 ,

    초록

    Deep levels in semi-insulating GaAs were observed by thermally stimulated current(TSC) measurement In the temperature ranges of 100-300K Tl(E $\_$ c/-0.18eV), T2(E $\_$ c/-0.20eV), T3(E $\_$ c/-0.31eV), T4(E $\_$ c/-0.40eV), and T5(E $\_$ c/-O.43eV) traps have been observed. The TI, T2, and T5 traps seem to be related to the V $\_$ As/, V $\_$ Ga/-complex, and As $\_$ Ga/ $\^$ ++/ respectively. T4 trap is considered with respect to V $\_$ Ga/-V $\_$ As/ complex.

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  4. [국내논문]   비정질 $Se_{75}Ge_{25}$박막으로의 이온침투 현상 해석  

    이현용 (광운대학교 전자재료공학과 ) , 정홍배 (광운대학교 전자재료공학과)
    電氣電子材料學會誌= The journal of the Korean Institute of Electrical and Electronic Material Engineers v.7 no.5 ,pp. 389 - 396 , 1994 , 1225-6684 ,

    초록

    The bilayer film of Ag/a-S $e_{75.G}$ $e_{25}$ and the monolayer film of a-S $e_{75.G}$ $e_{25}$ act as a negative-type and a positive-type resist in focused ion beam lithography, respectively. Using a model which takes into account the ion stopping power, the ion projected range, the ion concentration implanted into resists and the ion transmission coefficient, etc., the ion resist parameters are calculated for a broad range of ion energies and implanted doses. Ion sources of A $r^{+}$ , S $i^{++}$ and G $a^{+}$ are used to expose resists. As the calculated results, the energy loss per unit distance by Ga' $^{+}$ ion is about 10 $^{3}$ [keV/.mu.M] and nearly constant for all energy range. Especially, the projected range and struggling for 80[keV] G $a^{+}$ ion energy are 0.0425[.mu.m] and 0.020[.mu.m], , respectively and the resist thickness of a-S $e_{75}$ G $e_{25}$ to minimize the ion penetration rate into a substrate is 0.118[.mu.m].u.m]..u.m].

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  5. [국내논문]   B $a^{+2}$의 결핍에 따른 Ba(Z $n_{1/3}$T $a_{2/3}$ $O_3$ 세라믹스의 고주파 유전특성에 관한 연구  

    이문길 (연세대학교 공대 전기공학과 ) , 이두희 (연세대학교 공대 전기공학과 ) , 윤현상 (연세대학교 공대 전기공학과 ) , 김준한 (연세대학교 공대 전기공학과 ) , 홍재일 (대유공전 전기공학과 ) , 박창엽 (연세대학교 공대 전기공학과)
    電氣電子材料學會誌= The journal of the Korean Institute of Electrical and Electronic Material Engineers v.7 no.5 ,pp. 403 - 408 , 1994 , 1225-6684 ,

    초록

    Dielectric and structural properties of $Ba_{1-x}$ (Z $n_{1}$ 3/T $a_{2}$ 3/) $O_{3}$ +1 mol% Mn $O_{2}$ (x=0, 0.01, 0.02, 0.03, 0.04) ceramics was investigated at microwave frequencies. With $Ba_{+2}$ shortage, the sinterability and the unloaded Q( $Q_{u}$ ) were much improved, and the ordering in B site and the lattice distortion was greatly enhanced and the structure approached the completely ordered structure. $Q_{u}$ was strongly correlated with these factors such as ordering ratio, lattice distortion and sinterability, and had the maximum value of 7500 at x=0.01. The dielectric constant was near 30 and the temperature coefficient of the resonant frequency was 2 ppm/.deg. C at x=0.01.1.1.1.

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  6. [국내논문]   프탈로시아닌계 광전도성 유기박막의 제조에 관한 연구  

    박구범 (유한공업전문대학 전기과 ) , 조기선 (유한공업전문대학 전기과 ) , 이덕출 (인하대학교 전기공학과)
    電氣電子材料學會誌= The journal of the Korean Institute of Electrical and Electronic Material Engineers v.7 no.5 ,pp. 409 - 416 , 1994 , 1225-6684 ,

    초록

    A double layered photoreceptor using phthalocyanine dye was made by dip-coating method. The under cutting layer(UCL) was coated with A1 $\_$ 2/O $\_$ 3/ or polyamide, and the charge generation layer(CGL) was formed by .tau.-type metal-free phthalocyanine. The oxadiazole was used as a charge transport layer(CTL) and polycarbonate and poly(vinyl butyral) was employed as a host polymer. The .tau.-H $\_$ 2/Pc had an absorption peak around 780nm, which coincided with the emitting wavelengths of GaAlAs diode lasers. Maximum charge acceptance of CTL that gives thickness of 12.mu.m was -900V by corona charge of -6.0kV. In photo-induced discharge measurements, residual potential was less than -20V and sufficient for ordinary use, and sample films using of poly(vinyl butyral) was showed good charge retention. In printing test, drum that was employed polycarbonate as a host polymer showed the good print quality.

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  7. [국내논문]   $PbNb_2{O_6}$ 세라믹스에서 미세구조에 미치는 첨가제의 영향  

    김영상 (홍익대학교 과학기술대학 무기재료 공학과 ) , 안형식 (경남대학교 무기재료 공학과 ) , 오영우 (경남대학교 무기재료 공학과)
    電氣電子材料學會誌= The journal of the Korean Institute of Electrical and Electronic Material Engineers v.7 no.5 ,pp. 417 - 424 , 1994 , 1225-6684 ,

    초록

    PbNb $_{2}$ O $_{6}$ piezoelectric ceramics have good properties, but the applications of them have been limited due to the problems of microstructures. In the present study, effects of additives on the phase stability, microstructure, and electrical proper-ties of ferroetectric phase were investigated. La $_{2}$ O $_{3}$ , Nd $_{2}$ O $_{3}$ and Sm $_{2}$ O $_{3}$ were added with the amounts of 1, 3, 5 mol% respectively. The results showed that single orthorhombic(ferroelectric phase) phase compared with the mixed phase of pure PbNb2O6 was obtained. In the case of 5 mol% Nd $_{2}$ O $_{3}$ addition, relative density of >95% and dense microstructure with -2.mu.m grain size were obtained.d.

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  8. [국내논문]   플라즈마중합 스티렌 박막의 e-beam 레지스트 특성에 관한 연구   피인용횟수: 1

    이덕출 (인하대학교 전기공학과 ) , 박종관 (인하대학교 전기공학과)
    電氣電子材料學會誌= The journal of the Korean Institute of Electrical and Electronic Material Engineers v.7 no.5 ,pp. 425 - 429 , 1994 , 1225-6684 ,

    초록

    In this paper, we study on the plasma polymerized styrene as a negative electron-beam resist. Plasma polymerized thin film was prepared using an interelectrode inductively coupled gas-flow type reactor. We show that polymerization parameters of thin film affect sensitivity and etching resistance of the resist. Molecular weight distribution of plasma polymerized styrene is 1.41-3.93, and deposition rates of that are 32-383[.angs./min] with discharge power. Swelling and etching resistance becomes . more improved with increasing discharge power during plasma polymerization. Etch rate by RIE is higher than that by plasma etching.

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  9. [국내논문]   강유전체 박막의 제조기술 및 응용   피인용횟수: 1

    최준후 (한국과학기술원 전자세라믹재료연구센터 ) , 이승석 (한국과학기술원 무기재료공학과 ) , 김호기 (한국과학기술원 무기재료공학과)
    電氣電子材料學會誌= The journal of the Korean Institute of Electrical and Electronic Material Engineers v.7 no.5 ,pp. 431 - 437 , 1994 , 1225-6684 ,

    초록

    In this paper, we study on the plasma polymerized styrene as a negative electron-beam resist. Plasma polymerized thin film was prepared using an interelectrode inductively coupled gas-flow type reactor. We show that polymerization parameters of thin film affect sensitivity and etching resistance of the resist. Molecular weight distribution of plasma polymerized styrene is 1.41-3.93, and deposition rates of that are 32-383[.angs./min] with discharge power. Swelling and etching resistance becomes . more improved with increasing discharge power during plasma polymerization. Etch rate by RIE is higher than that by plasma etching.

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  10. [국내논문]   세라믹 센서의 현상과 장래동향   피인용횟수: 1

    박춘배 (원광대학교 전자재료공학과 ) , 송민종 (원광대학교 전자재료공학과)
    電氣電子材料學會誌= The journal of the Korean Institute of Electrical and Electronic Material Engineers v.7 no.5 ,pp. 438 - 446 , 1994 , 1225-6684 ,

    초록

    인류는 지금 2차석기시대를 맞이하고 있으며 이 시대는 인공으로 만들어지는 돌인 세라믹이 단순히 용기나 도구로 사용되는 것 이외에 정보화사회에 있어서 기술의 관건이 될 지능소자로서 사용되고 있다. 세라믹은 내열성, 내식성, 내마모성이라는 특성으로 인해 많이 이용되어 왔지만 이러한 특성 이외에도 전자적 기능, 광학기능, 화학기능 등 "두뇌"도 우수한 재료라 할 수 있다. 더구나 세라믹은 인간을 대신하여 감지하는 것이 가능한 각종 센서로서도 폭넓게 이용되고 있다. 인간에 있어서 눈, 코, 귀, 혀, 피부 등 오감이 센서이며, 눈은 물체를 식별하는 것으로 빛을 검출하고 귀는 소리를 듣는 것으로 압력과 음파를 검출하고, 코는 냄새로 가스나 온도를 검출하고, 혀는 맛으로 미각을 검출하고, 피부는 촉각에 의한 압력, 온도, 습도를 검출하며, 인간의 오감에 대응되지 않는 것으로 세라믹 센서는 자기장을 감지할 수 있다. 이와같이 센서는 용도에 따라 수많은 센서가 개발되어 그 종류가 대단히 많기 때문에 모든 센서에 대해서 기술한다는 것은 어렵다. 그러므로 여기서는 센서중에서 기본적인 가스센서와 습도센서에 대해 소개하기로 한다. 소개하기로 한다.

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