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電氣電子材料學會誌= The journal of the Korean Institute of ... 12건

  1. [국내논문]   SF$_6$+$N_2$혼합기체의 전자 이동속도 측정 및 수송계수 해석  

    하성철 (동국대학교 전기공학과 ) , 하영선 (대림전문대학 제어계측학과)
    電氣電子材料學會誌= The journal of the Korean Institute of Electrical and Electronic Material Engineers v.7 no.6 ,pp. 462 - 472 , 1994 , 1225-6684 ,

    초록

    In this paper, electron drift velocity is experimentally measured in SF $_{6}$ +N $_{2}$ Gas by induced cur-rent method and quantitaive production of electron transport coefficient is calculated by backward-prolongation of Boltzmann equation. Then electron energy distribution function and attachment coefficients are calculated. This paper can use the electron drift velocity by experimentally and the electron transport coefficient by calculated as a basic data of mixed Gas by comparing and investigating.g.

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  2. [국내논문]   Polyimide LB막내의 탄성 및 비탄성 tunneling 전기전도특성   피인용횟수: 1

    김태성 (전남대학교 공과대학교 ) , 김현종 (전남대학교 공과대학교 )
    電氣電子材料學會誌= The journal of the Korean Institute of Electrical and Electronic Material Engineers v.7 no.6 ,pp. 473 - 480 , 1994 , 1225-6684 ,

    초록

    The electron tunnel effect in polvimide LB films sandwiched between metal electrodes has been investigated in the present work by a study of both the elastic and inelastic tunneling components. By the results of elastic tunneling experiments in Au/Pl/Au tunneling junction, we can judge the height and thickness of tunnel barrier. The inelastic current in Inelastic Electron Tunneling Spectroscopy(IETS) is due to the interaction of the tunneling electron with the vibrational modes of the molecular species in the barrier. Measurements are done on Au/PI/Pb tunneling junctions. The spectra obtained are the second derivatives of the current-voltage characteristics of these junctions : specifically, d $^{2}$ 1/dV $^{2}$ as a function of voltage V. Because the energies measured by IETS can be directly compared to those measured by infrared and Raman spectroscopy, IR-RAS spectroscopy also measured for reference.

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  3. [국내논문]   열처리온도에 따른 $SnO_2$/Si 이종접합 태양전지의 전기적 특성  

    이재형 (성균관대학교 전기공학과 ) , 박용관 (성균관대학교 전기공학과)
    電氣電子材料學會誌= The journal of the Korean Institute of Electrical and Electronic Material Engineers v.7 no.6 ,pp. 481 - 489 , 1994 , 1225-6684 ,

    초록

    The $SnO_2$ /(n)Si solar cell was fabricated by electron beam evaporation method, and their properties were investigated. In proportion to increase of substrate and annealing temperature, the conductivity of $SnO_2$ thin film was increased, but its optical transmission decreases because of increasing optical absorption of free electrons in the thin film. $SnO_2$ /Si Solar cell characteristics were improved by annealing, but the solar cells was deteriorated by heat treatment above 500[.deg. C]. The optimal outputs of $SnO_2$ /Si solar cell through above investigations were $V_{\var}$ :350[mV], $J_{sc}$ ;16.53[mA/c $m^{2}$ ], FF;0.41, .eta.=4.74[%]

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  4. [국내논문]   Photoreflectance에 의한 반절연성 GaAs의 띠간격 에너지(Eo)측정  

    배인호 (영남대학교 물리학과 ) , 김말문 (영남대학교 물리학과 ) , 이정열 (영남대학교 물리학과 ) , 김인수 (영남대학교 물리학과 ) , 김기홍 (영남대학교 물리학과)
    電氣電子材料學會誌= The journal of the Korean Institute of Electrical and Electronic Material Engineers v.7 no.6 ,pp. 490 - 495 , 1994 , 1225-6684 ,

    초록

    We investigated photoreflectance of semi-insulating GaAs with respect to modulation sources, that is, modulation beam intensity, modulation frequency, temperature, and thickness of sample. PR spectra by each modulation source turned out to be signals of low electric field third differential, and band gap values of sample were fitted by least square root method for Aspnes' theoretical equation.

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  5. [국내논문]   Sol-Gel법에 의한 강유전체 Pb(Zr, Ti)$O_3$의 제조 및 특성에 관한 연구   피인용횟수: 1

    임정한 (전남대학교 자원공학과 ) , 김영식 (전남대학교 자원공학과 ) , 장복기 (전남대학교 무기재료공학과)
    電氣電子材料學會誌= The journal of the Korean Institute of Electrical and Electronic Material Engineers v.7 no.6 ,pp. 496 - 503 , 1994 , 1225-6684 ,

    초록

    In recent years Sol-Gel processing provides an interesting alternative method for the fabrication of ferroelectric thin layers and powder. PZT powder was prepared from an alkoxide-based solution by a Sol-Gel method. Gelation of synthesized complex solutions, microstructure, thermal analysis and crystallization behaviors of the calcined powder were studied in accordance with a water content and a catalyst. Especially gelation and crystallization behavior were analysed with the change of pH. The gelation time decreased as the pH of the mixed solution increased. For PZT powder with 650.deg. C heat treatment, 100% perovskite phase was formed by using either acidic or basic catalyst. By using either acidic or basic catalyst, we were able to get very fine powders of uniform shape with an average particle size of 0.8-1.mu.m.

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  6. [국내논문]   $Cd_4GeSe_6$ 단결정의 deep level측정  

    김덕태
    電氣電子材料學會誌= The journal of the Korean Institute of Electrical and Electronic Material Engineers v.7 no.6 ,pp. 504 - 510 , 1994 , 1225-6684 ,

    초록

    In this work the crystal structure, optical absorption and photoluminescence of Cd $_{4}$ GeSe $_{6}$ single srystals grown by the vertical bridgman method are investigated. From the observed results of the PICTS, we proposed on energy band model which contains deep levels between the conduction band and the valence band. The energy band model permit us to explain the mechanism of the radiative recombination for the Cd $_{4}$ GeSe $_{6}$ single crystals.als.

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  7. [국내논문]   Facing targets sputtering system에서 TbFeCo박막의 산화에 미치는 제조조건의 영향  

    문정탁 (충북대학교 공과대학 재료공학과 ) , 김명한 (충북대학교 공과대학 재료공학과)
    電氣電子材料學會誌= The journal of the Korean Institute of Electrical and Electronic Material Engineers v.7 no.6 ,pp. 511 - 519 , 1994 , 1225-6684 ,

    초록

    The effect of the deposition conditions, such as the base pressure, working pressure, sputtering power, pre-sputtering, and deposition thickness in facing targets sputtering system(FTS), on the oxidation of the TbFeCo thin films was studied by investigating the magneto-optical properties as well as oxygen analysis by the AES depth profiles. The results showed that the base pressure did not affect the magnetic properties so much, probably due to the short flight distance of the sputtered particles. At the higher sputtering power and lower working pressure with pre-sputtering the oxidation of TbFeCo thin films was decreased. As the film thickness increased the TbFeCo thin films showed the perpendicular anisotropy from in-plane anisotropy overcoming the oxidation effect at the beginning of the sputtering.

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  8. [국내논문]   도전성 고분자의 기능성 응용에 관한 연구  

    김종욱 (전남대학교 전기공학과 ) , 김현철 (전남대학교 전기공학과 ) , 정인성 (전남대학교 전기공학과 ) , 김현관 (전남대학교 전기공학과 ) , 구할본 (전남대학교 전기공학과 ) , 김태성 (전남대학교 전기공학과)
    電氣電子材料學會誌= The journal of the Korean Institute of Electrical and Electronic Material Engineers v.7 no.6 ,pp. 520 - 526 , 1994 , 1225-6684 ,

    초록

    A rectifying heterojunction consisting of polyparaphenylene(PPP) and polypyrrole(PPY) films was prepared by the electrochemical method. The photoresponse in the heterojunction of PPY and PPP is similar to the absorption spectrum of undoped PPP. This fact suggests that photoresponse depends strongly upon polyparaphenylene of semiconductor. The fill-factor was calculated from the photo current-voltage curve to be 0.19, which is relatively small compared to polyacetylene-polythiophene heterojunctions.

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  9. [국내논문]   전기 기기용 봉지 및 함침 에폭시 복합 재료의 내열성 및 절연파괴 특성 개선에 관한 연구  

    김명호 (경원전문대 건축설비과 ) , 김재환 (광운대학교 전기공학과)
    電氣電子材料學會誌= The journal of the Korean Institute of Electrical and Electronic Material Engineers v.7 no.6 ,pp. 527 - 533 , 1994 , 1225-6684 ,

    초록

    In this study, it was studied on dielectric breakdown strength and thennostability properties due to the structure variation of matrix resin and treatment of coupling agent of epoxy insulating materials. The interpenetrating network structure was formed by simultaneous heating curing the epoxy resin with single network structure and the methacrylic acid resin. Also inner structure was observed and the glass transition temperature was measured on these three type specimens. Dielectric breakdown properties were investigated by applying DC, AC and impulse voltage. As a result, the glass transition temperature and the dielectric breakdown strength of specimen with interpenetrating network structure was more higher than another two type specimens.

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  10. [국내논문]   (Sr.Ca)$TiO_3$계 입계층 세라믹의 Ca변화량에 따른 미세구조 및 유전특성   피인용횟수: 2

    최운식 (광운대학교 전기공학과 ) , 김충혁 (광운대학교 전산원 ) , 이준웅 (광운대학교 전기공학과)
    電氣電子材料學會誌= The journal of the Korean Institute of Electrical and Electronic Material Engineers v.7 no.6 ,pp. 534 - 542 , 1994 , 1225-6684 ,

    초록

    Microstructures and dielectric properties of (Sr $_{1-x}$ .Ca $_{x}$ )TiO $_{3}$ +0.006Nb $_{2}$ O $_{5}$ (0.05.leq.x.leq.0.2) ceramic were investigated. The specimens fired in a reducing atmosphere(N $_{2}$ ) were painted on the surface with CuO paste, and then annealed at 1100.deg. C for 2 hr. SEM and EDAX revealed that CuO penetrated rapidly into the bulk along the grain boundaries during the annealing. Grain size increased with increasing Ca content up to 15[mol%], but decreased with further addition. In the specimens with 10-15[mol%l of Ca, excellent dielectric properties were obtained as follows; dielectric constant $^{6}$ [Hz].z].

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