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IEEE transactions on components, packaging, and ma... 29건

  1. [해외논문]   IEEE Components, Packaging, and Manufacturing Technology Society Information   SCI SCIE


    IEEE transactions on components, packaging, and manufacturing technology v.6 no.12 ,pp. C4 - C4 , 2016 , 2156-3950 ,

    초록

    Provides a listing of current committee members and society officers.

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  2. [해외논문]   IEEE Components, Packaging, and Manufacturing Technology Society information for authors   SCI SCIE


    IEEE transactions on components, packaging, and manufacturing technology v.6 no.12 ,pp. C3 - C3 , 2016 , 2156-3950 ,

    초록

    Provides instructions and guidelines to prospective authors who wish to submit manuscripts.

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  3. [해외논문]   Front cover   SCI SCIE


    IEEE transactions on components, packaging, and manufacturing technology v.6 no.12 ,pp. C1 - C1 , 2016 , 2156-3950 ,

    초록

    Presents the front cover for this issue of the publication.

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  4. [해외논문]   IEEE Transactions on Components, Packaging and Manufacturing Technology publication information   SCI SCIE


    IEEE transactions on components, packaging, and manufacturing technology v.6 no.12 ,pp. C2 - C2 , 2016 , 2156-3950 ,

    초록

    Provides a listing of current staff, committee members and society officers.

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  5. [해외논문]   Table of contents   SCI SCIE


    IEEE transactions on components, packaging, and manufacturing technology v.6 no.12 ,pp. 1725 - 1726 , 2016 , 2156-3950 ,

    초록

    Presents the table of contents for this issue of the periodical.

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  6. [해외논문]   Our Thanks to Reviewers IEEE Transactions on Components, Packaging and Manufacturing Technology   SCI SCIE


    IEEE transactions on components, packaging, and manufacturing technology v.6 no.12 ,pp. 1727 - 1730 , 2016 , 2156-3950 ,

    초록

    Presents a lsiting of the reviewers who contributed to the IEEE Transactions on Components, Packaging and Manufacturing Technology in 2016.

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  7. [해외논문]   Foreword Special Section on Nanopackaging   SCI SCIE

    Raj, P. Markondeya (Georgia Institute of Technology, Atlanta, GA, USA ) , Mahajan, Ravi (Intel Corporation, Chandler, AZ, USA)
    IEEE transactions on components, packaging, and manufacturing technology v.6 no.12 ,pp. 1731 - 1732 , 2016 , 2156-3950 ,

    초록

    Welcome to the Special Section on Nanopackaging!

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  8. [해외논문]   Metallic Nanowires and Their Application   SCI SCIE

    Jiu, Jinting , Suganuma, Katsuaki
    IEEE transactions on components, packaging, and manufacturing technology v.6 no.12 ,pp. 1733 - 1751 , 2016 , 2156-3950 ,

    초록

    Metallic nanowire films, especially silver nano-wires (AgNWs) and copper nanowires (CuNWs), with a random mesh structure have attracted considerable attention as high-performance flexible transparent films to replace the traditional, expensive, and brittle indium tin oxide films. These films have been widely used in displays, touchscreens, and solar cells to achieve next-generation electronics that can be bent, stretched, compressed, twisted, and deformed into complex, nonplanar shapes but maintain good conductive performance, reliability, and integration. Recent researches have indicated that the application of metallic nanowires has been accelerated due to these promising properties. This paper reviews the wet-chemical synthesis of AgNWs and CuNWs, fabrication and posttreatment of nanowire films, as well as their applications as conductive materials in some devices. It provides a latest overview of metallic nanowires and exhibits the developing prospects of high-performance conducting materials for future flexible and wearable optoelectronic devices.

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  9. [해외논문]   Recent Developments in Design and Fabrication of Graphene-Based Interdigital Micro-Supercapacitors for Miniaturized Energy Storage Devices   SCI SCIE

    Song, Bo , Moon, Kyoung-Sik , Wong, Ching-Ping
    IEEE transactions on components, packaging, and manufacturing technology v.6 no.12 ,pp. 1752 - 1765 , 2016 , 2156-3950 ,

    초록

    The rapid development of miniaturized electronic devices requires state-of-the-art small-form-factor energy storage units for power supply. Micro-supercapacitors (MSCs), as microscale supercapacitors, have great potential to replace microbatteries or electrolytic capacitors due to their high power density and long cycling stability. The planar design of interdigital microelectrodes not only shortens the ionic diffusion distance but also enables the direct integration of the device on-chip or on a flexible substrate for various applications. Graphene, with a unique 2-D nanostructure, has been extensively studied as a supercapacitor material with superior charge storage capability. Recently, the progress in thin-film fabrication technologies has facilitated the development of graphene-based MSCs, which results in device miniaturization and improved areal capacitance. This paper reviews the recent advances on the design of graphene-based MSCs and discusses the technical trend regarding large-scale fabrication and stretchable/wearable energy storage devices.

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  10. [해외논문]   CNTs and Graphene-Based Diodes for Microwave and Millimeter-Wave Circuits on Flexible Substrates   SCI SCIE

    Kaur, Amanpreet , Yang, Xianbo , Chahal, Premjeet
    IEEE transactions on components, packaging, and manufacturing technology v.6 no.12 ,pp. 1766 - 1775 , 2016 , 2156-3950 ,

    초록

    This paper presents the fabrication and characterization of carbon nanomaterials, i.e., carbon nanotubes (CNTs) and reduced graphene oxide (r-GO), based diodes on flexible substrates for high-frequency circuit applications. CNTs and graphene are good candidates as they possess excellent electronic and mechanical properties. For high-frequency circuits, diodes with lower parasitics and optimal impedance are required to achieve a high cutoff frequency and ease of impedance matching. Here, multiple CNTs are arranged in parallel to reduce the series resistance and to lower the impedance value, whereas 2-D graphene readily provides the desired impedance values. CNT and r-GO diodes with dissimilar metal contacts are fabricated using a novel process on high-frequency-compatible flexible substrates. The process utilizes an undercut and self-alignment approach that allows fabrication of submicrometer-size devices using an all-photolithographic process. The fabricated diodes demonstrate nonlinear current–voltage characteristics with current in the microampere range. Both types of diodes work efficiently as microwave rectifiers showing a near-ideal behavior with a rectification sensitivity of 4 V/W (18 GHz) and 33 V/W (22 GHz) for the CNT and r-GO, respectively. In addition, the results for r-GO-based frequency multiplication at fundamental frequencies ranging from 2 to 6 GHz and frequency mixing for 1.5 and 1.0 GHz are also presented.

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