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IEEE journal of quantum electronics 20건

  1. [해외논문]   Behavior of threshold current and polarization of stimulated emission of GaAs injection lasers under uniaxial stress  

    Patel, N. (Universidade Estadual de Campinas, Campinas, Sao Paulo, Brazil) , Ripper, J. , Brosson, P.
    IEEE journal of quantum electronics v.9 no.2 pt.2 ,pp. 338 - 341 , 1973 , 0018-9197 ,

    초록

    The effect of uniaxial pressure perpendicular to the junction on the threshold current of GaAs double-heterostructure lasers and homostructure lasers operated at room temperature was studied. The threshold either first increases with pressure up to a certain critical pressure P o and then decreases, or decreases with pressure from the beginning, depending on whether the laser is operating in a TE or a TM mode with zero pressure. In the first case, the change in the threshold current behavior at P o is accompanied by a change of modes from TE to TM. This behavior is explained by a model, taking into account the splitting of the valence bands of GaAs on application of uniaxial pressure.

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  2. [해외논문]   Semiconductor electron-beam-pumped lasers of the radiating mirror type  

    Bogdankevich, O. (P. N. Lebedev Physical Institute, USSR Academy of Sci., Moscow, USSR) , Darznek, S. , Pechenov, A. , Vasiliev, B. , Zverev, M.
    IEEE journal of quantum electronics v.9 no.2 pt.2 ,pp. 342 - 347 , 1973 , 0018-9197 ,

    초록

    A construction of a semiconductor laser with longitudinal pumping which has been called a radiating mirror was proposed and experimentally realized in [1]-[4]. Using this scheme of excitation one can obtain rather high radiation powers with a good directionality.

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  3. [해외논문]   Broad-band laser emission from optically pumped PbS1-xSex  

    Mooradian, A. (Massachusetts Institute of Technology, Lexington, MA, USA) , Strauss, A. , Rossi, J.
    IEEE journal of quantum electronics v.9 no.2 pt.2 ,pp. 347 - 349 , 1973 , 0018-9197 ,

    초록

    Optically pumped lasers operating at 2 K and emitting between 3.9 and 8.6 μm have been produced from PbS x Se 1-x crystals of several alloy compositions. Because the lasers operate with large bandwidths, the results demonstrate that only a small number of properly selected compositions would be needed to completely cover this spectral region.

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  4. [해외논문]   Stripe-geometry Pb1-xSnxTe diode lasers  

    Ralston, R. (Massachusetts Institute of Technology, Lexington, MA, USA) , Melngailis, I. , Calawa, A. , Lindley, W.
    IEEE journal of quantum electronics v.9 no.2 pt.2 ,pp. 350 - 356 , 1973 , 0018-9197 ,

    초록

    In order to avoid parasitic modes that frequently occur in conventional rectangular lead-chalcogenide diode laser structures, stripe junction lasers emitting at about 11 μm at 4.2 K have been fabricated from vapor-grown Pb 0.88 Sn 0.12 Te. Measurements of spectra, polarization, mirror illumination patterns, and far-field patterns provide conclusive evidence that these lasers emit in a fundamental spatial transverse mode. The emission spectra of the stripe lasers consist of regularly spaced modes corresponding to the longitudinal cavity with an effective index of refraction of 7.1. The measured width of the emitting region closely corresponds to the junction width both for the 50- and 100- μm-wide stripe lasers used. The depth of the emitting region perpendicular to the junction plane was measured to be approximately 50 μm in all of the lasers. As 2 S 3 dielectric coatings of various optical thicknesses have been sequentially applied to one end face in order to evaluate the gain and loss parameters of the active region from the threshold variation with reflectivity. Loss parameter values of 12-54 cm -1 , gain parameter values of 0.084-0.24 cm/A, and internal quantum efficiencies of 0.013-0.055 are deduced from these measurements. In addition, the antireflection coating produced as much as a fourfold increase in output power at currents above threshold.

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  5. [해외논문]   Mesa-stripe-geometry double-heterostructure injection lasers  

    Tsukada, T. (Hitachi Ltd., Kokubunji, Tokyo, Japan) , Ito, R. , Nakashima, H. , Nakada, O.
    IEEE journal of quantum electronics v.9 no.2 pt.2 ,pp. 356 - 361 , 1973 , 0018-9197 ,

    초록

    Fabrication and characteristics of mesa-stripe-geometry double-heterostructure injection lasers are described. Two types of lasers have been prepared: 1) low mesa-type lasers in which mesa etching is stopped just above the active layer and 2) high mesa-type lasers in which mesa etching is effected up to the first epitaxial layer (n-GaAlAs). The stripe widths of these lasers can be narrowed below 30 μm without an appreciable increase of the threshold current density. As a result, very low current operation has been realized. The thermal resistances of these lasers are nearly as low as those of stripe-geometry lasers. This property along with the low threshold current density renders it easy to operate diodes continuously at and above room temperature. Near-single-mode operation has been observed in low mesa-type lasers. The laser emissions display TE polarization in most cases; however, diodes with thick active layers have often been observed to show TM polarization.

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  6. [해외논문]   Spectral behavior and linewidth of (GaAl)As-GaAs double-heterostructure lasers at room temperature with stripe geometry configuration  

    Iida, S. (Tokyo Shibaura Electric Co., Ltd., Kawasaki, Japan) , Takata, K. , Unno, Y.
    IEEE journal of quantum electronics v.9 no.2 pt.2 ,pp. 361 - 366 , 1973 , 0018-9197 ,

    초록

    Experimental studies have been made of the spectral change with excitation and the linewidth of room temperature (Ga Al)As-Ga As heterostructure lasers. The lasers with stripe geometry configuration show uniform near-field patterns and single axial mode operations in relatively wide ranges of current levels. Continuous output powers of several to 20 mW (from one facet) have been obtained under single axial mode operations at current levels below 500 mA. Experimental data on excitation-dependent spectral change indicate that the laser line is homogeneously broadened and the diffusion of the inverted population plays an effective role in the single-mode operation at room temperature. Observations of the interference fringes with a Fabry-Perot etalon having plate separations of the centimeter range revealed the frequency variation with time under continuous operation. Probably this effect is the reflection of a very large temperature coefficient of the laser frequency at room temperature, Full linewidths shown in the photographs of the fringes taken with exposure times of about 1 s were less than several hundred megahertz, which is compared with the theoretical estimate of a few megahertz at several milliwatts.

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  7. [해외논문]   Photoexcited resonance-enhanced nitrogen-trap GaAs1-xPx:N laser  

    Holonyak, N. (University of Illinois, Urbana, IL, USA) , Dupuis, R. , Macksey, H. , Zack, G. , Craford, M. , Finn, D.
    IEEE journal of quantum electronics v.9 no.2 pt.2 ,pp. 379 - 383 , 1973 , 0018-9197 ,

    초록

    Data (77 K) on x = 0.41 and x = 0.46 N-doped GaAS 1-x P x are presented showing that the electron-hole recombination probability may be resonantly enhanced when the crystal composition is varied and the \Gamma conduction band minimum is made degenerate, or nearly degenerate, with the A -line N isoelectronic trap state ( E_{\Gamma} \approx E_{N} \sim 2.0 eV, x \approx 0.40 ). Data on x = 0.46 GaAs 1-x P x :N suggest that resonant enhancement occurs in a "turning" range |E_{\Gamma} - E_{N}| \leq 55 meV. A consequence of this work is that photopumped GaAs 1-x P x :N ( x = 0.46 ) exhibits laser operation at the unusually high photon energy of 2.032 eV (6100 Å, orange). The idea of resonance-enhanced recombination and the results now demonstrated in GaAs 1-x P x :N are general enough to be applicable also to p-n junctions.

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  8. [해외논문]   Spontaneous and stimulated recombination in p+-n-n+(AlGa)As-GaAs heterojunction laser diodes  

    Kressel, H. (RCA Laboratories, Princeton, N.J, USA) , Lockwood, H. , Nicoll, F. , Ettenberg, M.
    IEEE journal of quantum electronics v.9 no.2 pt.2 ,pp. 383 - 387 , 1973 , 0018-9197 ,

    초록

    A detailed study has been made of the lasing properties of p + -n-n + double heterojunction lasers where the n-type active region was lightly doped n type ( \sim 2 \times 10^{16} cm -3 ) and only weakly compensated. The structure of the diodes allowed a study of the spontaneous emission (below and above lasing threshold) through the nonabsorbing higher band-gap (AlGa)As surface of the diode. Only a single major spontaneous band is seen which peaks near the band-gap energy of the n-type active region. (However, when viewed only through the diode edge, a second spurious lower energy "ghost peak" is seen due to selective internal absorption of the spontaneous radiation in the GaAs substrate.) With increasing current density, the spontaneous emission band broadens with a slight upward shift in its peak energy. The lasing peak eventually emerges from the low-energy tail of the band at an energy where relatively little spontaneous radiation is observed at low current densities and where the absorption coefficient is relatively small. Observations made by cathodoluminescence of GaAs with similar doping shows an analogous behavior, with the energy separation between the spontaneous and lasing peaks increasing with increasing temperature between 77 and 300 K. The observed behavior is consistent with the hypothesis that the lasing transitions involve conduction and valence band tail states due to the screening of the crystal field (and carrier interaction) by the high density of injected carriers in the active region of the laser.

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  9. [해외논문]   Pulse modulation of DH-(GaAl)As lasers  

    Ozeki, T. (Toshiba Research and Development Center, Kawasaki, Japan) , Ito, T.
    IEEE journal of quantum electronics v.9 no.2 pt.2 ,pp. 388 - 391 , 1973 , 0018-9197 ,

    초록

    The pulse modulation of DH-(GaAl)As lasers at a bit rate of 200 Mbits/s was examined. To reduce the variation of the lasing pulse peak and lasing delay time due to combinations of "1" and "0" bits, prepumping condition and the damped oscillation parameters are important. The spontaneous carrier life time of DH-(GaAl)As lasers was measured as 2-5 ns.

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  10. [해외논문]   Study of the single-mode injection laser  

    Bogatov, A. (USSR Academy of Sciences, Moscow, USSR) , Eliseev, P. , Ivanov, L. , Logginov, A. , Manko, M. , Senatorov, K.
    IEEE journal of quantum electronics v.9 no.2 pt.2 ,pp. 392 - 394 , 1973 , 0018-9197 ,

    초록

    Single-mode (SM) laser radiation from a GaAs diode is obtained using a composite cavity which can be tuned to select a desired spectral mode. The properties of a laser with such a cavity are described. The kinetics of the spectra of the single-mode strip double-heterostructure laser is investigated with a high time resolution (10 -10 s) spectrometer apparatus. At sufficiently high currents above threshold a transition from SM to multimode operation occurs with breaks in the stable SM oscillation. Such an event is accompanied by a frequency self-modulation of the oscillation with a self-induced intensity pulsation at the same microwave frequency. Multimode oscillation appears simultaneously with the pulsation of the radiation, and the SM output power is limited due to such pulsations.

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