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電氣學會論文誌. IEEJ Transactions on Electronics, Informa... 35건

  1. [해외논문]   ブランケットSiGeCエピタキシャル成長を用いたHBTの真性及び外部ベースのプロセス設計  

    Kiyota, Yukihiro , Yamagata, Hideo
    電氣學會論文誌. IEEJ Transactions on Electronics, Information and Systems. C : 電子·情報·システム v.126 no.6 ,pp. 708 - 713 , 2006 , 0385-4221 ,

    초록

    The profile design methodology of a blanket SiGeC epitaxial layer for hetero junction bipolar transistor (HBT) is presented. Two important factors, Ge profile and Si cap are designed to minimize the carrier transit time in the intrinsic base region. Concurrently, a BF 2 ion implantation and a cobalt silicide process for the extrinsic base were optimized to accommodate the Si cap thickness without relaxing a strain in SiGe layers caused by a reaction between Ge and Co. This design resulted in HBTs with 94-GHz cut-off frequency (f T ), 81-GHz maximum oscillation frequency (f max ), and 0.45 dB minimum noise figure at 2 GHz, which could be utilized for consumer electronics products operating within a 2-5 GHz frequency range. The HBT was successfully implemented into 0.25-μm CMOS process with various kinds of passive devices to produce LSIs for consumer wireless electronics.

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  2. [해외논문]   ブランケットSiGeCエピタキシャル成長を用いたHBTの真性及び外部べースのプロセス設計  

    Kiyota, Yukihiro , Yamagata, Hideo
    電氣學會論文誌. IEEJ Transactions on Electronics, Information and Systems. C : 電子·情報·システム v.126 no.6 ,pp. 708 - 713 , 2006 , 0385-4221 ,

    초록

    The profile design methodology of a blanket SiGeC epitaxial layer for hetero junction bipolar transistor (HBT) is presented. Two important factors, Ge profile and Si cap are designed to minimize the carrier transit time in the intrinsic base region. Concurrently, a BF 2 ion implantation and a cobalt silicide process for the extrinsic base were optimized to accommodate the Si cap thickness without relaxing a strain in SiGe layers caused by a reaction between Ge and Co. This design resulted in HBTs with 94-GHz cut-off frequency (f T ), 81-GHz maximum oscillation frequency (f max ), and 0.45 dB minimum noise figure at 2 GHz, which could be utilized for consumer electronics products operating within a 2-5 GHz frequency range. The HBT was successfully implemented into 0.25-μm CMOS process with various kinds of passive devices to produce LSIs for consumer wireless electronics.

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  3. [해외논문]   固体電解質ナノスイッチ  

    Sakamoto, Toshitsugu , Kaeriyama, Shunichi , Mizuno, Masayuki , Kawaura, Hisao , Hasegawa, Tsuyoshi , Terabe, Kazuya , Aono, Masakazu
    電氣學會論文誌. IEEJ Transactions on Electronics, Information and Systems. C : 電子·情報·システム v.126 no.6 ,pp. 714 - 719 , 2006 , 0385-4221 ,

    초록

    We have investigated solid-electrolyte switches that utilize electrochemical reactions (deposition and dissolution) of metallic ions. The switch turns off or on when a metallic bridge electrochemically forms or dissolves in the solid electrolyte. Each state is nonvolatile and the switching is repeatable up to 10 5 cycles. The promising application is a programmable switch in a field programmable logic because of its small size (

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  4. [해외논문]   固体電解質ナノスイッチ  

    Sakamoto, Toshitsugu , Kaeriyama, Shunichi , Mizuno, Masayuki , Kawaura, Hisao , Hasegawa, Tsuyoshi , Terabe, Kazuya , Aono, Masakazu
    電氣學會論文誌. IEEJ Transactions on Electronics, Information and Systems. C : 電子·情報·システム v.126 no.6 ,pp. 714 - 719 , 2006 , 0385-4221 ,

    초록

    We have investigated solid-electrolyte switches that utilize electrochemical reactions (deposition and dissolution) of metallic ions. The switch turns off or on when a metallic bridge electrochemically forms or dissolves in the solid electrolyte. Each state is nonvolatile and the switching is repeatable up to 10 5 cycles. The promising application is a programmable switch in a field programmable logic because of its small size (

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  5. [해외논문]   カーボンナノチューブの抵抗評価と合成  

    Nihey, Fumiyuki , Hongo, Hiroo , Ishida, Masahiko , Hiura, Hidefumi , Ochiai, Yukinori
    電氣學會論文誌. IEEJ Transactions on Electronics, Information and Systems. C : 電子·情報·システム v.126 no.6 ,pp. 720 - 724 , 2006 , 0385-4221 ,

    초록

    We have investigated electronic transport in single-wall carbon nanotubes attached to multiple electrodes. Resistance measurement using a pair of electrodes with different gaps enabled separate evaluation of nanotube resistivity and contact resistance. We found that the resistivity depends on nanotube diameter. Electrodes with gold or palladium exhibit similar contact resistance with an order of 10kΩ. Contact resistance is insensitive to back gate voltage, contrary to the Schottky-barrier transistor model. We also demonstrated the top-down control of diameter and position of Fe catalysts by means of “lithographically anchored nanoparticle synthesis (LANS)” for nanotube growth. Chemical vapor deposition by using these patterned particles successfully produced single-wall carbon nanotubes.

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  6. [해외논문]   カーボンナノチューブの抵抗評価と合成  

    Nihey, Fumiyuki , Hongo, Hiroo , Ishida, Masahiko , Hiura, Hidefumi , Ochiai, Yukinori
    電氣學會論文誌. IEEJ Transactions on Electronics, Information and Systems. C : 電子·情報·システム v.126 no.6 ,pp. 720 - 724 , 2006 , 0385-4221 ,

    초록

    We have investigated electronic transport in single-wall carbon nanotubes attached to multiple electrodes. Resistance measurement using a pair of electrodes with different gaps enabled separate evaluation of nanotube resistivity and contact resistance. We found that the resistivity depends on nanotube diameter. Electrodes with gold or palladium exhibit similar contact resistance with an order of 10kΩ. Contact resistance is insensitive to back gate voltage, contrary to the Schottky-barrier transistor model. We also demonstrated the top-down control of diameter and position of Fe catalysts by means of “lithographically anchored nanoparticle synthesis (LANS)” for nanotube growth. Chemical vapor deposition by using these patterned particles successfully produced single-wall carbon nanotubes.

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  7. [해외논문]   極低消費電力CMOS/SOI回路技術  

    Kado, Yuichi , Douseki, Takakuni , Matsuya, Yasuyuki , Tsukahara, Tsuneo
    電氣學會論文誌. IEEJ Transactions on Electronics, Information and Systems. C : 電子·情報·システム v.126 no.6 ,pp. 725 - 729 , 2006 , 0385-4221 ,

    초록

    We have introduced an example of a system that embodies the concept of a ubiquitous communication service and explained the importance of low power consumption in the communicator that will serve as the bridge between the real world and the network for real-time services in which sensor data is acquired every second. An effective solution to the problem of high energy efficiency is to employ the synergy of combining low-voltage analog circuit technology and FD-SOI devices. Taking advantage of that synergy to reduce the power consumption of the communicator during operation to about 10 mW and employing intermittent operation with an activity rate of less than 1% would make it possible to support operation for one year or more with a commercial coin-type lithium battery.

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  8. [해외논문]   極低消費電力CMOS/SOI回路技術  

    Kado, Yuichi , Douseki, Takakuni , Matsuya, Yasuyuki , Tsukahara, Tsuneo
    電氣學會論文誌. IEEJ Transactions on Electronics, Information and Systems. C : 電子·情報·システム v.126 no.6 ,pp. 725 - 729 , 2006 , 0385-4221 ,

    초록

    We have introduced an example of a system that embodies the concept of a ubiquitous communication service and explained the importance of low power consumption in the communicator that will serve as the bridge between the real world and the network for real-time services in which sensor data is acquired every second. An effective solution to the problem of high energy efficiency is to employ the synergy of combining low-voltage analog circuit technology and FD-SOI devices. Taking advantage of that synergy to reduce the power consumption of the communicator during operation to about 10 mW and employing intermittent operation with an activity rate of less than 1% would make it possible to support operation for one year or more with a commercial coin-type lithium battery.

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  9. [해외논문]   微細加工技術による細胞電気生理計測デバイスの開発  

    Akagi, Takanori , Minamino, Atsushi , Ichiki, Takanori
    電氣學會論文誌. IEEJ Transactions on Electronics, Information and Systems. C : 電子·情報·システム v.126 no.6 ,pp. 730 - 735 , 2006 , 0385-4221 ,

    초록

    Electrical characteristics of biological cells are important indices for obtaining information about the state and function of a cell. In this paper, we report the development of microdevices for physioelectirical measurement of cells by applying nano/microfabrication technologies. These devices enable the highly precise measurement of cell membrane potential and zeta potential of individual cells in a minimally invasive manner. Such a fusion of the microdevice technologies and biotechnologies is expected to provide powerful diagnostic tools for future cell study and cell therapy.

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  10. [해외논문]   微細加工技術による細胞電気生理計測デバイスの開発  

    Akagi, Takanori , Minamino, Atsushi , Ichiki, Takanori
    電氣學會論文誌. IEEJ Transactions on Electronics, Information and Systems. C : 電子·情報·システム v.126 no.6 ,pp. 730 - 735 , 2006 , 0385-4221 ,

    초록

    Electrical characteristics of biological cells are important indices for obtaining information about the state and function of a cell. In this paper, we report the development of microdevices for physioelectirical measurement of cells by applying nano/microfabrication technologies. These devices enable the highly precise measurement of cell membrane potential and zeta potential of individual cells in a minimally invasive manner. Such a fusion of the microdevice technologies and biotechnologies is expected to provide powerful diagnostic tools for future cell study and cell therapy.

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