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電子工學會論文誌. Jounnal of the Korea institute of telema... 13건

  1. [국내논문]   SDB 웨이퍼를 사용한 쇼트키아이오드의 제작 및 특성  

    강병로 (아주대학교 전자공학과 ) , 윤석남 (아주대학교 전자공학과 ) , 최영호 (대우전자부품 Hybrid IC팀 ) , 최연익 (아주대학교 전자공학과)
    電子工學會論文誌. Jounnal of the Korea institute of telematics and electronics. A. A v.31A no.1 ,pp. 71 - 76 , 1994 , 1016-135x ,

    초록

    Schottky diodes have been fabricated using the SDB wafer, and their characteristics have been investigated. For comparison, conventional planar and etched most structure were made on the same substrate. The ideality factor and barrier height of the fabricated devices are found to be 1.03 and 0.77eV, respectively. Breakdown volttge of the etched mesa Schottky diode has been increased to 180V. whereas it is 90V for the planar diode. Schottky diode with an etched mesa exhibits twice improvement in breaktown voltage.

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  2. [국내논문]   구간 그래프를 이용한 스케쥴링 알고리듬  

    김기현 (한양대학교 CAD 및 통신 회로 연구실 ) , 정정화 (한양대학교 CAD 및 통신 회로 연구실)
    電子工學會論文誌. Jounnal of the Korea institute of telematics and electronics. A. A v.31A no.1 ,pp. 84 - 92 , 1994 , 1016-135x ,

    초록

    In this paper, we present a novel scheduling algorithm using the weighted interval graph. An interval graph is constructed, where an interval is a time frame of each operation. And for each operation type, we look for the maximum clique of the interval graph: the number of nodes of the maximum clique represents the number of operation that are executed concurrently. In order to minimize resource cost. we select the operation type to reduce the number of nodes of a maximum clique. For the selected operation type, an operation selected by selection rule is moved to decrease the number of nodes of a maximum clique. A selected operation among unscheduled operations is moved repeatly and assigned to a control step consequently. The proposed algorithm is applied to the pipeline and the nonpipeline data path synthesis. The experiment for examples shows the efficiency of the proposed scheduling algorithm.

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  3. [국내논문]   회로 레벨의 신뢰성 시뮬레이션 및 그 응용  

    천병식 (삼성전자 반도체부문 제품개발센타 CAE그룹 ) , 최창훈 (삼성전자 반도체부문 제품개발센타 CAE그룹 ) , 김경호 (삼성전자 반도체부문 제품개발센타 CAE그룹)
    電子工學會論文誌. Jounnal of the Korea institute of telematics and electronics. A. A v.31A no.1 ,pp. 93 - 102 , 1994 , 1016-135x ,

    초록

    This paper, presents SECRET(SEC REliability Tool), which predicts reliability problems related to the hot-carrier and electromigration effects on the submicron MOSFETs and interconnections. To simulate DC and AC lifetime for hot-carrier damaged devices, we have developed an accurate substrate current model with the geometric sensitivity, which has been verified over the wide ranges of transistor geometries. A guideline can be provided to design hot-carrier resistant circuits by the analysis of HOREL(HOT-carrier RFsistant Logic) effect, and circuit degradation with respect to physical parameter degradation such as the threshold voltage and the mobility can also be expected. In SECRET, DC and AC MTTF values of metal lines are calculated based on lossy transmission line analysis, and parasitic resistances, inductances and capacitances of metal lines are accurately considered when they operate in the condition of high speed. Also, circuit-level reliability simulation can be applied to the determination of metal line width and-that of optimal capacitor size in substrate bias generation circuit. Experimental results obtained from the several real circuits show that SECERT is very useful to estimate and analyze reliability problems.

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