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韓國電磁波學會論文誌 = The journal of Korean Institute of El... 15건

  1. [국내논문]   GaAs PIN Diode를 이용한 MMIC 리미터 설계 및 제작   피인용횟수: 1

    정명득 (국방과학연구소 ) , 강현일 (웨이브아이시스)
    韓國電磁波學會論文誌 = The journal of Korean Institute of Electromagnetic Engineering and Science v.14 no.6 = no.73 ,pp. 625 - 629 , 2003 , 1226-3133 ,

    초록

    GaAs PIN 다이오드를 이용하여 저손실 고출력 MMIC 리미터를 설계하고 제작하였다. 고전력 수용 능력을 증가시키기 위하여 새로운 GaAs PIN 다이오드 에피구조를 제안하였다. 2종류의 리미터 회로를 설계하고 그리미팅 전력을 측정하였다. 측정결과에서 리미팅 전력은 설계회로 토폴로지에 따라 달라졌다. 제작된 2단 리미터의 리미팅 전력은 14 ㎓에서 각각 17 ㏈m과 23 ㏈m으로 측정되었다.

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  2. [국내논문]   WCDMA 시스템에서 주파수 오차에 의한 단말기 성능 영향에 대한 연구  

    이일규 (한국전자통신연구원 ) , 이동한 (한국전자통신연구원 ) , 송명선 (한국전자통신연구원 ) , 오승엽 (충남대학교 전자공학과)
    韓國電磁波學會論文誌 = The journal of Korean Institute of Electromagnetic Engineering and Science v.14 no.6 = no.73 ,pp. 630 - 637 , 2003 , 1226-3133 ,

    초록

    WCDMA 시스템에서 주파수 오차에 의한 단말기 성능 영향을 분석하기 위해 기지국과 이동 단말기 사이의 주파수 오차 발생 원인을 고찰한 후 단말기 수신부에서 주파수 오차를 정정하기 위한 자동 주파수 오차 보상방법을 소개하였다. 시스템 요구 규격 중 자동 주파수 오차 보상 동작에 관련된 성능요구 조건들을 바탕으로 여 기지국과 단말기간 연동시험을 수행하였고 주파수 오차보상 후 단말기 송신 주파수에서 4 Hz의 주파수 차를 얻음으로써 시스템에서 요구하는 주파수 오차 허용량인 $\pm$ 0.1 ppm( $\pm$ 200 Hz)이내의 규격을 만족함을 보였다. 주파수 오차에 의한 송신성능 열화를 에러벡터 크기(EVM) 값으로 확인하였으며 또한 수신 성능 열화를 Ec/Io로 측정하였고, 주파수 오차조정의 정확성을 개선시키기 위한 모뎀 제어신호와 RF 간 인터페이스 관계를 제시하였다.

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  3. [국내논문]   리액턴스의 변화를 이용한 정삼각형 마이크로스트립 패치 안테나의 대역폭 개선  

    이원희 (LG전자(주) DA연구소 ) , 이재욱 (삼성전자(주) ) , 전승길 (건국대학교 전자.정보통신공학과 ) , 최홍주 (건국대학교 전자.정보통신공학과 ) , 허정 (건국대학교 전자.정보통신공학과)
    韓國電磁波學會論文誌 = The journal of Korean Institute of Electromagnetic Engineering and Science v.14 no.6 = no.73 ,pp. 638 - 647 , 2003 , 1226-3133 ,

    초록

    삼각형 패치 안테나에 대해 이론적인 방법과 실험을 통해 연구하였다. 삼각형 패치 안테나는 사각형 패치 안테나와 비슷한 복사 특성을 갖으나, 그 크기를 더 줄일 수 있다. 본 논문에서는 정삼각형 마이크로스트립 패치 안테나를 공동 모델을 사용하여 해석하고, 설계 하였다. 또한 대역폭 향상을 위해 커패시티브 갭과 공기층 갭을 이용하였다. 커패시티브 갭은 패치의 급전점 부근에서 사각형 모양으로 만들었고, 공기층 갭은 유전체 기판과 그라운드 사이에 삽입하여 프로브 인덕턴스를 조정하였다. 안테나 각 부분의 효과와 특성 해석을 위해 상업용 시뮬레이션 툴인 Ensemble 5.0을 사용하였다. 시뮬레이션과 실험을 통하여 삼각형 마이크로스트립 안테나의 대역폭 개선의 가능성을 발견하였다.

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  4. [국내논문]   게이트 절연막에 의한 다이아몬드 MIS (Metal-Insulator-Semiconductor) 계면의 전기적 특성 개선과 전계효과 트랜지스터에의 응용  

    윤영 (마쯔시따전기 반도체 디바이스연구센터)
    韓國電磁波學會論文誌 = The journal of Korean Institute of Electromagnetic Engineering and Science v.14 no.6 = no.73 ,pp. 648 - 654 , 2003 , 1226-3133 ,

    초록

    본 논문에서는 비 산화물인 불소화합물 게이트절면막을 이용하여 박막반도체 다이아몬드 MS계면(Metal-Insulator-Semiconductor Interface)의 전기적 안정화를 실현하였다. 특히 산소 게터링 효과(Oxygen-Gettering Effect)에 의한 표면준위 억제를 통해, 박막반도체 다이아몬드 MIS계면에 있어서 최적의 전기적 특성을 부여하는 BiF2 게이트절연막을 개발하였다. 본 논문의 결과에 의하면, BaF $_2$ 게이트 절연막을 이용하여 제작한 A1/BaF2/diamond MIS 다이오드와 MISFET(Metal-Insulator-Semiconductor Field Effect Transistor)로부터 저농도의 ~10101/ $\textrm{cm}^2$ eV의 표면준위밀도가 관측되었고, 그리고 이제까지 발표된 다이아몬드 박막반도_체 FET중 최고치인 400 $\textrm{cm}^2$ /Vs의 유효이동도가 관찰되었다.

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  5. [국내논문]   비소멸 모드 해석을 이용한 유전체 삽입 원통형 공동 공진기 하이브리드 공진 모드 구분  

    이원희 (LG전자(주) 디지털 어프라이언스 연구소 ) , 허정 (건국대학교 전자정보통신공학과)
    韓國電磁波學會論文誌 = The journal of Korean Institute of Electromagnetic Engineering and Science v.14 no.6 = no.73 ,pp. 655 - 662 , 2003 , 1226-3133 ,

    초록

    유전체 봉이 삽입된 원통형 공진기의 정밀한 필드 해석이 비소멸 모드와 컨투어 그래프 방법에 의해 제안되었다. 공진주파수들과 저차 모드들이 유전체 봉이 삽입된 원통형 공진기에 대해 계산되었다. 공진기의 설계를 위해 모드 차트가 제안되었다. 비소멸 모드 해석을 사용하여 하이브리드 모드들(TE, TM, HEM 모드)이 상세하게 해석되었고, 모드 차트를 완성하였다. 이론적 타당성은 실험에 의해 확인하였다. 이론과 실험 결과는 전반적으로 만족하였다. TE 모드, TM 모드, HEM 모드의 실험값과 이론값의 평균 오차는 각각 0.20 %, 0.14 %, 0.28 %이다.

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