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산소 원자 중성빔 보조 증착법에 의해 개선된 게이트 절연막을 가진 산화아연 박막 트랜지스터의 제작 및 특성 평가
Fabrication and characterization of ZnO thin film transistor with a gate insulator improved by oxygen atom neutral deam assisted deposition(NBAD)

  • 사업명

    일반연구자지원

  • 과제명

    산소 원자 중성빔 보조 증착법에 의해 개선된 게이트 절연막을 가진 산화아연 박막 트랜지스터의 제작 및 특성 평가

  • 주관연구기관

    경원대학교
    KyungWon University

  • 연구책임자

    조의식

  • 보고서유형

    최종보고서

  • 발행국가

    대한민국

  • 언어

    한국어

  • 발행년월

    2010-07

  • 과제시작년도

    2009

  • 주관부처

    교육과학기술부

  • 사업 관리 기관

    한국연구재단

  • 등록번호

    TRKO201000012478

  • 과제고유번호

    1345105739

  • 키워드

    산화알루미늄.전자빔 증착.중성빔보조증착.식각 및 추가 증착.개선된 누설전류.높은 유전상수.산화아연.산화아연 박막트랜지스터.온-오프비.aluminum oxide(Al2O3).e-beam evaporation.neutral beam assisted deposition(NBAD.etch.additional deposition.low leakage current.high dielectric constant.zinc oxide(ZnO).ZnO thin-film transistor(ZnO TFT).on-off ratio.

  • DB 구축일자

    2013-04-18

  • 초록 


    For the improvement of the electrical characteristics of zinc oxide thin film transistor(ZnO TFT), developed as an active matrix ...

    For the improvement of the electrical characteristics of zinc oxide thin film transistor(ZnO TFT), developed as an active matrix device of flat panel display(FPD), oxygen atom neutral beam assisted deposition(NBAD) is applied to the deposition of alumina oxide($_{Al}2_{O}3$) as a gate insulator in the fabrication of ZnO TFT. Oxygen atom NBAD is expected to make the amorphous AlOx layer to be crystallized without high temperature process and the structure of NBAD AlOx is inspected and analyzed. Finally, the fabricated ZnO TFT is expected to have a lower gate leakage current and higher breakdown electric field in a temperature lower than 150 ℃ on glass substrate


    본 연구는 차세대 평판 디스플레이의 능동형 매트릭스 구동소자로서 많이 연구되고 있는 산화 아연 박막 트랜지스터(ZnO TFT)의 전기적 특성 향상을 위하여, 게이트 절연막으로 사용되는 산화 알루미늄($_{Al}2_{O}3$...

    본 연구는 차세대 평판 디스플레이의 능동형 매트릭스 구동소자로서 많이 연구되고 있는 산화 아연 박막 트랜지스터(ZnO TFT)의 전기적 특성 향상을 위하여, 게이트 절연막으로 사용되는 산화 알루미늄($_{Al}2_{O}3$) 박막을 산소 중성 빔 보조 증착법(NBAD)을 이용하여 증착, 유리 및 플렉서블 기판상에 저온 공정으로 제작된 TFT 동작시 누설 전류값을 최소화 시키는 것을 목표로 한다. 또한 $_{Al}2_{O}3$ 증착 중 산소 NBAD 적용시 비정질 상태의 $_{Al}2_{O}3$ 결정 상태가 어떻게 변하는지 기본 메커니즘에 대한 분석을 수행, 궁극적으로 얇은 박막 상태를 유지하면서 낮은 누설 전류값과 높은 파괴 전기장(breakdown field)을 가지는 게이트 절연막을 구현, 산화물 TFT 의 차세대 디스플레이에의 실제 적용에 기여한다.


  • 목차(Contents) 

    1. 표지 ...1
    2. 목차 ...3
    3. I. 연구 계획 요약문 ...4
    4. 1. 국문 요약문 ...4
    5. II. 연구 결과 요약문 ...5
    6. 1. 국문 요약문 ...5
    7. 2. 영문 요약문 ...6
    8. III. 연구 내용 ...7
    9. 1. 연구개발과제의 개요 ...7...
    1. 표지 ...1
    2. 목차 ...3
    3. I. 연구 계획 요약문 ...4
    4. 1. 국문 요약문 ...4
    5. II. 연구 결과 요약문 ...5
    6. 1. 국문 요약문 ...5
    7. 2. 영문 요약문 ...6
    8. III. 연구 내용 ...7
    9. 1. 연구개발과제의 개요 ...7
    10. 1-1. 산화물 박막 트랜지스터의 필요성 ...7
    11. 1-2. 연구개발의 필요성 ...8
    12. 1-3. 본 연구의 목표 및 범위 ...8
    13. 2. 국내외 기술개발 현황 ...11
    14. 2-1. 국내외 기술개발 현황 ...11
    15. 2-2. 본 연구결과가 국내외 연구개발과제에서 제시하는 관점 ...11
    16. 3. 연구수행 내용 및 결과 ...12
    17. 3-1. 초기 Al2O3박막 공정 test 실험 ...12
    18. 3-2. ALD를 이용한 ZnO 박막 증착 및 특성(유리 기판) ...30
    19. 3-3. 유리기판상에 산화물 TFT의 제작 및 특성 평가 ...36
    20. 3-4. Al2O3박막에 산소 원자 추가가 미치는 영향에 대한 mechanism연구 ...40
    21. 4. 목표 달성도 및 관련 분야에의 기여도 ...42
    22. 4-1. 연구개발목표의 달성도 ...42
    23. 4-2. 관련 연구분야에의 기여도 ...42
    24. 5. 연구결과의 활용계획 ...44
    25. 5-1. 추가 연구의 필요성 및 타 연구에의 응용 방안 ...44
    26. 6. 연구과정에서 수집한 해외과학기술정보 ...45
    27. 7. 주관연구책임자 대표적 연구 실적 ...47
    28. 8.참고 문헌 ...48
    29. 9. 연구 성과 ...49
    30. 10. 기타사항 ...54
    31. 10-1. 중요 연구 변경 사항 ...54
    32. 별첨1 ...56
  • 참고문헌

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