본문 바로가기
HOME> 보고서 > 보고서 검색상세

보고서 상세정보

PVD법에 의한 고온초전도 Coated Conductor 개발
Coated conductor development using PVD

  • 사업명

    21C프론티어연구개발사업

  • 과제명

    PVD 법에 의한 고온초전도 coated conductor개발

  • 주관연구기관

    한국전기연구원
    Korea Electrotechnology Research Institute

  • 연구책임자

    박찬

  • 참여연구자

    송규정   고락길   하홍수   김호섭   김석환   손명환  

  • 보고서유형

    1단계보고서

  • 발행국가

    대한민국

  • 언어

    한국어

  • 발행년월

    2004-07

  • 과제시작년도

    2003

  • 주관부처

    과학기술부

  • 사업 관리 기관

    한국과학재단
    Korea Science and Engineering Foundtion

  • 등록번호

    TRKO201000012614

  • 과제고유번호

    1350009589

  • 키워드

    고온초전도선재.박막형 선재.다층 산화물 박막 증착.물리적 박막증착.2축배향 집합조직.coated conductor.HTS wire.multi-layer oxide film deposition.physical vapor deposition.bi-axial texture.

  • DB 구축일자

    2013-04-18

  • 초록 


    design and fabrication of the thin film deposition system (pulsed laser deposition, sputtering, evaporation) capable of continuou...

    design and fabrication of the thin film deposition system (pulsed laser deposition, sputtering, evaporation) capable of continuous substrate tape moving system (reel-to-reel system) for continuous deposition of multi-layer oxide thin films on metal tape
    fabrication of several meters long multi-layer oxide buffer architecture (CeO2/YSZ/CeO2, CeO2/YSZ/Y2O3) for coated conductor using continuous film deposition system
    fabrication of coated conductor using continuous film deposition system (pulsed laser deposition)
    - Ic = 26A/cm, Jc = 0.7 MA/㎠, 1.1m CC
    - Ic = 41A/cm, Jc = 1.2 MA/㎠, 0.5m CC
    fabrication of coated conductor using batch-type co-evaporation
    - Ic = 97A/cm, Jc = 0.6 MA/㎠, 4m CC
    development of single layer biffer architecture for coated conductor
    - YBCO/SrTiO3/metal, Jc = 1.2 MA/㎠ CC
    - YBCO/Y2O3/metal, Jc = 1.1 MA/㎠ CC
    faster deposition speed of YBCO film while maintaining the quality of the film - fabrication of CC of Ic = 178A/cm, Jc = 1.5 MA/㎠ with deposition speed of 100A/sec
    fabrication of CC using ReBCO - CC with structure of NdBCO/CeO2/IBAD-YSZ/SUS with Jc = 1.8 MA/㎠, Ic = 45 A/cm (with the group of Seoul National University)
    Development of new buffer materials with MgO, BaO, LaMnO3, (La,Sr)CoO3
    fabrication of CC using replication method with BaO/STO


    장선의 금속 테입위에 연속으로 박막을 증착할 수 있는 pulsed laser deposition, sputtering, evaporation 장비 및 연속금속기판이동장치 설계 및 제작
    연속박막증착 장비를 이용하여 수 미터 이상...

    장선의 금속 테입위에 연속으로 박막을 증착할 수 있는 pulsed laser deposition, sputtering, evaporation 장비 및 연속금속기판이동장치 설계 및 제작
    연속박막증착 장비를 이용하여 수 미터 이상 길이의 다층 완충층 (CeO2/YSZ/CeO2, CeO2/YSZ/Y2O3) 제조
    연속박막증착공정(pulsed laser depsitio)이용 coated conductor 제조
    - Jc = 26A/cm, Jc = 0.7 MA/㎠의 1.1m 길이 CC 제조
    - Ic = 41A/cm, Jc = 1.2 MA/㎠의 0.5m 길이 CC 제조
    batch-type co-evaporation 이용 CC 제조
    - Ic = 97A/cm, Jc = 0.6 MA/㎠의 4m 길이 CC 제조 (co-evaporation)
    CC용 단일 완충층 개발
    - SrTiO3 단일완충층 이용 Jc = 1.2 MA/㎠ 의 CC 제조
    - Y2O3 단일완충층 이용 Jc = 1.1 MA/㎠ 의 CC 제조
    - YSZ, MgO 단일 완충층 제조 연구
    초전도층 증착속도 향상연구 - 초전도층 증착속도 100A/sec 로 Ic = 178A/cm, Jc = 1.5 MA/㎠ CC 제조
    ReBCO 이용 CC제조 - NdBCO/CeO2/IBAD-YSZ/SUS의 구조를 가지는 Ic = 45 A/cm, Jc = 1.8 MA/㎠ CC 제조 (서울대학교 그룹과 공동연구)
    MgO, BaO, LaMnO3, (La,Sr)CoO3 등의 산화물 박막을 이용한 완충층 개발 연구
    BaO/STO를 이용한 복제방법에 의한 CC제조 기술 개발


  • 목차(Contents) 

    1. 표지...1
    2. 제출문...3
    3. 보고서초록 ...4
    4. 요약문 ...5
    5. SUMMARY ...8
    6. CONTENTS ...11
    7. 목차 ...13
    8. 제1장 연구개발과제의 개요 ...15
    9. 제1절 연구개발의 목적 ...15
    10. 제2절 연구개발의 필요성 ...
    1. 표지...1
    2. 제출문...3
    3. 보고서초록 ...4
    4. 요약문 ...5
    5. SUMMARY ...8
    6. CONTENTS ...11
    7. 목차 ...13
    8. 제1장 연구개발과제의 개요 ...15
    9. 제1절 연구개발의 목적 ...15
    10. 제2절 연구개발의 필요성 ...16
    11. 제3절 연구개발의 범위 ...19
    12. 제2장 국내외 기술개발 현황 ...22
    13. 제1절 국내외 기술개발현황 ...22
    14. 제2절 국내외 기술개발현황에서 차지하는 위치 ...43
    15. 제3장 연구개발수행 내용 및 결과 ...45
    16. 제1절 Coated conductor 제조 장비 구축 ...45
    17. 1. PLD 장비 ...45
    18. 2. evaporation & sputter 장비 ...58
    19. 3. 연속 공정 sputter 장비 ...59
    20. 4. 연속 공정 후열처리 로 ...61
    21. 5. 연속 금속 테이프 세척 장비 ...62
    22. 제2절 특성 분석 장비 구축 ...63
    23. 1. 2세대 고온초전도 Coated Conductor의 Ic 및 Tc 특성평가 장비구축 ...63
    24. 제3절 완충층 제조 기술 ...73
    25. 1. 다층 완충층 제조 기술 ...73
    26. 2. 단일완충층 제조기술 ...94
    27. 3. RABiTS나 IBAD 기판에 적용 가능한 산화물 완층막의 개발 및 물성 분석 ...104
    28. 제4절 PLD법에 의한 초전도 박막 제조 기술 ...107
    29. 1. 정지 상태에서 PLD 방법에 의한 CC 제조 ...107
    30. 2. 연속 공정 PLD 방법에 의한 CC 제조 ...110
    31. 제5절 BaO/STO를 사용한 replication 방식의 CC 제조 기술 ...118
    32. 제6절 ReBCO 박막 증착 기술 ...121
    33. 제7절 고속 박막 증착 기술 ...128
    34. 제8절 고성능 PVD용 타겟 제조기술 ...129
    35. 제9절 Basic research on the mechanisms of IBAD Bi-axial texturing(stanford Univ.) ...130
    36. 제4장 목표달성도 및 관련분야에의 기여도 ...134
    37. 제1절 연도별 연구개발 목표 ...134
    38. 제2절 연도별 평가착안점 ...140
    39. 제3절 연도별 연구개발목표의 달성도 ...144
    40. 제4절 목표달성도에 대한 자체평가 ...150
    41. 제5절 관련분야의 기술발전에의 기여도 ...156
    42. 제5장 연구개발결과의 활용계획 ...157
    43. 제1절 추가연구의 필요성 ...157
    44. 제2절 타 연구에의 응용 ...158
    45. 제3절 기업화 추진방안 ...159
    46. 제6장 연구개발과정에서 수집한 해외과학기술정보 ...161
    47. 제1절 1차년도 정보 수집 내용 ...161
    48. 제2절 2차년도 정보수집 내용 ...168
    49. 제3절 3차년도 정보수집 내용 ...173
    50. 제7장 참고문헌 ...180
  • 참고문헌

    1. 전체(0)
    2. 논문(0)
    3. 특허(0)
    4. 보고서(0)

 활용도 분석

  • 상세보기

    amChart 영역
  • 원문보기

    amChart 영역