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보고서 상세정보

전자소자용 반도성 그래핀 에피성장 및 실시간 관찰
Heteroepitaxy and in-situ monitoring of semiconducting graphene for electronics applications

  • 사업명

    일반연구자지원

  • 과제명

    전자소자용 반도성 그래핀 에피성장 및 실시간 관찰

  • 주관연구기관

    울산과학기술대학교 산학협력단

  • 연구책임자

    권순용

  • 보고서유형

    최종보고서

  • 발행국가

    대한민국

  • 언어

    한국어

  • 발행년월

    2010-04

  • 과제시작년도

    2009

  • 주관부처

    교육과학기술부

  • 사업 관리 기관

    한국연구재단

  • 등록번호

    TRKO201000012842

  • 과제고유번호

    1345105199

  • 키워드

    그래핀.에피택시.반도성.전자소자.초고진공화학기상증착법(UHV-CVD).변온탐침주사터널링현미경(VT-STM).Graphene.Epitaxy.Growth Mechanism.Electronic Device.Ultra-High Vacuum Chemical Vapor Deposition (UHV-CVD).Variable-Temperature Scanning Tunneling Microscopy (VT-STM).

  • DB 구축일자

    2013-04-18

  • 초록 


    The objective of this project is to develop process methodologies for large-scale synthesis of identical, controllable, high-qual...

    The objective of this project is to develop process methodologies for large-scale synthesis of identical, controllable, high-quality graphene films on metal and semiconducting substrates by ultra-high vacuum chemical vapor deposition (UHV-CVD) and to obtain in-situ controllability of graphene epitaxy by variable-temperature scanning tunneling microscopy (VT-STM).
    The specific research proposed in this application attempts to achieve the followings: 1) determine the effect of growth parameters on the growth behavior of graphene films by UHV-CVD and obtain the epitaxy conditions for large area, high quality graphene films. 2) use VT-STM to directly observe the nucleation and growth of graphene on metal and semiconducting substrates as a means to develop a fundamental understanding of the underlying mechanisms.


    본 연구개발의 최종목표는 전자소자용 고품위 그래핀 에피성장 기술의 확립이며, 이를 위하여 초고진공화학기상증착법(UHV-CVD) 및 변온탐침주사터널링현미경(VT-STM)을 이용한 금속 및 반도체 기판에서의 성장변수에 따른 대형화 그래...

    본 연구개발의 최종목표는 전자소자용 고품위 그래핀 에피성장 기술의 확립이며, 이를 위하여 초고진공화학기상증착법(UHV-CVD) 및 변온탐침주사터널링현미경(VT-STM)을 이용한 금속 및 반도체 기판에서의 성장변수에 따른 대형화 그래핀 성장조건의 확립 및 그래핀 성장 실시간 관찰을 통한 성장제어 기술을 확보하는 것이 핵심내용이다.
    이러한 최종목표를 이루기 위해 본 연구에서는 다음의 세부사항에 관한 연구를 수행하였다. 1) UHV-CVD을 이용한 그래핀 에피택시 조건 확립 및 고품위 그래핀 제조를 위한 그래핀 초기 핵생성에 관한 연구, 2) VT-STM을 이용한 반도체 기판에서의 대면적 그래핀 에피층의 핵생성 및 성장의 실시간 관찰을 통한 성장제어기술 확보


  • 목차(Contents) 

    1. 일반연구자지원사업 최종보고서(초안) ...1
    2. 목차 ...3
    3. Ⅰ. 연구 계획 요약문 ...4
    4. 1. 국문 요약문 ...4
    5. Ⅱ. 연구 결과 요약문 ...5
    6. 1. 국문 요약문 ...5
    7. 2. SUMMARY ...6
    8. Ⅲ. 연구 내용 및 결과...7...
    1. 일반연구자지원사업 최종보고서(초안) ...1
    2. 목차 ...3
    3. Ⅰ. 연구 계획 요약문 ...4
    4. 1. 국문 요약문 ...4
    5. Ⅱ. 연구 결과 요약문 ...5
    6. 1. 국문 요약문 ...5
    7. 2. SUMMARY ...6
    8. Ⅲ. 연구 내용 및 결과...7
    9. 1. 연구 개발 과제의 개요 ...7
    10. 2. 국내.외 기술 개발 현황 ...10
    11. 3. 연구 수행 내용 및 결과 ...11
    12. 4. 목표 달성도 및 관련 분야에의 기여도 ...31
    13. 5. 연구 결과의 활용 계획 ...33
    14. 6. 연구 과정에서 수집한 해외 과학기술 정보 ...36
    15. 7. 주관연구책임자 대표적 연구 실적 ...37
    16. 8. 참고 문헌 ...38
    17. 9. 연구 성과 ...40
    18. 10. 기타 사항...41
    19. 별첨1...42
  • 참고문헌

    1. 전체(0)
    2. 논문(0)
    3. 특허(0)
    4. 보고서(0)

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