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전자빔을 이용한 고기능성 나노전자소자의 형성 및 제어 연구
Systematic Fabrication and Control of High-Performance Nanoelectronic Using Electron Bean Irradiation

  • 사업명

    원자력연구기반확충사업

  • 과제명

    전자빔을 이용한 고기능성 나노전자소자의 형성 및 제어 연구

  • 주관연구기관

    홍익대학교
    Hongik University

  • 연구책임자

    황진하

  • 참여연구자

    김정은   이종원   형은희  

  • 보고서유형

    최종보고서

  • 발행국가

    대한민국

  • 언어

    한국어

  • 발행년월

    2010-06

  • 과제시작년도

    2009

  • 주관부처

    교육과학기술부

  • 사업 관리 기관

    한국연구재단

  • 등록번호

    TRKO201000013191

  • 과제고유번호

    1345099119

  • 키워드

    전자빔.나노박막.고유전율 소재.나노전자소자.전기적 특성.고유전률 박막.Electron Beam.Nano Thin Films.High-k Materials.Nano-Electronic Devices.Electrical Properties.High-Permittivity Thin Films.

  • DB 구축일자

    2013-04-18

  • 초록 


    The current research aims to developing simplified fabrication of nano-floating gate memory using electron beam irradiation. The ...

    The current research aims to developing simplified fabrication of nano-floating gate memory using electron beam irradiation. The main strategy is to combined the nanoscale high-k dielectrics with highly-accelerated electron beams, unlike the conventional approach involving the multilayered nanolaminates of two dissimilar materials. This work tested a variety of high-k dielectric layers such as $Al_2O_3$, $ZrO_2$, and $HfO_2$. Among those candidates, the $Al_2O_3$ thin films exhibited highly superior memory characteristics
    compare to the preexisting nano-floating gate memories where charge-trapped components are incorporated into the robust high-k dielectrics. The optimized $Al_2O_3$ thin films exhibit long-lasting retention features: the programming information is maintained approximately to 75% compared to the initial setting value and the erasing information does not change with respect to time. Furthermore, the irradiated $Al_2O_3$ thin films exhibits the highest trap density of $7\times10^{12}$ traps/$cm^2$. Such outstanding device performances can be applied to the fabrication steps required of nano-floating gate memories. The significance of simplified electron irradiation can enhance the productivity of NFGMs, leading to technology-competitiveness. Furthermore, upon confirming the effectiveness of electron irradiation in thin film transistors, the meaning and value of electron irradiation will be maximized leading to the establishment of nano-floating gate memories in the 21th Korean economic field.


    $\bigcirc$ Metal-Insulator-Semiconductor구조의 나노 박막 평가 체계의 응용. 구체적으로
    Capacitance-Voltage Measurement를 통한 비휘발성 메모리 특성의...

    $\bigcirc$ Metal-Insulator-Semiconductor구조의 나노 박막 평가 체계의 응용. 구체적으로
    Capacitance-Voltage Measurement를 통한 비휘발성 메모리 특성의 존재 유무를 평가함.
    $\bigcirc$ 비휘발성 메모리 특성이 확인된 시료에 대한 Retention특성을 측정함
    $\bigcirc$ 고유전율 나노박막을 통한 전자빔 조사와 비휘발성 메모리 특성을 확인하여 연구 대상 물질 후보군 선정
    $\bigcirc$ 메모리 특성이 확인된 나노박막소자에 대한 Retention측정을 통한 응용 가능성을 확인함.
    $\bigcirc$ 비휘발성 메모리의 비휘발성 메모리 작동 메커니즘에 대해 이해하고자 함.


  • 목차(Contents) 

    1. 표지...1
    2. 제출문...3
    3. 보고서 요약서...4
    4. 요약문...5
    5. Summary...6
    6. 목차...8
    7. 제1장 연구개발과제의 개요...9
    8. 가. 연구개발대상 기술의 경제적ㆍ산업적 중요성 및 연구개발의 필요성...9
    9. 제2장 국내외 기술개발 현황...12...
    1. 표지...1
    2. 제출문...3
    3. 보고서 요약서...4
    4. 요약문...5
    5. Summary...6
    6. 목차...8
    7. 제1장 연구개발과제의 개요...9
    8. 가. 연구개발대상 기술의 경제적ㆍ산업적 중요성 및 연구개발의 필요성...9
    9. 제2장 국내외 기술개발 현황...12
    10. ■ 국외 현황...12
    11. ■ 국내 현황...12
    12. ■ 관련 연구의 응용 가능성...13
    13. 제3장 연구개발수행 내용 및 결과...15
    14. 가. 최종 목표...15
    15. 나. 당해 단계목표 및 달성도...16
    16. 다. 세부연구목표별 주요연구내용 및 결과...17
    17. 제4장 목표달성도 및 관련분야에의 기여도 ...24
    18. 가. 당해 단계목표 및 달성...24
    19. 나. 기여도...24
    20. 제5장 연구개발결과의 활용계획...26
    21. 가. 연구개발결과의 활용방안...26
    22. 제6장 연구개발과정에서 수집한 해외과학기술정보...27
    23. 제7장 참고문헌...28
  • 참고문헌

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