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In(Sb, As)/AlGa(Sb, As) 나노구조의 staggered (Type II) 밴드갭 정렬에 대한 물리적 특성 규명 및 소자응용 연구
Studies of physical properties and device applications of In(Sb, As)/AlGa(Sb, As) nanostructures with the staggered band gap line-up

  • 사업명

    특정기초연구지원사업

  • 과제명

    In(Sb, As)/AlGa(Sb, As) 나노구조의 staggered (Type II) 밴드갭 정렬에 대한 물리적 특성 규명 및 소자응용 연구

  • 주관연구기관

    충남대학교
    Chungnam National University

  • 연구책임자

    김문덕

  • 보고서유형

    최종보고서

  • 발행국가

    대한민국

  • 언어

    한국어

  • 발행년월

    2009-04

  • 과제시작년도

    2007

  • 주관부처

    과학기술부

  • 사업 관리 기관

    한국과학재단
    Korea Science and Engineering Foundtion

  • 등록번호

    TRKO201000013273

  • 과제고유번호

    1355049874

  • 키워드

    이종접합.준안정 완충층.고속소자.양자점.실리콘.InAs 채널.III-Sb.Type II.QWFET.Heterostructure.metamorphic buffer.HEMT.Quantum dot.Si.InAs Channel.

  • DB 구축일자

    2013-04-18

  • 초록 


    We aim to get device structures with a lattice constant of around 6.1 Å. For this purpose, we include Sb-containing layers using ...

    We aim to get device structures with a lattice constant of around 6.1 Å. For this purpose, we include Sb-containing layers using AlSb quantum dots buffer on Si substrate, such as AlGa(Sb, As) barrier layers usually used in In(Sb, As)-channel FETs. We investigate the conduction and valence band offsets between In(Sb, As) and AlGa(Sb, As). We examine physical parameters that are responsible for electron transport and photoluminescence characteristics, and analyze individual parameters quantitatively. Using the information, we aim to get high performance quantum well field effect transistors (QWFET).


    Si 기판위에 6.1 Å격자상수를 갖는 양자점 metamorphic 완충층을 이용 양질의 In(Sb, As)/AlGa(Sb, As) 이종접합구조를 성장한다. 밴드갭 정렬(type I, type II)에 대한 물리적 특성을 전기 광학...

    Si 기판위에 6.1 Å격자상수를 갖는 양자점 metamorphic 완충층을 이용 양질의 In(Sb, As)/AlGa(Sb, As) 이종접합구조를 성장한다. 밴드갭 정렬(type I, type II)에 대한 물리적 특성을 전기 광학적 실험을 통하여 해석, 이해하고 고속소자 응용 가능성을 제시한다.
    Si 기판 위 6.1 Å 격자상수 물질계의 양자점 성장 평가 및 적층 metamorphic 완충층 연구
    In(Sb, As)/Al(Sb, As) QW구조 에서 밴드갭 라인정렬 조사
    InAs, InSb QW 구조에 대한 밴드갭 라인 정렬 및 QWFET 및 특성평가


  • 목차(Contents) 

    1. 중견연구자지원사업(핵심연구) 최종보고서 ...1
    2. <목 차> ...2
    3. I. 연구 계획 요약문 ...3
    4. 1. 국문 요약문 ...3
    5. II. 연구 결과 요약문 ...4
    6. 1. 국문 요약문 ...4
    7. 2. 영문 요약문 ...5
    8. III. 연구내용 및 결과 ...6<...
    1. 중견연구자지원사업(핵심연구) 최종보고서 ...1
    2. <목 차> ...2
    3. I. 연구 계획 요약문 ...3
    4. 1. 국문 요약문 ...3
    5. II. 연구 결과 요약문 ...4
    6. 1. 국문 요약문 ...4
    7. 2. 영문 요약문 ...5
    8. III. 연구내용 및 결과 ...6
    9. 1. 연구개발과제의 개요 ...6
    10. 2. 국내외 기술개발 현황 ...8
    11. 3. 연구수행 내용 및 결과 ...10
    12. 4. 목표달성도 및 관련 분야에의 기여도 ...43
    13. 5. 연구결과의 활용계획 ...44
    14. 6. 연구과정에서 수집한 해외과학기술정보 ...45
    15. 7. 주관연구책임자 대표적 연구실적 ...47
    16. 8. 참고 문헌 ...47
    17. 9. 연구성과 ...48
    18. 10. 기타사항 ...58
  • 참고문헌

    1. 전체(0)
    2. 논문(0)
    3. 특허(0)
    4. 보고서(0)

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