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고유전율 산화물 전하트랩층을 이용한 비휘발성 메모리의 레이저 스파이크 열처리 효과 연구
Investigation of the effect of laser spike annealing on high-k charge trapping layer based nonvolatile memory

  • 사업명

    일반연구자지원

  • 과제명

    고유전율 산화물 전하트랩층을 이용한 비휘발성 메모리의 레이저 스파이크 열처리 효과 연구

  • 주관연구기관

    경희대학교 국제캠퍼스

  • 연구책임자

    임대영

  • 보고서유형

    최종보고서

  • 발행국가

    대한민국

  • 언어

    한국어

  • 발행년월

    2010-04

  • 과제시작년도

    2009

  • 주관부처

    교육과학기술부

  • 사업 관리 기관

    한국연구재단

  • 등록번호

    TRKO201000013434

  • 과제고유번호

    1345105653

  • 키워드

    비휘발성메모리.고유전율 산화물.레이저 스파이크 열불림.열처리.반도체.도핑.laser spike annealing.high-k oxide.nonvolatile memory.thermal annealing.semiconductor.doping.

  • DB 구축일자

    2013-04-18

  • 초록 


    Since MOHOS devices rely on the oxide defects in high-k oxides as charge traps, the memory property of MOHOS devices should also ...

    Since MOHOS devices rely on the oxide defects in high-k oxides as charge traps, the memory property of MOHOS devices should also depend strongly on the thermal processing condition. For example, high-k metal-oxide-semiconductor field effect transistor (MOSFET) requires high temperature rapid thermal annealing (RTA) for optimal operation. On the other hand, it has been reported that low thermal budget laser spike annealing (LSA) can help to reduce the leakage current through the high-k MOS structure. However there has been no report until now on how thermal annealing affects the memory properties of MOHOS devices. In this paper, we report our experimental study on the effect of thermal annealing on the memory properties of MOHOS memory capacitors using $La_2O_3$ high-k oxide as a charge trapping layer.


    고유전율 산화물의 defect 를 전하트랩으로 사용하는 metal-oxide-high-k-oxide-semiconductor (MOHOS) 구조의 메모리는 산화물 defect가 열처리에 민감하게 의존하므로 그 메모리 특성 또한 열처...

    고유전율 산화물의 defect 를 전하트랩으로 사용하는 metal-oxide-high-k-oxide-semiconductor (MOHOS) 구조의 메모리는 산화물 defect가 열처리에 민감하게 의존하므로 그 메모리 특성 또한 열처리 조건에 크게 좌우된다. MOHOS 메모리의 최적 구동을 위해서는 고온의 열처리가 필요하지만 열처리는 전하트랩과 관련된 defect를 제거하므로 열처리가 메모리 특성에 미치는 영향에 대한 이해는 무엇보다 중요하다. 특히 최근 레이저 스파이크 열처리(LSA)가 high-k 산화막 층간의 혼합이나 실리케이트화, 결정화 등을 억제하면서도 high-k내에서의 defect의 밀도는 증가시키는 것으로 보고되었는데 이는 LSA를 이용하여 MOHOS구조 메모리의 특성을 향상시킬 수 있다는 것을 의미한다. 이러한 중요성에도 불구하고 지금까지 열처리가 미치는 영향에 대한 체계적인 연구는 보고되지 않았다. 이 연구에서는 La2O3 를 전하트랩층으로 이용한 MOHOS 메모리에 대해 RTA 및 LSA 가 미치는 영향에 대해 연구하였다.


  • 목차(Contents) 

    1. 일반연구자지원사업 최종보고서 ...1
    2. 목차 ...2
    3. I. 연구 계획 요약문 ...3
    4. 1. 국문 요약문 ...3
    5. II. 연구 결과 요약문 ...4
    6. 1. 국문 요약문 ...4
    7. 2. 영문 요약문 ...5
    8. III. 연구 내용 및 결과...6
    9. 1...
    1. 일반연구자지원사업 최종보고서 ...1
    2. 목차 ...2
    3. I. 연구 계획 요약문 ...3
    4. 1. 국문 요약문 ...3
    5. II. 연구 결과 요약문 ...4
    6. 1. 국문 요약문 ...4
    7. 2. 영문 요약문 ...5
    8. III. 연구 내용 및 결과...6
    9. 1. 연구개발과제의 개요 ...6
    10. 2. 국내외 기술개발 현황 ...8
    11. 3. 연구수행 내용 및 결과 ...9
    12. 4. 목표 달성도 및 관련 분야에의 기여도 ...14
    13. 5. 연구결과의 활용계획 ...14
    14. 6. 연구과정에서 수집한 해외과학기술정보 ...15
    15. 7. 주관연구책임자 대표적 연구 실적 ...15
    16. 8. 참고 문헌 ...15
    17. 9. 연구 성과 ...17
    18. 10. 기타사항 ...17
  • 참고문헌

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    3. 특허(0)
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