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Fin trimming 및 Si template를 이용한 수직 실린더 형 나노선 전계효과 트랜지스터 제조 및 특성 평가
Fabrication and characterization of vertical surround gate-FET using fin trimming and Si template.

  • 과제명

    Fin trimming 및 Si template를 이용한 수직 실린더 형 나노선 전계효과 트랜지스터 제조 및 특성 평가.

  • 주관연구기관

    성균관대학교
    SungKyunKwan University

  • 연구책임자

    정일섭

  • 보고서유형

    최종보고서

  • 발행국가

    대한민국

  • 언어

    한국어

  • 발행년월

    2010-08

  • 과제시작년도

    2009

  • 주관부처

    교육과학기술부

  • 사업 관리 기관

    한국연구재단

  • 등록번호

    TRKO201000014295

  • 과제고유번호

    1345099835

  • 키워드

    수직 실린더 형 FET,AAO template 기술,나노선 matrix 구조VSG-FET,AAO template method,MOSFET,Nanowire in matrix structure

  • DB 구축일자

    2013-04-18

  • 초록 


    Our purposes of this project are to fabricate the vertical surround gate-FET and to develop a technology that could be combined w...

    Our purposes of this project are to fabricate the vertical surround gate-FET and to develop a technology that could be combined with the existing silicon technology to realized mass production. First of all, we could fabricate Si nanowire with matrix structure by using the process of oxidation and etching. And then, VSG-FETs could be fabricated with this Si nanowire. The process that we propose involves three steps. First, we could develop a fabrication technology of VSG-FET in nanowire matrix structure by using Fin trimming technique. Second, it is possible to grow vertical nanowires in matrix form on silicon substrate by using AAO(Anodized Aluminium Oxide) template technique. From this result, we could obtain VSG-FET fabrication technology. Finally, we research nano-materials to apply to next-generation semiconductor technology.


    본 과제의 연구목적은 수직 실린더 형 FET 구조를 사용하고 기존 실리콘 기술에 바로 접합하여 활용할 수 있는 양산성이 있는 기술 개발이다. 우선 matrix 구조의 실리콘 나노 선은 Fin을 만든 후 산화와 식각과정을 반복하며 필...

    본 과제의 연구목적은 수직 실린더 형 FET 구조를 사용하고 기존 실리콘 기술에 바로 접합하여 활용할 수 있는 양산성이 있는 기술 개발이다. 우선 matrix 구조의 실리콘 나노 선은 Fin을 만든 후 산화와 식각과정을 반복하며 필요한 구경의 나노선 matrix를 만들고, 수직 나노 선에 실린더 형 FET를 제조하는 것이다. 제안된 연구 내용은 크게 세 부분으로 요약될 수 있다. 첫 번째는 Fin trimming 기술을 활용하여 양산성이 있는 나노선 matrix 구조에 수직 실린더 형 FET 제조 기술을 개발하는 것이고 두 번째 부분은 template 기술을 이용하여 실리콘 기판에 수직 나노 선을 matrix 형태로 성장시키는 기술을 개발하여 그를 바탕으로 수직 실린더 형 FET 제조기술을 확보하는 것이다. 그리고 세 번째는 차세대 반도체 기술에 활용 가능한 나노소재 연구이다.


  • 목차(Contents) 

    1. 중견연구자지원사업(핵심연구) 최종보고서 ...1
    2. 목차 ...2
    3. I. 연구 계획 요약문 ...3
    4. 1. 국문 요약문 ...3
    5. II. 연구 결과 요약문 ...4
    6. 1. 국문 요약문 ...4
    7. 2. 영문 요약문 ...5
    8. III. 연구 내용 및 결과 ...6...
    1. 중견연구자지원사업(핵심연구) 최종보고서 ...1
    2. 목차 ...2
    3. I. 연구 계획 요약문 ...3
    4. 1. 국문 요약문 ...3
    5. II. 연구 결과 요약문 ...4
    6. 1. 국문 요약문 ...4
    7. 2. 영문 요약문 ...5
    8. III. 연구 내용 및 결과 ...6
    9. 1. 연구개발과제의 개요 ...6
    10. 2. 국내외 기술개발 현황 ...7
    11. 3. 연구수행 내용 및 결과 ...11
    12. 4. 목표 달성도 및 관련 분야에의 기여도 ...51
    13. 5. 연구결과의 활용계획 ...52
    14. 6. 연구과정에서 수집한 해외과학기술정보 ...54
    15. 7. 주관연구책임자 대표적 연구 실적 ...58
    16. 8. 참고 문헌 ...59
    17. 9. 연구 성과 ...61
    18. [별첨1] 대표연구성과 ...66
  • 참고문헌

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    3. 특허(0)
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