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보고서 상세정보

DTV/STB용 스위치 반도체 개발
Power Switch for DTV/STB

  • 사업명

    중소기업기술개발지원

  • 과제명

    DTV/STB용스위치반도체개발

  • 주관연구기관

    (주)위즈덤세미컨덕터

  • 연구책임자

    문종

  • 참여연구자

    박용포  

  • 보고서유형

    최종보고서

  • 발행국가

    대한민국

  • 언어

    한국어

  • 발행년월

    2007-05

  • 과제시작년도

    2006

  • 주관부처

    정보통신부

  • 사업 관리 기관

    정보통신연구진흥원
    Institute for Information Technology Advancement

  • 등록번호

    TRKO201000015485

  • 과제고유번호

    1440002058

  • DB 구축일자

    2013-04-18

  • 초록 


    3.1 Development Object
    (1) Sense FET Developmen for 650V and 3A application
    (2) PWM IC Development for Sense FET Driver
    ...

    3.1 Development Object
    (1) Sense FET Developmen for 650V and 3A application
    (2) PWM IC Development for Sense FET Driver
    (3) Wisdom Power Switch ( WPS ) for composite of PWM IC and Sense FET
    3.2 Development Contents & Scope
    (1) SenseFET Rated voltage : 650V, Rated Current : 3A, Rds(on) : 4.5 Ω
    (2) Operation Voltage : 20V
    (3)동작 주파수 : 45KHz ~ 73 KHz
    (4) 700V JFET embedded
    (5) Low Operating Current : max 3mA
    (6) Over Current Protection (OCP) : 0.6A
    (7) Over Voltage Protection (OVP) : 18V
    (8) Thermal Shutdown Function (TSD) : 145 °C
    (9) Under Voltage Lockout (UVLO) : start 12V, stop 8V


    가. 개발 목표
    (1) 650V, 3A 급 Sense FET 개발
    (2) Sense FET Driver용 PWM IC 개발
    (3) PWM IC + Sense FET 복합화 = Wisdom Power Switch ( ...

    가. 개발 목표
    (1) 650V, 3A 급 Sense FET 개발
    (2) Sense FET Driver용 PWM IC 개발
    (3) PWM IC + Sense FET 복합화 = Wisdom Power Switch ( WPS )
    나. 개발 내용 및 범위
    (1) SenseFET 정격전압 : 650V, 정격전류: 3A, Rds(on) : 4.5 Ω
    (2) 동작 전압 : 20V
    (3)동작 주파수 : 45KHz ~ 73 KHz
    (4) 700V JFET 내장
    (5) Low Operating Current : max 3mA
    (6) Over Current Protection (OCP) : 0.6A
    (7) Over Voltage Protection (OVP) : 18V
    (8) Thermal Shutdown Function (TSD) : 145 °C
    (9) Under Voltage Lockout (UVLO) : start 12V, stop 8V


  • 목차(Contents) 

    1. 최종보고서 ...1
    2. 제출문 ...3
    3. 요약문 ...4
    4. SUMMARY ...6
    5. CONTENTS ...8
    6. 목차 ...10
    7. 제1장 서 론 ...12
    8. 제1절 ...12
    9. 1. 과제 개요 ...12
    10. 2. 기술개발의 필요성 ...12<...
    1. 최종보고서 ...1
    2. 제출문 ...3
    3. 요약문 ...4
    4. SUMMARY ...6
    5. CONTENTS ...8
    6. 목차 ...10
    7. 제1장 서 론 ...12
    8. 제1절 ...12
    9. 1. 과제 개요 ...12
    10. 2. 기술개발의 필요성 ...12
    11. 가. 기술적 측면 ...12
    12. 나. 사업적 측면 ...12
    13. 다. 기업적 측면 ...13
    14. 3. 국내외 관련 기술 현황 및 전망 ...13
    15. 가. 세계적 기술 현황 및 전망 ...13
    16. 나. 국내 기술 현황 및 전망 ...13
    17. 4. 기술개발의 파급효과 ...14
    18. 제2장 본 론 ...15
    19. 제1절 ...15
    20. 1. 기술개발내용 ...15
    21. 가. Sense FET 개발내용...15
    22. 나. PWM IC 개발내용 ...16
    23. 2. 연구목표 및 결과 ...19
    24. 가. 과제규격 ...19
    25. 나. 성능 및 기능 ...20
    26. 다. 용 도 ...20
    27. 3. 개발제품의 수준 ...20
    28. 가. 독창성/혁신성 ...20
    29. 나. 부가가치성 ...21
    30. 4. 과제 평가항목 및 결과 ...21
    31. 가. 평가 항목 ...21
    32. 나. 평가 결과 ...21
    33. 제3장 ...22
    34. 제1절 ...22
    35. 1. 경쟁사 특성비교 ...22
    36. 가. 경쟁사와 특성 비교표 ...22
    37. 나. 제품의 차별화 ...23
    38. 2. 과제수행 일정 ...24
    39. 가. 계획대비 추진 실적 ...24
    40. 제4장 결론 ...25
    41. 제1절 ...25
    42. 1. 과제개발결과 정리 ...25
    43. 가. PKG 측정 자료 ...25
    44. 나. 신뢰성 시험 자료 ...49
    45. 다. Datasheet ...59
    46. 라. EDS Test Plan ...67
    47. 마. PKG Test Spec ...80
    48. 바. PWM IC Process technology ...89
  • 참고문헌

    1. 전체(0)
    2. 논문(0)
    3. 특허(0)
    4. 보고서(0)

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