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보고서 상세정보

질화물 반도체
Nitride Semiconductor

  • 주관연구기관

    한국과학기술정보연구원
    Korea Institute of Science and Technology Information

  • 연구책임자

    조영화

  • 보고서유형

    최종보고서

  • 발행국가

    대한민국

  • 언어

    한국어

  • 발행년월

    2002-12

  • 주관부처

    정보통신부

  • 사업 관리 기관

    정보통신부
    Ministry of Information and Communication

  • 등록번호

    TRKO201000015637

  • DB 구축일자

    2013-04-18

  • 초록 


    ...


    GaN 등의 질화물 반도체는 전자산업을 진일보시킬 수 있는 재료로 기대되고 있다. 이는 질화물 반도체가 가진 고유의 뛰어난 물리, 화학적 특성에 기인한다. 즉, 질화물반도체는 에너지 간격이 넓게 조절될 수 있기 때문에 자외선 영역에...

    GaN 등의 질화물 반도체는 전자산업을 진일보시킬 수 있는 재료로 기대되고 있다. 이는 질화물 반도체가 가진 고유의 뛰어난 물리, 화학적 특성에 기인한다. 즉, 질화물반도체는 에너지 간격이 넓게 조절될 수 있기 때문에 자외선 영역에서 청/녹색까지의 발광소자(LED) 및 레이저 다이오드(LD)와 자외선 검출기(Detector) 등의 광소자 구현이 가능하다. 또한 구조적 안정성이 매우 우수하여 고온, 고출력 전자소자의 구현도 가능하다.
    이러한 기대와 가능성에도 불구하고 질화물반도체가 소자로 개발되기까지는 많은 시간이 걸렸다. 그 이유는 질화물반도체(대표적인것은 GaN임)에 대하여 적합한 기판과 박막 형성방법이 없었기 때문이다. 종래의 기판 및 박막형성방법으로는, GaN의 박막성장에서 기판과의 격자 mismatch로 인하여 strain이 발생하고 결함농도가 높아져 전기적 특성을 조절하기 힘들었다. 또한 큰 에너지 갭으로 도핑효율이 낮고 p형 GaN의 실현이 어려웠다.


  • 목차(Contents) 

    1. 표지 ... 1
    2. 머리말 ... 2
    3. 목차 ... 4
    4. 표차례 ... 7
    5. 그림차례 ... 8
    6. 제1장 서론 ... 11
    7. 1. 연구의 배경 및 필요성 ... 11
    8. 2. 연구의 목적 ... 12
    9. 3. 연구의 방법 ... 1...
    1. 표지 ... 1
    2. 머리말 ... 2
    3. 목차 ... 4
    4. 표차례 ... 7
    5. 그림차례 ... 8
    6. 제1장 서론 ... 11
    7. 1. 연구의 배경 및 필요성 ... 11
    8. 2. 연구의 목적 ... 12
    9. 3. 연구의 방법 ... 13
    10. 제2장 질화물 반도제의 기술동향 ... 14
    11. 1. 기술의 개요 ... 14
    12. 2. 기술의 특성 ... 18
    13. 3. 기술의 내용 ... 21
    14. 가. 청/녹색 LED 및 LD ... 21
    15. 나. 단파장 LD ... 22
    16. 다. 백색광 소자 ... 23
    17. 라. 전자소자 ... 24
    18. 마. UV 검출기 ... 25
    19. 4. 기술의 연구개발 동향 ... 26
    20. 가. 국내외 원천기술 연구 동향 ... 26
    21. (1) MOCVD 박막성장기술 ... 26
    22. (2) GaN 단결정 박막 성장기술 ... 34
    23. (3) 질화물 반도체의 식각기술 ... 37
    24. (4) 전극 형성기술 ... 40
    25. (5) GaN 기판 제조 기술 ... 42
    26. 나. 질화물 반도체 소자 연구 개발 현황 ... 42
    27. (1) 해외 개발 동향 ... 42
    28. (2) 국내 개발 동향 ... 62
    29. 다. 발전전망 ... 66
    30. 제3장 기술ㆍ특허정보 분석 ... 68
    31. 1. 기술문헌정보분석 ... 68
    32. 가. 대상 DB 및 정보조사 ... 68
    33. 나. 정보분석 ... 69
    34. 2. 특허정보분석 ... 81
    35. 가. 대상 DB 및 정보조사 ... 81
    36. 나. 정보분석 ... 83
    37. (1) 국내외 특허현황 ... 83
    38. (2) 국내 특허동향 ... 85
    39. (3) 외국 특허동향 ... 95
    40. 제4장 시장동향 및 전망 ... 107
    41. 1. 산업의 개요 및 특성 ... 107
    42. 가. 광소자 산업의 개요 및 특성 ... 109
    43. 나. 전자소자 산업의 개요 및 특성 ... 112
    44. 2. 산업환경 분석 ... 113
    45. 가. 외부 환경분석 ... 113
    46. 나. 시장 기회 요인 및 위협 요인 분석 ... 117
    47. (1) 시장 기회 요인 ... 117
    48. (2) 시장 위협 요인 ... 119
    49. 3. 국내외 시장 동향 분석 ... 121
    50. 가. 세계시장동향 분석 ... 121
    51. (1) 세계시장규모 ... 121
    52. (2) 가격동향 분석 ... 126
    53. (3) 해외 주요 업체동향 분석 ... 128
    54. (4) 시장점유율 분석 ... 138
    55. 나. 국내시장동향 분석 ... 139
    56. (1) LED 시장 추이 ... 139
    57. (2) 업체동향 분석 ... 141
    58. 다. 수요예측 ... 145
    59. (1) LED 수요 ... 145
    60. (2) LD 수요 ... 149
    61. (3) 전자 소자 수요 ... 150
    62. 라. 사업전략 ... 151
    63. 제5장 결론 ... 155
    64. 참고문헌 ... 157
  • 참고문헌

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