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보고서 상세정보

고성능 차세대 전자 소재 및 소자 연구
Research on high-performance electronic materials and devices for future applications

  • 사업명

    광주과학기술원운영경비

  • 과제명

    고성능 차세대 전자 소재 및 소자 연구

  • 주관연구기관

    광주과학기술원
    Gwangju Institute of Science and Technology

  • 보고서유형

    1단계보고서

  • 발행국가

    대한민국

  • 언어

    한국어

  • 발행년월

    2016-02

  • 과제시작년도

    2015

  • 주관부처

    미래창조과학부
    Ministry of Science, ICT and Future Planning

  • 등록번호

    TRKO201600002070

  • 과제고유번호

    1711033901

  • 키워드

    산화아연.실리카.이산화티탄.코어쉘.자외선차단.하이브리드 인터페이스.분자모델링.ZnO.SiO2.TiO2.Core-shell.UV protection.Hybrid interface.Molecular modeling.

  • DB 구축일자

    2016-05-28

  • DOI

    https://doi.org/10.23000/TRKO201600002070

  • 초록 


    In this research, we carried out collaborative studies to develop novel materials for high-performance electronics in future appl...

    In this research, we carried out collaborative studies to develop novel materials for high-performance electronics in future applications. To this end, systematic studies were performed on;

    ● High luminescence ZnO light-emitting diode
    ● Synthesis of ZnO/SiO2/TiO2 core-shell nanoparticles
    ● Interfacial properties of hybrid materials
    ● Real time monitoring of graphene growth
    ● Synthesis of 2-dimensional MoS2 semiconductors and their transistor applications
    ● Epitaxial thin films of metals oxides semiconductors as photo-cathodes for water splitting

    It is expected that these results will contribute to designing new materials for future electronics and energy applications.


    시뮬레이션 프로그램을 이용하여 고휘도 ZnO LED 제작을 위한 최적의 소자 구조 도출함.
    ZnO/MgZnO 양자우물구조 위에 Sb 도핑된 p-type MgZnO를 성장함.

    Nitrogen doping통한 barr...

    시뮬레이션 프로그램을 이용하여 고휘도 ZnO LED 제작을 위한 최적의 소자 구조 도출함.
    ZnO/MgZnO 양자우물구조 위에 Sb 도핑된 p-type MgZnO를 성장함.

    Nitrogen doping통한 barrier 변화 확인
    ZnO:N film두께에 따른 특성변화 측정
    이론적 Modeling을 통한 ZnO:N/Graphene의 barrier height 추출

    MoO3와 S 분말을 이용하여 고품질의 MoS2 합성함
    MoO3의 양을 조절하여 MoS2 박막의 층수를 조절함
    MoS2 기반 트랜지스터를 제작하고 전기적 특성을 평가함

    졸겔법을 이용해 실리카, 산화아연, 이산화티탄으로 이루어진 코어쉘 합성법을 개발함
    UV-A 영역과 UV-B영역을 동시에 차단할 수 있음
    무기물로만 이루어져 피부 자극이 없으며 환경에 무해함
    구형의 형태로 발림성이 우수할 것으로 기대됨
    합성된 구조체와 상용화된 물질과 비교 시, 기존 물질보다 광차단 능력이 우수함

    AlN 기판 위에 그래핀 박막을 성장 시키고 성장 과정을 RHEED를 통하여 실시간으로 관찰
    850도에서 혹은 500초 이상의 증착 시간에서 좋은 결정성을 가지는 그래핀 성장
    증착 시간과 온도가 증가 할수록 그래핀 결정성 및 전도성 증가


  • 목차(Contents) 

    1. 표지 ... 1
    2. 제 출 문 ... 2
    3. 보고서 초록 ... 5
    4. 요 약 문 ... 6
    5. SUMMARY ... 10
    6. 목차 ... 11
    7. 제 1 장 연구개발과제의 개요 ... 12
    8. 제 1 절 연구의 필요성 ... 12
    9. 제 2 절 연구 개발의 범위 .....
    1. 표지 ... 1
    2. 제 출 문 ... 2
    3. 보고서 초록 ... 5
    4. 요 약 문 ... 6
    5. SUMMARY ... 10
    6. 목차 ... 11
    7. 제 1 장 연구개발과제의 개요 ... 12
    8. 제 1 절 연구의 필요성 ... 12
    9. 제 2 절 연구 개발의 범위 ... 16
    10. 제 2 장 국내외 기술개발 현황 ... 19
    11. 2. 이차원 터널링소자 국내외 연구개발 현황 ... 20
    12. 3. 2차원 MoS2 반도체의 기상 합성 및 트랜지스터 응용 ... 22
    13. 4. 산화물 반도체 에피택시얼 박막의 물분해 광전극로의 활용 ... 23
    14. 제 3 장 연구개발수행 내용 및 결과 ... 26
    15. 1. 고휘도 ZnO 발광 다이오드 연구 ... 26
    16. 2. ZnO/SiO2/TiO2 코어쉘 나노입자 합성 ... 29
    17. 3. 이차원 터널링 소자 연구 ... 30
    18. 4. 하이브리드 정보소재 인터페이스에 대한 전산모사 연구 ... 33
    19. 5. 2차원 MoS2 반도체의 기상 합성 및 트랜지스터 응용 ... 37
    20. 6. 그래핀의 성장과정에 대한 실시간 모니터링 연구 ... 39
    21. 7. 산화물 반도체 에피택시얼 박막의 물분해 광전극로의 활용 ... 41
    22. 제 4 장 목표달성도 및 관련분야에의 기여도 ... 49
    23. 제 1 절 목표달성도 ... 49
    24. 제 2 절 연구성과 ... 50
    25. 제 5 장 연구개발결과의 활용계획 ... 53
    26. 1. 과학기술적 측면 ... 53
    27. 2. 경제적ㆍ사회적 측면 ... 53
    28. 3. 산화물 반도체 에피택시얼 박막의 물분해 광전극으로의 활용 ... 54
    29. 4. 강유전성 산화박막의 광소자로의 활용 ... 55
    30. 제 6 장 연구개발과정에서 수집한 해외과학기술정보 ... 56
    31. 제 7 장 참고문헌 ... 58
    32. 끝페이지 ... 59
  • 참고문헌

    1. 전체(0)
    2. 논문(0)
    3. 특허(0)
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