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보고서 상세정보

차세대 무선통신용 반도체 기반 스마트 안테나 기술 개발
Development on Semi-conductor based Smart Antenna for future mobile communications

  • 사업명

    방송통신산업기술개발

  • 과제명

    차세대 무선통신용 반도체 기반 스마트 안테나 기술 개발

  • 주관연구기관

    한국전자통신연구원
    Electronics and Telecommunications Research Institute

  • 보고서유형

    연차보고서

  • 발행국가

    대한민국

  • 언어

    한국어

  • 발행년월

    2016-01

  • 과제시작년도

    2015

  • 주관부처

    미래창조과학부
    Ministry of Science, ICT and Future Planning

  • 등록번호

    TRKO201600002629

  • 과제고유번호

    1711026825

  • 키워드

    플라즈마.안테나.빔형성.재구성.스마트.기지국.이동통신.Plasma.Antenna.Beamforming.Reconfigurable.Smart.Base-Station.Mobile Communication.

  • DB 구축일자

    2016-06-04

  • 초록 


    ...


    I-2 해당 연도 추진 실적
    계획
    1. 반도체 플라즈마 디바이스 셀 설계
    추진실적
    ● 반도체 플라즈마 디바이스 셀을 위한 PIN 다이오드 특성 분석 완료
    - PIN 다이오드에 전압을 인가하면 intrins...

    I-2 해당 연도 추진 실적
    계획
    1. 반도체 플라즈마 디바이스 셀 설계
    추진실적
    ● 반도체 플라즈마 디바이스 셀을 위한 PIN 다이오드 특성 분석 완료
    - PIN 다이오드에 전압을 인가하면 intrinsic 영역에 캐리어(Plasma) 가 생성됨
    - 동작 전압에 따른 전하밀도 분석 : 전하 밀도가 1.5 V부터 급격하게 증가하여 2.5V에서 포화됨
    - 셀 크기에 따른 전하밀도 분석
    . Intrinsic 길이(Li)에 따른 전하밀도 분포 : Diffusion length를 고려하여 Li는 140μm 보다 작게 설계해야 전하밀도를 효과적으로 높일 수 있음
    . Contact 길이(Lc)에 따른 전하밀도 분포 : (Lc)가 작을수록 더 높은 전하밀도를 얻으나 그 변화가 크지 않음
    . Junction 깊이(Xi) 에 따른 전하밀도 분포 : (Xi)에 따라서는 변화가 미미함
    - Intrinsic 도핑 농도 (Ni)에 따른 전하 밀도 분석 : (Ni)가 감소할수록 더 높은 전하 밀도를 얻을 수 있음
    - Intrinsic 길이(Li)에 따른 Conductivity 분석 : 채널 길이가 감소할수록 같은 동작 전압에서 더 높은 전하밀도를 얻을 수 있음
    ● 시뮬레이션에서 얻은 결과를 토대로 반도체 플라즈마 디바이스 셀 (PIN 다이오드)의 Mask 설계 완료
    - Intrinsic 길이 (Lint) Intrinsic 너비 (W) 와 Contact 길이 ((Lc)에 따른 제작된 소자의 특성을 보기 위해 split함
    - Current crowding effect와 Miss align을 고려하여 Via hole 설계 완료
    ※ 산출물: 플라즈마 디바이스 단위 셀 설계서


  • 목차(Contents) 

    1. 표지 ... 1
    2. 연차보고서 ... 2
    3. Ⅰ. 해당 연도 추진 현황 ... 3
    4. Ⅰ-1 기술개발 추진 일정 ... 3
    5. Ⅰ-2 해당 연도 추진 실적 ... 4
    6. Ⅱ. 기술개발결과 ... 30
    7. 2.1 논문 실적 ... 30
    8. 2.2 지적재산권 실적 ... 31...
    1. 표지 ... 1
    2. 연차보고서 ... 2
    3. Ⅰ. 해당 연도 추진 현황 ... 3
    4. Ⅰ-1 기술개발 추진 일정 ... 3
    5. Ⅰ-2 해당 연도 추진 실적 ... 4
    6. Ⅱ. 기술개발결과 ... 30
    7. 2.1 논문 실적 ... 30
    8. 2.2 지적재산권 실적 ... 31
    9. 2.3 기술 개발 내용 ... 32
    10. Ⅲ. 결론 및 차년도 계획 ... 97
    11. 가. 한국전자통신연구원 ... 97
    12. 나. KAIST ... 97
    13. 다. 세종대학교 ... 97
    14. 라. (주)실리콘하모니 ... 98
    15. Ⅳ. 사업비 사용현황 ... 99
    16. Ⅴ. 기업 재무건전성 현황 ... 103
    17. Ⅴ. 자체보안관리진단표 ... 104
    18. Ⅵ. 유형적 발생품 (연구시설, 연구장비 등) 구입 및 관리 현황 ... 105
    19. 끝페이지 ... 105
  • 참고문헌

    1. 전체(0)
    2. 논문(0)
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