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보고서 상세정보

스마트 데이터센터용 차세대 광-전 모듈 기술

  • 사업명

    한국전자통신연구원 연구개발지원

  • 과제명

    스마트 데이터센터용 차세대 광-전 모듈 기술개발

  • 주관연구기관

    한국전자통신연구원
    Electronics and Telecommunications Research Institute

  • 보고서유형

    최종보고서

  • 발행국가

    대한민국

  • 언어

    한국어

  • 발행년월

    2016-04

  • 과제시작년도

    2015

  • 주관부처

    미래창조과학부
    Ministry of Science, ICT and Future Planning

  • 등록번호

    TRKO201600002821

  • 과제고유번호

    1711026522

  • 키워드

    데이터센터.100G 직접변조 광원.100G 광수신기.dater center.GaN FET.GaN Diode.100G optical source.100G optical transceiver.

  • DB 구축일자

    2016-06-11

  • 초록 


    Results

    1. Epitaxial Growth technology for power semiconductor
    - Carrier concentration : 1.6x1013 /cm3...

    Results

    1. Epitaxial Growth technology for power semiconductor
    - Carrier concentration : 1.6x1013 /cm3 (goal : > 1.5x1013 /cm3)
    - Carrier mobility : 1,530 cm2/Vs (goal : > 1500 cm2/V·s)
    2. Protype transistor with 1200V-breakdown voltage
    - Breakdown voltage : 1380 V (goal : > 1200 V)
    - On resistance : 12 mΩ·cm2 (goal : < 50 mΩ·cm2)
    3. Protype diode with 1200V-breakdown voltage
    - Breakdown voltage : 1256 V (goal : > 1200 V)
    - Forward voltage drop : 0.7 V (goal : < 1 V)
    4. Power module with 600V-10A
    - 6-pack(3-phase) power module with DBC substrate
    - Measurement (breakdown voltage with 600 V and forwad current 17 A, etc)
    5. Backside via hole technology
    - Diameter : 90 um (goal : < 100 um)
    - Depth of via hole : 264 um (goal : > 100 um)
    6. Inverter efficiency
    - Efficiency : > 90 % (goal : > 90 %)
    7. Converter efficiency
    - Efficiency : > 90 % (goal : > 85 %)
    8. 100G optical source chip protype
    - Operation : 10 channel × 10 Gbps (goal : 100 Gbps)
    - DFB output power per a channel : > 13.5 mW (goal : 12 mW)
    - Wavelength accuracy per a channel : ± 1.5 nm (goal : ± 2 nm)
    - Output power for 2 km transmission : 1 dBm (goal : 0 dBm)
    - Extinction ratio for 2 km transmission : > 4.5 dB (goal : > 4 dB)
    - Power penalty for after 2 km transmission : < 1.5 dB (goal : < 3 dB)
    9. Fabrication for improving the uniformity of epitaxial layer and chip
    - Uniformity of grating pattern (wavelength error) : 4 % (goal : 5 %)


    ◈ 차세대 에너지 절감형 반도체 원천․핵심․기반 기술 확보
    ⋅GaN 에피소재 원천기술 확보
    ⋅GaN 소자/회로 핵심기술 확보
    ⋅저가형 고수율 광/전 집적회로 제조공정 기반기술 확보
    ◈ 차세대 데이터 센터용 Ga...

    ◈ 차세대 에너지 절감형 반도체 원천․핵심․기반 기술 확보
    ⋅GaN 에피소재 원천기술 확보
    ⋅GaN 소자/회로 핵심기술 확보
    ⋅저가형 고수율 광/전 집적회로 제조공정 기반기술 확보
    ◈ 차세대 데이터 센터용 GaN 기반 전력반도체 시제품 개발
    - GaN FET 기반 전력 소자 기술 개발
    - GaN Diode 기반 전력 소자 기술 개발
    - GaN Converter 개발
    - GaN Inverter 개발
    ◈ 차세대 데이터 센터용 광케이블용 광반도체 소자 기술 개발
    - SAG 기반 집적형 10 채널 광원 에레이 기술 개발
    - SMF 기반 집적형 100G 직접변조 광원 기술 개발
    - 400G 광원 직접변조 구도 도출
    - 고속 광원용 소자 균일도 향상을 위한 공정기술 개발
    o End Product
    - GaN FET 기반 전력 소자(HW)
    - GaN Diode 기반 전력 소자(HW)
    - GaN Converter(HW)
    - GaN Inverter(HW)
    - 100G 직접변조 광원 칩/서브모듈 (HW)
    - SMF 기반 100G 집적변조 광원 모듈 (HW)


  • 목차(Contents) 

    1. 표지 ... 1
    2. 제출문 ... 2
    3. 보고서 요약서 ... 8
    4. 연구개발사업 주요 연구성과 ... 9
    5. 국문 요약문 ... 10
    6. 영문 요약문 ... 11
    7. 목차 ... 12
    8. 제1장. 연구개발과제의 개요 ... 13
    9. 1. 연구개발 목적 ... 13...
    1. 표지 ... 1
    2. 제출문 ... 2
    3. 보고서 요약서 ... 8
    4. 연구개발사업 주요 연구성과 ... 9
    5. 국문 요약문 ... 10
    6. 영문 요약문 ... 11
    7. 목차 ... 12
    8. 제1장. 연구개발과제의 개요 ... 13
    9. 1. 연구개발 목적 ... 13
    10. 2. 연구개발의 필요성 ... 14
    11. 3. 연구개발 범위 ... 19
    12. 제2장. 국내외 기술 개발 현황 ... 21
    13. 1. 국내 기술 동향 및 수준 ... 21
    14. 2. 국외 기술 동향 및 수준 ... 22
    15. 3. 개발 대상 기술·제품의 파급효과 ... 25
    16. 4. 국내외 수요처 현황 ... 32
    17. 제3장. 연구 수행 내용 및 성과 ... 35
    18. 제4장. 목표 달성도 및 관련 분야 기여도 ... 122
    19. 1. 목표 달성도 ... 122
    20. 제5장. 연구개발성과의 활용계획 ... 123
    21. 제6장. 연구 과정에서 수집한 해외 과학기술 정보 ... 127
    22. 제7장. 연구개발성과의 보안등급 ... 129
    23. 제8장. 국가과학기술종합정보시스템에 등록한 연구시설·장비 현황 ... 130
    24. 제9장. 연구개발과제 수행에 따른 연구실 등의 안전 조치 이행 실적 ... 131
    25. 제10장. 연구개발과제의 대표적 연구 실적 ... 132
    26. 1. 지식재산권 ... 132
    27. 2. 논문 게재/발표 실적 ... 136
    28. 3. 기술이전 실적 ... 144
    29. 제11장. 기타 사항 ... 145
    30. 제12장. 참고 문헌 ... 146
    31. 붙임1. 자체 보안관리 진단표 ... 149
    32. 끝페이지 ... 150
  • 참고문헌

    1. 전체(0)
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